Реактивное ионо-плазменое травление и осаждение (Раздаточные материалы), страница 2

Селективность травленияполикристаллического кремния относительно термическогодиоксида кремния достигала 1:50. В рассматриваемом случаеисточником смещения подложки служил генератор с частотой13,56 МГц;· при ионном травлении материалов типа КРТ были полученывтрое большая скорость и хороший профиль травления по сравнению с ионно-лучевым травлением с помощью сеточного ионного источника Кауфмана.

Травление проводилось в среде аргона через маску позитивного фоторезиста. Время травленияна глубину 12 мкм не превышало 25 мин. Для подачисмещения на подложку использовался генератор низкой частоты (50 кГц);· при получении сверхмалых размеров в диэлектрических пленкахс помощью электронно-лучевой литографии и последующеготравления на установке во фторсодержащей плазме была получена "канавка" шириной 0,1 мкм в пленках (нитрид кремния, диоксид кремния) толщиной 0,25 мкм. При этом низкая энергия ионов, бомбардирующих подложку (не более 120 эВ), позволилаполучить низкий уровень радиационных повреждений материалаподложки (арсенида галлия);· при травлении алюминия через фоторезистную маску полученыдорожки с субмикронными размерами (0,5 мкм) и вертикальнойстенкой.79ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес 8/2005НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИДля избирательного травления различных материалов установкас рассмотренной антенной уже используется на ряде предприятий:заводах "Сапфир", "Орион", "Светлана", НИИ "Полюс" и др.2.

Pellet ie r J ., L agarde T ., Du rande t A. and Tyn elis-Die z K.Distributed ECR Plasma sources: Reactor scale-up and performance.–In: Microwave plasma and its applications. – Ed. byYury A. Lebedev.–Moscow: The Moscow Physical Society, 1995.3. Boswell R.W. Very efficient plasma generation by whistler waves nearlower hybrid frequency. – Plasma Phys. and Contr. Fusion, vol. 26, No. 10.4. Perry A.J ., Boswell R .W. Fast anisotropic etching of silicon in an inductively coupled plasma reactor. – Appl. Phys. Lett. 55(2), 10 July 1989.5. Берл ин Е .В., Двин ин С.А., Ми хее в В.В.

и др. Распределениеплотности плазмы в цилиндрической разрядной камере.–Вестник МГУ, 2004.6. Берл ин Е .В., Двин ин С.А., Ми хее в В.В. и др. Двумерные распределения плотности плазмы в газовом разряде низкого давления. – Физика плазмы, 2004, №12, c.1043–1051.7. Пат. №2171555 РФ. Источник ионов высокой плотности/Берлин Е.В. Приоритет от 06.03.00.ПРИМЕНЕНИЕ УСТАНОВКИ ДЛЯ ПЛАЗМЕННО-СТИМУЛИРОВАННОГО ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫВ настоящее время широкое применение в технологиях микроэлектроники находят процессы газофазного осаждения диэлектриков иполупроводников с применением плазменной стимуляции процессаосаждения (PCVD).

Этот процесс также проводился на установке"Каролина 15".Суть плазменной стимуляции процесса осаждения покрытий изгазовой фазы состоит в том, что плазма создает на поверхностиподложки условия, эквивалентные очень высокой температуре, атакже ускоряет процессы химического взаимодействия компонентовгазовой смеси на поверхности подложки. В силу высокой "энергетики" процесса плазменной стимуляции удается получать соединенияиз не взаимодействующих в нормальных условиях газовых компонентов, например моносилана и азота.Снижение рабочей температуры процесса вплоть до комнатной ивозможность использовать менее агрессивный газовый состав, например азот вместо аммиака при осаждении нитрида кремния,весьма положительно сказывается на сроке службы систем газонапуска и откачных средств.На установке "Каролина 15" применялся следующий режим плазменно-стимулированного осаждения слоев из газовой фазы:iВо всем мире происходит неизбежная трансформациярынка электроники, что характеризуется переходом многихпредприятий на модель контрактного производства.

