Сведения об официальном оппоненте 1 (Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов)
Описание файла
Файл "Сведения об официальном оппоненте 1" внутри архива находится в следующих папках: Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов, Документы. PDF-файл из архива "Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Сведения об официальном оппонентеФИО оппонентаШерченков Алексей АнатольевичУченая степень и наименованияотрасли науки, научныхспециальностей, по которым имзащищена диссертациядоктор технических наук по специальности05.27.06 – Технология и оборудование дляпроизводства полупроводников, материалови приборов электронной техникиПолное наименование организации,являющейся основным местом работыоппонента на момент представления имотзываФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»Должность, занимаемая им в этойорганизациипрофессор кафедры «Материалы функциональной электроники»Список основных публикаций оппонента в рецензируемых научных изданияхпо теме диссертации за последние 5 лет1.
Kozyukhin S.A., Sherchenkov А.А., Gorschkova E.V., Kudoyarova В.Кh., Vargunin A.L.Thermal effects in Ge-Sb-Te phase-change memory materials during multiple thermalcycling // Phys. Status Solidi С. 2010. Vol. 7. No. 3-4. Р. 848- 851.2. Козюхин С.А., Шерченков А.А., Новоторцев В.М., Тимошенков С.П. Материалы фазовой памяти на основе сложных халькогенидов и их применение в устройствахоперативной памяти // Российские нанотехнологии. 2011. Т.
6. № 3-4. С. 50-58.3. Lazarenko Р., Nguyen Н.Р., Kozyukhin S., Sherchenkov А. Influence of Bi doping onelectrical and optical properties of phase change material Ge2Sb2Te5 // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2011. Vol. 13. No. 11-12. Р. 1400-1404.4. Sherchenkov А., Kozyukhin S., Bablch А., Lazarenko Р. Thermal properties of phasechange materia1 Ge2Sb2Te5 doped with Bi // J. Non-Cryst. Solids. 2013. Vol. 377. Р. 2629.5. Timoshenkov S.P., Sherchenkov А.А., Nalsky А.А., Revina А.А. Current source based onphotoelectric effect with enhanced efficiency // Solid State Phenomena.
2014. Vol. 213.Р. 192-199.6. Sherchenkov А., Kozyukhin S., Babich А. Estimation of kinetic parameters for the phasechange memory materials bу DSC measurements // J. Therm. Anal. Calorim. 2014.Vol. 117. Iss. 3. Р. 1509-1516.7. Kozyukhin S., Sherchenkov А., Babich А., Lazarenko Р., Nguyen Н.Р., Prikhodko О. Peculiarities of Bi Doping of Ge-Sb-Te Thin Films for РСМ Devices // Canadian Journal ofPhysics. 2014. Vol. 92.
No. 7/8. Р. 684-689.8. Lazarenko P.l., Sherchenkov А.А., Kozyukhin S.S., Shtem М.У., Timoshenkov S.P.,Gromov D.G., Redichev E.N. lnvestigation of transport mechanisms in Bi dopedGe2Sb2Те5 thin films for phase change memory application // Proc. of SPIE. 2014.Vol. 9440. Р. 944006 (1-9).9. Sherchenkov А.А., Kozyukhin S.A., Babich A.V., Shtem Y.l., Mironov R.E. Influence ofdoping on the crystallization kinetics of Ge-Sb-Те thin films for phase-change memoryapplication // Proc. SPIE.
2014. Vol. 9440. Р. 944005 (1-10).10. Шерченков А.А., Штерн Ю.И., Миронов Р.Е., Штерн М.Ю., Рогачев М.С. Современное состояние термоэлектрического материаловедения и поиск новых эффективных материалов // Российские нанотехнологии. 2015. Т. 10. № 11-12. С. 22- 32.11. Yakubov А.О., Terekhov D.Y., Sherchenkov А.А., Kozyuhhin S.A., Lazarenko P.l., Babich A.V., Timoshenkov S.P., Gromo D.G., Shuliatyev A.S. Electrophysical properties ofphase change memory materials on the pseudo-binary line GeTe-Sb2Te3 // Journal ofPhysics: Conference Series. 2015. Vol. 643. Р. 012104.12. Lazarenko Р., Sherchenkov А., Kozyukhin S., Babich А., Timoshenkov S., Shuliatyev А.,Kudoyarova V.
Electrical properties and transport mechanisms in Ge-Sb-Te thin films// Journal of Optoelectonics and Advanced Materials. 2016. Vol. 18, Iss. 1- 2. Р. 50-55.13. Sherchenkov А., Kozyukhin S., Lazarenko Р., Babich А., Timoshenkov S., Gromov D.,Yakubov А., Terekhov D. Influence of Ti doping on the properties of Ge-Sb-Те thin filmsfor phase change memory // Solid State Phenomena. 2016. Vol. 247.
Р. 30- 38.14. Kozyukhin S., Vorobyov Yu., Sherchenkov А., Babich А., Vishnyakov N., Boytsova О.Isothermal crystallization of Ge2Sb2Те5 amorphous thin films and estimation of information reliability of РСМ cells // Physica Status Solidi А. Article first published online:29 МАR 2016. DOI: 10.1 002/pssa.20 1532930..
