Москатов Е.А. - Справочник по полупроводниковым приборам, страница 4

По этой системе приборы для бытовой аппаратурыширокого применения обозначаются двумя буквами и тремя цифрами, дляпромышленной и специальной аппаратуры – тремя буквами и двумя цифрами. Так,у приборов широкого применения после двух букв стоит трёхзначный порядковыйномер от 100 до 999. У приборов, применяемых в промышленной и специальнойаппаратуре, третий знак – буква (буквы используются в обратном алфавитномпорядке: Z, Y, X и так далее), за которой следует порядковый номер от 10 до 99.Если в одном корпусе имеется несколько одинаковых приборов, то обозначениепроизводится в соответствии с кодом (маркировкой) для одиночных дискретныхприборов.

При наличии в одном корпусе нескольких разных приборов в качествевторой буквы обозначения используется буква G. К основному обозначению можетдобавляться буква, указывающая на отличие прибора от основного типа по какимлибо параметрам или корпусу.16Москатов Е. А.

Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru1.4 Классификация микросхемИнтегральная микросхема (ИМС) – это конструктивно законченное электронноеизделие в миниатюрном исполнении с высокой плотностью размещенияэлектрически соединенных элементов, компонентов и (или) кристаллов,осуществляющее формирование, усиление, преобразование, обработку сигналов.Кристалл и компоненты ИМС, как правило, заключены в общий корпус – например,металлостеклянный, стеклянный, пластмассовый, керамический. Существуютразновидности герметизированных компаундом и бескорпусных ИМС.Бескорпусные ИМС обычно применяются в аппаратуре с высокой плотностьюмонтажа.Элемент ИМС – это часть микросхемы, реализующая функцию какой-либо детали,радиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и неможет быть выделена как самостоятельное изделие.Компонент ИМС – это часть микросхемы, реализующая функции какой-либодетали, радиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие.Полупроводниковая ИМС – это микросхема, все элементы и внутренниесоединения которой выполнены в объёме и на поверхности полупроводниковойпластинки.Плёночная ИМС – это микросхема, все элементы и внутренние соединения которойвыполнены в виде плёнок.

Различаются толстоплёночные и тонкоплёночные ИМС.Толстоплёночная ИМС – это микросхема, в которой все пассивные элементы,проводники и контактные площадки выполнены по толстоплёночной технологии надиэлектрическом основании, то есть подложке. Толстоплёночная технология – этовжигание резистивных, проводящих и диэлектрических паст в подложку. Толщинаплёнок от 1 … 2 до 10 … 25 микрон.Тонкоплёночная ИМС – это микросхема, в которой все пассивные элементы(проводники и контактные площадки) выполнены методом тонкоплёночнойтехнологии на поверхности общего диэлектрического основания, подложки.Тонкоплёночная технология – напыление тонких плёнок в вакууме.Гибридная интегральная микросхема (ГИС) – это микросхема, в которой крометонкоплёночных элементов (проводников и контактных площадок надиэлектрической подложке) расположены навесные, бескорпусные дискретныеэлементы – транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности.Аналоговая ИМС – это микросхема, применяющаяся для усиления, преобразованияи обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции.Цифровая ИМС – это микросхема, применяющаяся для преобразования иобработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции.

Полярностьвыходного сигнала цифровой микросхемы с одним источником питания совпадает сполярностью последнего относительно “общего” провода. На выходах некоторыхцифровых микросхем, питаемых от двух источников с разнополярным(двуполярным) питанием, можно получить напряжения различной полярности;выходное напряжение микросхемы зависит от полярности или (и) значения17Москатов Е.

А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruвходного сигнала. Цифровые микросхемы широко применяют в устройствахдискретной автоматики.Микросборка – это миниатюрное изделие, входящее в состав серии ИМС,отличающееся тем, что его компоненты (например, транзисторы, диоды, резисторы)имеют самостоятельные внешние выводы, что позволяет каждый из выводовиспользовать раздельно.Кристалл ИМС – это часть полупроводниковой пластины, изготовляемой обычноиз монокристаллического кремния, в объёме и на поверхности которой созданыэлементы полупроводниковой микросхемы, соединения элементов и контактныеплощадки.Корпус ИМС – это часть конструкции микросхемы, предназначенная для её защитыот внешних (влага, излучение) воздействий, для соединения выводами с внешнимицепями и, если элементом корпуса является радиатор, – от перегрева.Степень интеграции ИМС – это показатель сложности микросхемы, определяемыйчислом содержащихся в ней элементов и компонентов (входящих в неётранзисторов, диодов, резисторов).

