Kazarinov 1 (Раздаточный материал), страница 12

Максимальная велнчина 1, соответствует нижнему положению движка потенциометра ()г'„'а =1хгкг) Величину емкости С, выбирают так, чтобы фронт бфг не превышал заданной величины и одновременно выполнялось условие [13! та 05 С,=35п— = — ' ~к кг 1агк кг ' (2.36) Минимальная длительность импульса ждущего мультивибрагора составляет (18! 5ч — 8 1и пип = (30 —: 50) 'г„=- — ' а— (2.3?) Пример. Исходные данные: амплитуда выходного импульса (1 -=. 1О В, отрицательной полярности; период следования входных импульсов Т вЂ”.200 мкс; длительность выходного импульса ПЕрЕМЕННая Гк М вЂ” --20 МКС; ги „=60 МКС; дОПуСтИМая тЕМПЕра- и гпах гурная нестабильность — ~ 15% в диапазоне температур и игах 1 ы= 20' С, 1„,х = 60' С; длительность положительного фронта импульса (фа'~1 мкс; сопротивление нагрузки !як=5 кОм.

Определение параметров схемы 1, Коллекторное напряжение Е„=!,2У =1,2 10=12 В. 2. Тип транзистора определяют в соответствии с (2.34) и (2.37): (укб аоп ге 2Е„= 2. 12 =24 В; — — —,=0,5 мГц; 0,5 0,5 'ф' 8 8 !а 1 20 10 а= — 0,4 мГц. и гкап Выбираем бездрейфовый германиевый транзистор МП2!В с параметрами; (l,б„в=40 В; !',=1,5 мГц; р=20-4-100; С„=- == 30 пФ; 1к„п=-50 мЛ; 1к„ы=50 мкА (при 1 в=20'С); 1ап пгах=300 мкА (пРи Гигах =60 С ) 88 Для уменьшения времени восстановления схемы применяются такие же методы, как и для автоколебательного мультивибратора. Длительности положительных фронтов импульсов коллектор- ного напряжения определяют приближенно (18, 39! О,З вЂ”: 0,5 1ф ~', г — (2 —: 3) т, = *' (2.34) 1п Длительность отрицательного фронта импульса коллекторного 1апРЯжениЯ тРанзистоРа Тг бфз = зс, ЕЛ"'-~' .

(2.35) «вт х 3. В еличина коллекторного сопротивления должна удовлетворять условиям (2.9), (2.21) н (2.22): Ек 12 к хоп 50 Ю 3 0,0517 0,05 10 Тхз„- 0,2!х,=0,2 5 10а=1 кОм. Выбираем )гк,=)хна =1 кОм. 4. Величину базового сопротивления )г при Р ы=20 и з=2 определяем по (2.2) 7(= — !хкз=- 1 10'=10 кОм, Выбираем 7хз = 10 кОм. 5.

Времязадающая емкость С для максимальной длительности импульса в соответствии с (2.28) гикпах С= 07Д =07 Ю 1ов =8600 пФ. Выбираем С-9000 пФ. 6. Н '. Напряжение источника базового смещения Ер по (2.26) Ез =0 15Е =0 15' 12 = 1 8 В. Выбираем Е,=2 В. 7. Величина сопротивления )гз в соответствии с (2.25) Ев 2 йз ~ — =, = 6,6 кОИ.

ЗОО, 1О Берем )гз = 5,6 кОм. 8. Сопротивление 7х', в соответствии с (2.30) 61 пап 20 1+ з 1 пап к 1+ 12 5,6 1Оз Выбираем )г, = 10 кОм. 9. Время восстановления (, по формулам (2.32), (2.33) 1в 4,6С)хан=4,6 9 10-' 1 10' 41„к,(Т вЂ” (итв . 10. Емкость Сз согласно (2.36) 0,5 0,5 11. Д . Длительность отрицательного фронта импульса коллектор- ного напряжения транзистора Тв определяем по (2.35) 3С !к~вяз Фв з1з 1!э — 1. Юз.) 1О, 1Оз 12. Длительности положительных фронтов импульсов коллек- торного напряжения определяют в соответствии с (2.34) 0,5 0,5 ' з =--' — = — — ' — „=0,33 мкс. 13. Амплитуда выходного импульса (7 .„, определяется в соот- ветствии с (2.31) Бк11з 12 1О 10з 17, + 17„ 1О !Оз + ! 1О' 14. Температурная нестабильность схемы определяется в соответствии с (2.23) 7 „й 50 10 ' 1О 1О' 7 Я 300.

10 э 10. 10з Ек 12 и азах 1и — к 1и —, 1+вк 1+0,2п Ризах н пах 4 2.$. ЖДУЩИЙ 54УЛЬТИВИБРАТОР С ЭМИТТЕРИОЙ СВЯЗЫ ~~аз Папках =Ек Ь~этэв и э ив= кя зч 7зэ' При поступлении запускающего импульса в момент времени 1=!в происходит опрокидывание схемы, в результате которого Та закрывается, а Т, открывается и переводится в режим насыщения. При этом напряжение на базе Тз изменится скачком от значения арз до величины аа (1в) 77кз И к~ Бк ивв ((з) = Е ' — ~! — — ) )гкв Мультпаибратор с эмиттерпой связью чаще применяется как ждущий генератор импульсов прямоугольной формы с псременпой длительностью (рис. 2.8, а). Плавное изменение длительности импульсов осуществляется с помощью потенциометра 74„,.

