2 лист (Технология литографии субмикронной точности)
Описание файла
Файл "2 лист" внутри архива находится в папке "пдф". PDF-файл из архива "Технология литографии субмикронной точности", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электронные технологии (мт-11)" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "элионные технологии или тио" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
ЛитографияФотолитографияПроекционнаяКонтактнаяСхема операции совмещения (а) и экспонирования (б), фигуры совмещения (в):1 – микроскоп; 2 – источник света; 3 – объектив; 4 – фотошаблон; 5 – зазор; 6 –фоторезист; 7 – экспонируемая пластина; 8 – фигуры совмещения на пластине;9 – фигуры совмещения на фотошаблонеТри основных спектральных диапозонаДальний УФ от 100до 200-300 нмСредний УФ300-360 нмБлижний УФ от360-450 нмИонная литографияЭлектронолитографияЭлектронолитография представляет собой современныйвысокоразрешающий метод создания топологии микроструктур сиспользованием электронных пучков в качестве источникаизлучения.Ионная литография представляет собой современныйвысокоразрешающий метод создания топологии микроструктурс использованием ионных или протонных пучков излучения.Схема воспроизведения изображенияметодом проекционнойфотолитографии:а – с негативным фоторезистом; б – спозитивным фоторезистом; 1 –фоторезист;2 – подложка; 3 – фотошаблонРентгенолитографияТип литографииџ Большая глубина фокусаџ большой потенциалРентгеновскаяСхема установки рентгеновскойлитографииНедостаткиДостоинстваполучения высокихразрешенийџ малая чувствительностьк разрешениямџ источники излученияџ сложная технология изготовленияшаблонов в реальных размерахизделияџ специальные резистыџ совмещение технологическихслоевџ сложная технология изготовленияГеометрические искажения всистеме рентгеновскогоэкспонированияСхема источника синхротронногоизлучения: L–линейныйускоритель; B–бустерныйсинхротрон; C накопительноекольцо; М-поворотные магниты; R– каналы синхротронногоизлучения; J – место соединениябустерного синхротрона снакопительным кольцом.Схематическое изображениерентгеновской трубки.
X —рентгеновские лучи, K — катод, А —анод (иногда называемыйантикатодом), С — теплоотвод, Uh —напряжение накала катода, Ua —ускоряющее напряжение, Win — впускводяного охлаждения, Wout — выпускводяного охлаждения.ЭлектроннолучеваяИонно-лучеваяџџџџдоступные источники излучениябольшая глубина фокусабольшой потенциалполучения высокихразрешенийџ большая глубина фокусаџ большой потенциалФ.И.О.ВыполнилаКуликова Л.АПроверилКаменихин А.Тполучения высокихразрешенийџџџџшаблоновмалая производительность системс последовательной прорисовкойизображенияэффект близостирадиационные поврежденияэффект накопления зарядаџ ионные источники достаточнойинтенсивностиџ ионно-лучевая оптикаџ эффект накопления заряда вподложкеПодписьДата.