Москатов Е.А. - Справочник по полупроводниковым приборам, страница 3

А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruстабилизации менее 10 В;8 — для стабилитронов мощностью 5 … 10 Вт с номинальным напряжениемстабилизации 10... 100 В;9 — для стабилитронов мощностью 5 … 10 Вт с номинальным напряжениемстабилизации более 100 B.Генераторы шума (подкласс Г):1 — для низкочастотных генераторов шума;2 — для высокочастотных генераторов шума.Излучающие оптоэлектронные приборы (подкласс Л):Источники инфракрасного излучения:1 — для излучающих диодов;2 — для излучающих модулей.Приборы визуального представления информации:3 — для светоизлучающих диодов;4 — для знаковых индикаторов;5 — для знаковых табло;6 — для шкал;7 — для экранов.Оптроны (подкласс О):Р — для резисторных оптронов;Д — для диодных оптронов;У — для тиристорных оптронов;Т — для транзисторных оптронов.Диодные тиристоры (подкласс Н):1 — для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока не более0,3 А;2 — для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока более 0,3А, но не свыше 10 А.Триодные тиристоры (подкласс У):Незапираемые тиристоры:1 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока воткрытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значениемимпульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;2 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока воткрытом состоянии 0,3 … 10 А или максимально допустимым значениемимпульсного тока в открытом состоянии 15 … 100 А;7 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока воткрытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значениемимпульсного тока в открытом состоянии более 100 А.Запираемые тиристоры:3 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока воткрытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значениемимпульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;4 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в12Москатов Е.

А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruоткрытом состоянии 0,3 … 10 А или максимально допустимым значениемимпульсного тока в открытом состоянии 15 … 100 А;8 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока воткрытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значениемимпульсного тока в открытом состоянии более 100 А,Симметричные тиристоры:5 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока воткрытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значениемимпульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;6 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока воткрытом состоянии 0,3 … 10 А или максимально допустимым значениемимпульсного тока в открытом состоянии 15 … 100 А;9 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока воткрытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значениемимпульсного тока в открытом состоянии более 100 А.Четвёртый элемент – число, обозначающее порядковый номер разработкитехнологического типа.Для обозначения порядкового номера разработки используется двухзначное числоот 01 до 99.

Если порядковый номер разработки превысит число 99, то вдальнейшем используют трёхзначное число от 101 до 999.Пятый элемент – буква, условно определяющая классификацию (разбраковку попараметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.В качестве классификационной литеры используют буквы русского алфавита (заисключением букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э).В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующиесимволы:цифры 1 … 9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменениюего конструкции или электрических параметров;букву С для обозначения сборок – наборов в общем корпусе однотипных приборов,не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами;цифры, написанные через дефис, для обозначений следующих модификацийконструктивного исполнения бескорпусных приборов:1 —с гибкими выводами без кристаллодержателя;2 — с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);3 — с жёсткими выводами без кристаллодержателя (подложки);4 — с жёсткими выводами на кристаллодержателе (подложке);5 — с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и безвыводов;6 — с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов.Буква Р после последнего элемента обозначения – для приборов с парнымподбором, буква Г – с подбором в четвёрки, буква К – с подбором в шестёрки.Для приборов, изготовленных до 1982 года действовала другая системаобозначений.

