Установка реактивного ионного травления (Раздаточные материалы), страница 2

Установка "Эра3М" использовалась ния ±1% на подложке диаметром 150 мм представляется вполне допри изготовлении полевых СВЧтранзисторов (30–40 ГГц) на арсени статочным.Как уже отмечалось, установка проектировалась как универсальная.де галлия для получения в диэлектрическом покрытии окон сверхмалых размеров. В качестве покрытия использовался нитрид кремния. Поэтому кроме реактивного ионного травления на ней проводилиОкна формировались с помощью электроннолучевой литографии вы травление систем металлизации полупроводниковых приборов в сресокого разрешения и последующего травления в плазме фреона218 де аргона.

Травление шло исключительно за счет ионной бомбардипри давлении примерно 0,1 Па. Мощность обоих генераторов – под ровки пластины. Скорость травления золота составляла 0,2 мкм/мин.ключенных к излучателю источника плазмы и к столику – не превы В тех же условиях проводили травление материалов типа КРТ на подшала 150 Вт. Скорость травления нитрида кремния составляла ложке с маской на основе позитивного фоторезиста. Время травления0,14 мкм/мин. При этом скорость бокового травления была на два по на глубину 12 мкм составило 25 мин.

Хорошие результаты достигнутырядка меньше. Равномерность травления на пластине диаметром и при травлении пленок алюминия на пластинах из арсенида галлия.150 мм была не хуже ±3%. Ширина полученной "канавки" не превы При травлении через маску из резиста были получены линии субмишала 0,1 мкм при толщине диэлектрика 0,15 мкм (рис.3). При этом кронных размеров (0,5 мкм) и с вертикальными стенками. Особенноснизкая энергия ионов, бомбардирующих подложку (не более ти устройства позволяют проводить процесс травления алюминия с150–200 эВ), позволяла получать низкий уровень радиационных различными, в том числе и малыми, скоростями.

Это, в свою очередь,приводит к снижению тепловых нагрузок на фоторезистивную маску,повреждений арсенидгаллиевой подложки.благодаря чему на подложках с низкой теплопроводностью можноформировать рисунки с хорошим разрешением.В настоящее время установки "Эра3М" используются при серийном производстве полупроводниковых лазеров и светодиодов, обеспечивая хорошую воспроизводимость процессов травления гетероструктур и не вызывая радиационных повреждений приповерхностныхслоев полупроводника.ËÈÒÅÐÀÒÓÐÀÐèñ.3. Ìèêðîôîòîãðàôèÿ ïîëó÷åííîé íà óñòàíîâêå “Ýðà-3Ì”ñòðóêòóðûЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес 2/20031.

Плазменная технология в производстве СБИС/ Под ред. Н.Айнспрука и Д.Брауна/ Пер. с англ. под ред. Е.С.Машковой. – М.:Мир, 1987.– 470 с.2. Патент 2171555 РФ. Источник ионов высокой плотности/ Берлин Е.В. Приоритет от 06.03.00.3. Патент 5683539 США. Inductively Сoupled RF Plasma Reactorwith Floating Coil Antenna for Reduced Capacitive Coupling / XueYuQlan, Arthur H. Sato. Приоритет от 4.11.1997.5. Патент 5685941 США. Inductively Coupled Plasma Reactor withTop Electrode for Enhancing Plasma Ignition/ John Forster, BarueyM.Cohen, Bradley O.Stimson, George Preulx. 21.11.1995.6. Патент 5580385 США. Structure and Method for Incorporating anInductively Coupled Plasma Source in a Plasma Processing Chamber3 Ajil P.Paranjpe, Cecil J.

Davis, Robert T.Matthews.12.1994.56.