Отзыв на автореферат_Центр Келдыша (Разработка конструкторско-технологических методов и средств повышения надёжности смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов)

МГТУ им. Н. Э. Баумана Ученому секретарю диссертационного совета Д 212.141.18 доктору технических наук, профессору 1О.Б, Цветкову 2-я Бауманская ул.„д. 5, стр. 1 г. Москва, 105005 2а. Окссасксак а, 8, с. Миекии. Висскк, 128438 тасс: ~4»й) 486 46 68 Факс: ~498~ 488 82 28 касса с~ась.и1ик.си касса'сии1сис.сн к~ ж ие1 слйья.ся Ци са Приложение: Отзыв на 2 л. в 2 экз. Ученый секретарь, кандидат военных наук ..; '~. -с-'фф'.

10Л. Смирнов Направляю отзыв на автореферат диссертации Макеева Мстислава Олеговича на тему: «Разработка конструкторско-технологических методов и средств повышения надежности смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.11.14 — «Технология приборостроения», 05.27.06 — «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники».

ОТЗЫВ на автореферат диссертации Макеева Мстислава Олеговича на тему: «Разработка конструкторско-технологических методов и средств повышения надежности смесителей радиосигналов на основе резонансно- ту ннельных диодов>), представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.11.14 — Технология приборостроения, 05,27,06 — Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.

Диссертационная работа посвящена актуальной проблеме создания приборов, способных функционировать в терагерцовом частотном диапазоне, а именно резонансно-туннельных диодов на основе наноразмерных гетероструктур с поперечным токопереносом. Сверхмалые размеры элементов приводят к заметной деградации характеристик устройств вследствие даже относительно незначительных диффузионных явлений.

Выполнен полный цикл исследований, включающий выявление основных причин деградации, изучение закономерностей возникновения отказов, создание диагностических систем и методов ускоренных испытаний и, наконец, разработку конструктивных и технологических методов и средств повыцзения надежности устройств. Автором установлено, что причина деградации — диффузия в туннельных структурах и омических контактах. Основной инструмент изучения диффузии— анализ профилей распределения частиц и вольт-амперных характеристик— позволяет достоверно установить связь между деградацией, с одной стороны, и конструкцией и технологией изготовления омических контактов и наноразмерных гетеростурктур, с дру~ой стороны.

Данная связь позволяет разработать методику технической диагностики и прогнозирования надежности резонансно-туннельных диодов. В основе методики лежат математические модели деградационных процессов в гетероструктурах и контактах в зависимости от времени, температуры, конструкции, технологии изготовления. Для их создания проведено большое количество экспериментальных исследований по изготовлению конструкций гетероструктур и контактов по различным технологиям и определению их вольт-амперных характеристик. Модели дают возможность оптимизировать устройства как в части конструкций, так и по технологии, прогнозировать изменение характеристик во времени и, как следствие, оценить ресурс и надежность устройств.

В этом состоит практическая ценность работы. Ее результаты представляют интерес для специалистов в области СВЧ-приборостроения, радиоэлектроники. По работе можно сделать следующее замечание. Из представленной в автореферате информации трудно понять, как с помощью метода инфракрасной спектральной эллипсометрии определяется профиль распределения кремния в многослойных гетероструктурах с толщиной отдельных слоев от 1,5 нм до 100 нм. Уместным представляется рекомендация по измерению профиля еще одним технических наук. Начальник отдела нанотехнологий ГНЦ ФГУП «Центр Келдыша», канд.

физ.-мат. наук Р.Н. Ризаханов Подпись Р.Н. Ризаханова удостоверяю У тены й секретарь ~,:-:,;:;" ' рНц ФруП еценр',Кекнышасьт '."ь канн. анен. наук 1.:*.:'.: '.':,: к.-Л",,: '" Р,' Ю.Л. Смирнов независимым методом, например, электронно-оптическим картированием микрошлифов. Указанное замечание не влияет на общую, в целом, положительную оценку работы. Решена задача разработки методов диагностики качества полупроводниковых устройств терагерцового диапазона частоты, способствующих конструкторско-технологической оптимизации. Диссертационная работа удовлетворяет требованиям ВАК, а ее автор, Макеев Мстислав Олегович, заслуживает присуждения ученой степени кандидата .