Степень интеграции микросхемы определяетсяпо формуле К = lg N, где К – коэффициент, определяющий степень интеграции,округляемый до ближайшего большого целого числа; N – число входящих вмикросхему элементов и компонентов.ИМС, содержащая до 10 элементов – это ИМС первой степени интеграции;содержащая от 11 до 100 элементов – это ИМС второй степени интеграции;содержащая от 101 до 1000 элементов – это ИМС третьей степени интеграции и такдалее.Вместе с тем используются другие обозначения.

ИМС, содержащая более 150 …200 элементов, называется “большой интегральной схемой” (БИС), а содержащаяболее 1000 элементов, – “сверхбольшой интегральной схемой” (СБИС).Серия ИМС – это совокупность типов микросхем, которые могут выполнятьразличные функции, имеющих одинаковое конструктивное и технологическоеисполнение и предназначенных для совместного использования.Обозначения функций интегральных микросхемСо времён бывшего СССР (с июля 1974 г.) действует ГОСТ 18682-73, которыйустанавливает классификацию и систему условных обозначений на вновьразрабатываемые и модернизируемые ИМС.

В соответствии с этим ГОСТом поконструктивно-технологическому исполнению микросхемы подразделяются на тригруппы, которым присвоены следующие обозначения:1; 5; 7 – полупроводниковые микросхемы;2; 4; 6; 8 – гибридные микросхемы;3 – все прочие (вакуумные, керамические, плёночные и другие).Условное обозначение типа микросхемы состоит из четырёх элементов.Первый элемент – цифра, указывающая конструктивно-технологическоеисполнение микросхемы (например, полупроводниковая или гибридная);второй элемент – две цифры, обозначающие порядковый номер разработки серии18Москатов Е. А.

Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruмикросхем (от 00 до 99);третий элемент – две буквы, обозначающие функциональное назначениемикросхемы (смотрите таблицу 1.4.1);четвёртый элемент – порядковый номер разработки микросхемы пофункциональному признаку в данной серии.Номер серии микросхемы показывают совместно первый и второй элементусловного обозначения. В обозначении микросхем, разработанных до июля 1974 г.,первая из трёх цифр стоит в начале обозначения типа, а вторая и третья – послебуквенного индекса; буквенные обозначения функционального назначениямикросхем этих серий соответствует нормали и приведены они в последней графетаблицы 1.4.1.Таблица 1.4.1.

Буквенное обозначение функций микросхем [31, стр. 20 – 23].Буквенное обозначениеФункции микросхемыПо ГОСТ 18682-73 Принятое ранееГенераторы:гармонических сигналовГСГСпрямоугольных сигналов1ГГ—линейно-изменяющихся сигналовГЛ—сигналов специальной формыГФГФшумаГМ—прочиеГП—амплитудныеДАДАимпульсныеДИДИчастотныеДСДСфазовыеДФДФпрочиеДПДПтокаКТ—напряженияКН—прочиеКПКПключ транзисторный—КТключ диодный—КДЛИЛИДетекторы:Коммутаторы и ключи:Логические элементы:элемент И19Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruБуквенное обозначениеФункции микросхемыПо ГОСТ 18682-73 Принятое ранееэлемент ИЛИЛЛЛЛэлемент НЕЛНЛНэлемент И-ИЛИЛСЛСэлемент И-НЕ, элемент ИЛИ-НЕЛБЛБэлемент И-ИЛИ-НЕЛРЛРэлемент И-ИЛИ-НЕ / И-ИЛИЛКЛКэлемент ИЛИ-НЕ / ИЛИЛКЛКрасширителиЛДЛПпрочиеЛПЛЭамплитудныеMAMAчастотныеМСМСфазовыеМФМФимпульсныеМИМИпрочиеМПМПчастотыПСПСфазыПФПФдлительностиПД—напряженияПНПНмощностиПМ—уровня сигнала (для согласования)ПУПУформы сигнала—ПМкод – аналогПАПДаналог – кодПВПКкод – кодПР—прочиеППППМодуляторы:Преобразователи:Вторичные источники питания:выпрямителиЕВ—преобразователиЕМ—стабилизаторы напряженияEHEH, ППстабилизаторы токаЕТЕТ20Москатов Е.