Запуск схемы производится импульсами положительной полярности, поступающими на коллектор транзистора Т,. Принцип работы схемы иллюстрируется временными диаграммами напряжений (рис. 2.8, б). В исходном состоянии транзистор Т, закрыт, а транзистор Т, открыт и находится в режиме насыщения, что достигается выбором сопротивлений К„)хз и )х',. Конденсатор С заряжен до напряже- НИЯ Папках 54 3 п1р. Казаринпвв.

65 В наступившем квазпустойчивом состоянии равновесия происходит разряд конденсатора С частью коллекторпого тока транзистора Т„ протекающего через сопротивление Я, источник напряжения Ек н сопротивление )7,. При этом напряжение на базе ие, уменьшается по экспоненциальиому закону соответственно с разрядом конденсатора С. При снижении потенциала базы до нулевого значения Т,, закрывается, а Т„ открывается и начинается стадия восстановления схемы. В этой стадии конденсатор С заряжается от источника пах пряжения Ек через сопротивления А'„)7.'! и промежуток база-эмиттср транзистора Тв После окончания заряда кон- .!1. денсатора в схеме восстапавливается начальное устойчивое состояние равновесия и мульти- вибратор готов к очередному запуску. При выборе параметроя схемы необходимо обеспечить правильный режим работы мультивибратора как в исходном, так и в квазиустойчивом состояниях во всем диапазоне изменения температур. Условие насыщения транзис- тора Т, в исходном состоянии Решая совместно неравенства (2,39) и (2.40) при минимальном значении р !„, получим )7 ()!т!и ( кт )'кт) (2.41) ге ()! пэ!о~ко! тпкх ' ж(Р к+.Рэ) — Е (2.42) Амплитуда импульса на коллекторе выходного транзистора Т, и., = ń—: —.

(2.43) Амплитуда импульса на эмнттерном сопротивлении ~.'тэ =()кв — 7кт))7э (2.44) Длительность импульса, генерируемого мультивибратором, аРк! 1 Рэт — + гьР— +т Т Ркт+Р~ Ркэт э — — — — +к кт Ркт+Рэ Д а ежного управления транзистором Т, перепад напряжения па эмиттере ()„„рекомендуется выбирать не менее (, 1,5 —: .— 2,5) В.

Для создания такого перепада эмиттерпый ток транзистора, должен Т,, ен бьть в несколько раз больше эмиттерного тока транзистора ора Т . Поэтому колаекторное сопротивление Р,д выбирают из соотношения Ик, =- (2 —: — 3) т(кз где (2.38) Рк! а= —, Ркт ' )«ээР Ек Условие запирания транзистора Т, в исходном состоянии Рис. 2.8. Схема ждущего мулыввибратора с змиттериой связью (а) и времеииые диаграммы (б) (2. 46) выражения (2.47) (2.48) (2.49) 67 (2.40) 66 Е Р,+Р,+ РтРэ Рэ + Р +Р эквттпахпЕкР ( Р (2.39) Условие насыщения транзистора Т, в состоянии квазиустойчивого равновесия Ек — — Ек— Рэ Рт+Рэ Ркт+Рэ - Ек Рэй = (Рктй Р„) Р!эп!п Рт+Рэ При а=1 длительность импульса максимальна и равна — + — "' +т Р,э+~, Р„+Рэ („к„= КС!и —" в — +к Р,!+Рэ (к = РС++ ~~ (Р .

+ Р )1 Ркэ (Р,! -1 Рзэ)) пэ тэ тэ При выполнении -неравенств Ркт .и сэ н кэ ~~ "э (2.46) и (2.47) приводятся к виду (и = РС )п (а+ 1), (ппэкх = ЙС 1п 2 0,7ЙС. й(инимально достижимая длительность импульса [181 (и по оп — (20 —: 40) тп — — — ' 3-ь6 !и В реми восстановления схемы определяется временем заряда конденсатора С: Го =4 6С()хкз+тззз) ~ Т вЂ” (ктзхо (2.5!) (2.50) где Т вЂ” период запускающих импульсов. Длительности фронтов импульсов коллекторного напряжения 0,3 -ь 0,5 (2.52) з'п Существенным недостатком мультнвибрагора с эмиттерн св явью является большое время восстановления схемы.

Для сокраз ттерной щения этого времени нужно применять схемы с ЭП или с фиксацией коллекторных потенциалов. Пример. Исходные данные: амплитуда выходного импульса отрицательной полярности У„з ==-.8 В; период следования запускающих импульсов Т=!000 мкс; длителыюсть выходного имп льса ппозоо = 1 мксо оопозх х50 мкс; дхопусти1озая иестаднльность длительности импульса А1,,„!!и „~!Озхз в диапазоне температур з ы= — 20 С, т з„=40'С; длительность фронтов импульса коллекторного напряжения (ф -1 мкс; сопротивление нагрузки !7п=-10 кОМ. Определяем параметры схемы.

1. Коллекторпое напряжение Ек=(1,2 —:1,4) У . Выбираем Ек=-12 В. 2. Тип транзистора находим в соответствии с (2.50) и (2.52): икб„,„- 2Е„=2 12=24 В; кш!и 0,5 0,5 7'и==-з- = — ' — =0,5 МГц. 1с 1, 10-з Выбираем бездрейфовый германиевый транзистор й(П40А с параметрами: У„бк„,=30 В; 7„= — 1 МГц; 1)=-20 —: — 40; Ук„к=20 А; 7кзпооп '= 15 мкА (прн !ппп = 20 С)1 1кппззх = 60 мкА (при ! „= 40' С). 3. Величина сопротивления 77кз в соответствии с (2.9) и (2.22): Ек 12 77кз 7 —— 20 10, — — 600 Ом; к хпп )х„=0,1)с„=0,1 10=1 кОМ. Выбираем Р„з=820 Ом.