Условные обозначения состояли из двух или трёх элементов.Первый элемент обозначения – буква Д, характеризующая весь класс13Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruполупроводниковых диодов.Второй элемент обозначения – число (номер), которое указывает на областьприменения:от 1 до 100 — для точечных германиевых диодов;от 101 до 200 — для точечных кремниевых диодов;от 201 до 300 — для плоскостных кремниевых диодов;от 301 до 400 — для плоскостных германиевых диодов;от 401 до 500 — для смесительных СВЧ детекторов;от 501 до 600 — для умножительных диодов;от 601 до 700 — для видеодетекторов;от 701 до 749 — для параметрических германиевых диодов;от 750 до 800 — для параметрических кремниевых диодов;от 801 до 900 — для стабилитронов;от 901 до 950 — для варикапов;от 951 до 1000 — для туннельных диодов;от 1001 до 1100 — для выпрямительных столбов.Третий элемент обозначения – буква, указывающая на разновидность групподнотипных приборов.Для обозначения стабилитронов до 1981 года в качестве третьего и четвёртогоэлементов присваивались числа:малой мощности (Р ≤ 0,3 Вт):от 101 до 199 — с напряжением стабилизации 0,1 … 9,9 В;от 210 до 299 — с напряжением стабилизации 10 … 99 В;от 301 до 399 —с напряжением стабилизации 100 … 199 В;средней мощности (0,3 Вт < Р ≤ 5 Вт):от 401 до 499 — с напряжением стабилизации 0,1 … 9,9 В;от 510 до 599 — с напряжением стабилизации 10 … 99 В;от 601 до 699 — с напряжением стабилизации 100 … 199 В;большой мощности (Р > 5 Вт):от 701 до 799 — с напряжением стабилизации 0,1 … 9,9 В;от 810 до 899 — с напряжением стабилизации 10 … 99 В;от 901 до 999 — с напряжением стабилизации 100 … 199 В.Две последние цифры каждого числа соответствуют номинальному напряжениюстабилизации стабилитронов данного типа, например КС175А – кремниевыйстабилитрон малой мощности с напряжением стабилизации 7,5 В.14Москатов Е.

А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru1.3 Классификация транзисторовУсловные обозначения биполярных транзисторов, выпущенных до 1964 года,состоят из букв (П или МП) и цифр, определяющих тип исходного материала,допустимую рассеиваемую мощность и граничную частоту:от 1 до 99 — германиевые маломощные низкой частоты;от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкой частоты;от 201 до 299 — германиевые мощные низкой частоты;от 301 до 399 — кремниевые мощные низкой частоты;от 401 до 499 — германиевые маломощные высокой и сверхвысокой частот;от 501 до 599 — кремниевые маломощные высокой и сверхвысокой частот;от 601 до 699 — германиевые мощные высокой и сверхвысокой частот;от 701 до 799 — кремниевые мощные высокой и сверхвысокой частот.После цифр может стоять буква, определяющая разбраковку транзисторов попараметрам.После 1964 года маркировка проводилась по ГОСТ 10862 – 64, ГОСТ 10862 – 72, азатем по ОСТ 11.336.038 – 77, ОСТ 11.396.419 – 81.

Согласно ГОСТ 10862 – 64обозначения полупроводниковых приборов состоят из четырёх элементов.Первая буква или цифра показывает тип материала полупроводника.Вторая буква говорит о типе прибора, например, Т – транзистор.Далее следует комбинация из трёх или четырёх цифр. Первая цифра этойкомбинации определяет допустимую рассеиваемую мощность и граничную частотутранзистора в соответствии с таблицей 1.3.1.Таблица 1.3.1.

Определение допустимой рассеиваемой мощности и граничнойчастоты транзистора [15, стр. 31].P\f< 3 МГц НЧ 3 … 30 МГц СрЧ > 30 МГц ВЧ и СВЧМалой мощности < 0,3 Вт123Средней мощности0,3 … 3 Вт456Мощные > 3 Вт789Четвёртый элемент – буква указывает на модификацию прибора в серии.Если малые габаритные размеры приборов не позволяют использовать буквенноеили цифровое обозначение, то на корпус наносится цветная маркировка (точка илицветные полосы). Цветной код указывается в технических условиях насоответствующий прибор.Система обозначений транзисторов по системе JEDECЗа рубежом существуют различные системы обозначений полупроводниковых15Москатов Е.

А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruприборов. Наиболее распространённой является система обозначений JEDEC,принятая объединённым техническим советом по электронным приборам США. Поэтой системе приборы обозначаются маркировкой, в котором первая цифрасоответствует числу р-n переходов: 1 – диод; 2 – транзистор; 3 – тетрод (тиристор).За цифрой следуют буква N и серийный номер, который регистрируетсяассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA). За номером могутстоять одна или несколько букв, указывающих на разбивку приборов одного типана типономиналы по различным параметрам или характеристикам. Однако цифрысерийного номера не определяют тип исходного материала, частотный диапазон,мощность рассеяния или область применения.Система обозначений транзисторов по системе Pro ElectronВ Европе кроме JEDEC широко используется система, по которой обозначенияполупроводниковымприборамприсваиваютсяорганизациейAssociationInternational Pro Electron.