Отзыв на автореферат_Светлана (Разработка конструкторско-технологических методов и средств повышения надёжности смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов)

194! 56, Санкт-! !етербурп пр. Энгельса. 27 теп.:(е12) 554 0370 Факс:!1112) 293 7001 Е-тпа)1: ааес)апа(стас с11апа)ас.та астап.аке!)апа)ас.се1п Московский государственный технический университет им Н.Э. Баумана диссертационный совет Д.2М2.'141. 18 Москва,105005, 2 — я Бауманская ул., 5 ОТЗЫВ на автореферат диссертации Макеева Мстислава Олеговича «Разработка конструкторско-технологических методов и средств повышения надежности смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальностям 05.11.14 — «Технология приборостроения» и 05.27.0б — «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники» В современной радиоэлектронной аппаратуре миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов волн улучшение эксплуатационных параметров и расширение функциональных возможностей может быть достигнуто путем использования элементной базы, функционирующей на основе квантоворазмерных эффектов, в частности, резонансно-туннельных диодов (РТД).

Особенно актуальна такая задача для смесителей радиосигналов, которые устанавливаются сразу после приемной антенны и, следовательно, влияют на характеристики приемника в целом. Применение такой элементной базы позволяет уменьшить нелинейные искажения сигналов, увеличить рабочие частоты, расширить динамический диапазон приемника.

При этом вопрос влияния деградационных процессов на характеристики смесителей радиосигналов на основе резонансно- туннельного диода на базе многослойных гетероструктур мало изучен, Для освоения новых изделий в производстве предприятия радиоэлектронной промышленности должны осуществить соответствующую подготовку конструкторской и технологической базы. Такая подготовка требует больших материальных и временных затрат, высокой квалификации специалистов. Поэтому задачи обеспечения корректности конструкторско- технологических решений устройств на новом типе полупроводниковых приборов и предварительная оценка их надежности являются особенно актуальными.

Автором разработана математическая модель деградации РТД, включающая как модель деградации полупроводниковой гетероструктуры, так и модель деградации омических контактов. Установлена причинноследственная связь механизма деградации с конкретными рабочими параметрами устройства: потерями преобразования и динамическим диапазоном смесителя.

Предложенная методика прогнозирования надежности позволяет по выбранным критериям отказа устройства определять конструкторско-технологические характеристики гетероструктуры и омических контактов с целью обеспечения требуемой надежности. Таким образом, разработчику смесителя на РТД и технологу предложен подход (с использованием разработанного автором программно- расчетного комплекса ЙГ2КТ1Э) к проектированию смесителя радиоприемника с заданным уровнем надежности путем выбора параметров гетероструктуры и омических контактов диода. Особенно стоит отметить то, что разработанная технологическая операция селекции смесительных А1Аз/баАз РТД с использованием метода ускоренного старения полупроводниковых устройств позволяет предварительно проводить отбор устройств для РЭС посредством оценки индивидуальной надежности каждого изделия.

Определенным недостатком диссертационного исследования явилось то, что в качестве критерия отказов не рассмотрен уровень шума смесителя, поскольку он определяет чувствительность супергетеродинных приемников без входного малошумящего усилителя. Было бы нелишним исследовать конструкции смесителей с фазовым подавлением зеркального канала, которые в силу особенностей схемного построения обладают существенно лучшими характеристиками, чем балансные смесители.

Указанные замечания не снижают общей ценности диссертационной работы. В целом работа удовлетворяет требованиям ВАК, а ее автор Макеев М.О. заслуживает присуждения степени кандидата технических наук по специальностям 05.11.14 — «Технология приборостроения» и 05.27.06— «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники». Заместитель генерального директора откры гого акционерного общества «Светлана» по научно-техническому развитию, к.т.н. Адрес: 194156, Санкт-Петербург,,; = пр. Энгельса, д. 27 Тел.: 8 (812) 777-64-08 ета11: $ Клевцов В.А. .