Сведения о ведущей организации (Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов)
Описание файла
Файл "Сведения о ведущей организации" внутри архива находится в следующих папках: Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов, Документы. PDF-файл из архива "Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Сведения о ведущей организацииПолное наименование организацииЛаборатория Космического материаловедения ИК РАН – филиал Федерального государственного учреждения «Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академиинаукСокращенное наименование организацииЛКМ ИК РАН – филиал ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАНМесто нахожденияг. КалугаПочтовый адрес248640, Россия, Калуга, ул.
Академическая,дом 8Телефон, адрес электронной почты, сайтт. 8 (4842) 76-27-67,e-mail: kmikran@spark-mail.ru,http://www.crys.ras.ruСписок публикаций работников по теме диссертацииза последние 5 лет1. Михеев Н. Н., Никифорова Н. А., Ганчев А. С. Латеральное распределение потерьэнергии пучка электронов в веществе при нормальном падении заряженных частицна поверхность образца // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015. № 9.
С. 64.2. Никифорова Н.А., Степович М.А., Михеев Н. Н. Измерение диффузионной длины ивремени жизни свободных экситонов в нитриде галлия катодолюминесцентным методом при различных условиях возбуждения люминесценции // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.
2015. № 8. С. 84.3. Михеев Н.Н., Степович М.А., Широкова Е.В., Филиппов М.Н. Методика количественного рентгеноспектрального микроанализа с учетом матричных эффектов// Перспективные материалы. 2014. № 2. С. 77-81.4. Михеев Н.Н. Решение прямой задачи количественного рентгеноспектрального микроанализа для бинарных сплавов известного состава // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.
2014. № 9. С. 66.5. Заблоцкий А.В. , Кузин А.Ю. , Михеев Н.Н., Степович М.А., Тодуа П.А. , ШироковаЕ.В., Филиппов М.Н. Учет матричных эффектов при измерениях методом рентгеноспектрального микроанализа // Измерительная техника. 2013. № 7. С. 58-61.6. Заблоцкий А.В., Кузин А.Ю., Михеев Н.Н., Никифорова Н.А., Степович М.А., Тодуа П.А., Филиппов М.Н. Модель квадратичной рекомбинации неосновных носителей заряда в прямозонных полупроводниках для катодолюминесцентной идентификации электрофизических параметров // Нано- и микросистемная техника. 2013.№ 6. С.
10-12.7. Никифорова Н.А., Поляков А.Н., Михеев Н.Н., Степович М.А. О выборе начальногоприближения в методе конфлюентного анализа для катодолюминесцентной идентификации параметров прямозонных полупроводниковых материалов при квадратичной рекомбинации неосновных носителей заряда // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013.
№ 11. С. 60.8. Михеев Н.Н., Степович М.А., Широкова Е.В. Распределение средних потерь энергии пучка электронов по глубине образца: применение в задачах количественногорентгеноспектрального микроанализа // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013. № 12. С. 84.9. Gagarin Yu.E., Мikheev N.N., Nikiforova N.A., Stepovich М.А.
Some features of estimation of the diffusion length of minority carriers in cathodoluminescence microscopy // Pro-ceedings of the International Conference on Advanced Optoelectronics and Lasers,CAOL. 2013. P. 344-345.10. Михеев Н.Н., Степович М. А., Широкова Е.В. Учет матричных эффектов при локальном электронно-зондовом анализе с использованием новой модели функциираспределения по глубине рентгеновского характеристического излучения // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2012.
Т. 76. № 9. С. 1086.11. Михеев Н.Н., Степович М.А., Широкова Е.В. Новый способ расчета матричных поправок в рентгеноспектральном микроанализе // Прикладная физика. 2012. № 2.С. 31-35.12. Chibiryaev А.М., Kozhevnikov I.V., Martyanov O.N. High-temperature reaction of SIO2with methanol: nucleophilic assistance of some n-unsubstituted benzazoles // AppliedCatalysis А: General. 2013. V. 456. P.
159-167.13. Filatova Е.О., Sokolov А.А., Yegorova Y.V., Konashuk A.S., Vilkov О.Y., Shulakov A.S.,Kozhevnikov I.V., Schaefers F., Gorgoi М. X-ray and photoelectron spectroscopic nondestructive methods for thin films and interfaces study application to SRTIO3 based heterostuctures // Microelectronic Engineering. 2013. V. 109.
P. 13-16.14. Filatova Е.О., Sokolov А.А., Kozhevnikov I.V. Characterization of high-k dielectric internalstructure bу x-ray spectroscopy and reflectometry: new approaches to interlayer identification and analysis // High-k gate dielectrics for CMOS technology / Ed. bу Gang Не andZhaoqi Sun. Weinheim, 2012. Р. 225-271..