Поэтомупроведение конференции, посвященной проблемам контрактного производства, стало событием своевременным.За два года, прошедших после первой конференции, рыноккачественно изменился: определились позиции и стратегияего участников, сформировались бизнес-альянсы. На второйконференции обсуждались новые возможности и проблемыконтрактного производства электроники, реализации новыхперспективных проектов, проходил обмен опытом с партнерами. Главными темами докладов стали: контрактное производство полного цикла серийной и массовой продукции,контрактное производство печатных плат в России и за рубежом, организация производственных альянсов.Интересный доклад, посвященный созданию бизнес-модели контрактного производства, представил сотрудникЗАО "Компэл" Б.

Рудяк. Он сообщил о географическом размещении современного производства, о прогнозах клиентов,которые были представлены российскими, украинскими и европейскими компаниями. Типичный портрет российского заказчика, по мнению выступавшего, – это небольшая компанияс заказом от 100 до 10 тыс.

единиц товара. Выпускаемая продукция, как правило, сложная, используемая в медицине,телекоммуникациях и т.д. Из-за большого числа новых компаний, создающих неизбежную конкуренцию, руководителиогромное внимание уделяют вопросам цены и снижения себестоимости продукции.Привлек внимание и доклад А. Смагина, представителяпроизводственного альянса "Контракт-Электроника".

В альянс входит более двадцати предприятий, занимающихся разработкой, программированием и серийным производствомэлектронной аппаратуры. Это позволяет работать с крупнымии мелкосерийными заказами на территории России и за еепределами.

Спектр предоставляемых компанией услуг в области контрактного производства достаточно широк – дизайн, комплектация, изготовление печатных плат, монтажноепроизводство, корпусирование, испытание и тестирование.Заинтересовала участников работа ООО "Фаствел". Руководство этой компании успешно решило проблему контрактного производства передних панелей и шильдиков на современном и качественном уровне при отсутствии контрагентовпо данным направлениям. Компания создала участки по производству этой продукции, приобрела специальное оборудование, отработала технологии, организовала обучениесотрудников. У ООО "Фаствел" большие перспективы как вРоссии, так и за рубежом.

В следующем году компания планирует в несколько раз увеличить свое присутствие на рынкеконтрактной сборки.Конференция сопровождалась выставкой и презентациейконтрактных производителей и заказчиков.Рабочее давление смеси газов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. 0,2 ПаРасход кислорода или азота . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,1 ВтНачальная температура подложек . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°СВЧ-мощность на антенне . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . 300 ВтВ указанном режиме на установке были отработаны следующиетехнологические процессы нанесения покрытий:· осаждение диоксида кремния в смеси моносилана с кислородомна кремниевые и сапфировые подложки при температуре процесса не выше 200°С со скоростью до 3 нм/с;· осаждение диоксида кремния в смеси гексометилдисилоксанас кислородом. Осаждение производилось на сапфировые подложки со скоростью 1 нм/с.

Толщина слоев составляла 0,4–0,5 мкм.Слои соответствовали всем требованиям оптических покрытийиз этого материала (коэффициент преломления 1,47 и прозрачность 99% в оптическом диапазоне);· осаждение стехиометрического и нестехиометрического нитридакремния из смеси моносилана с азотом на полиимидный лак, покрывающий кремниевую подложку, с температурой подложки невыше 150°С;· показана возможность планаризации рельефа подложки при осаждении диэлектрика с одновременным его травлением.Равномерность по толщине осаждаемых слоев на подложке диаметром 150 мм была не хуже ±3%.Опытная эксплуатация установок "Каролина 15" для плазменностимулированного осаждения слоев из газовой фазы показала высокую воспроизводимость параметров процесса – скорости нанесения,равномерности и качества наносимых покрытий, что делает подобныйпроцесс перспективным для массового применения в технологияхпроизводства полупроводниковых приборов и многоуровневых ГИС.ЛИТЕРАТУРА1.

Дан или н Б. С., Сы рчин В.К. Устройства со скрещенными полями и перспективы их использования в технологии микроэлектроники. Вып.2 (1619).– М.: ЦНИИ "Электроника", 1991.ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес 8/2005Вторая Всероссийская конференция"Контрактное производствоэлектроники в России"80.