Отзыв официального оппонента 1 (Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов), страница 2

Этот эффект объясняется запечиваннем дефектов в подзатворном диэлектрике за счет накопления в нем отрицательного заряда и, как следствие, повышения барьера н уменьшения величины локальных инжекционных токов, В четвертей главе представлены результаты исследования зарядовых явлений в тонких диэлектрических пленках элементов энергонезависимой памяти, сформированных на основе диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью ~НЮь НГцзА1аяО„, диэлектрического стека НКояАЦ,за/АЬОз/Н1о,вА!о гОх). Проанализированы различные способы формирования диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью на основе оксида гафния и их влияние на плотность и энергетическое распределение электронных ловушек в диэлектрической пленке, Исследование МДП-структур на основе диэлектрических пленок %02-НГ«дА1«зО„ показало, что энергетическое распределение электронов, захватываемых в Н1о„«А1«зО„, лежит в диапазоне 1,5 —: 3,5 эВ и на основе таких структур могут создаваться элементы флэш-памяти.

Анализ энергетического распределения электронов в межзатворном диэлектрике на основе алюмнната гафния в элементах энергонезависимой памяти с ЗЛ2Ч„и %/Ки гибридными плавающими затворами позволил определить, что оба типа образцов имеют близкую энерппо фотоионизации, явную -2,8 эВ. Эта энергия сопоставима с величиной энергетического барьера между уровнем Ферми металла в гибридном плавакицем затворе (Т~М„или йп) и дном зоны проводимости НГо,»А1«зО,. В заключении сформулированы основные результаты работы, которые явлшотся новыми и имеют высокую научную н практическую ценность.

Степень завершенности диссертации Все поставленные в диссертации Андреева Д.В цели и задачи выполнены в полном обьеме. Диссертация представляет собой завершенную научно-исследовательскую работу, содержащую новые теоретические и экспериментальные результаты, а также рекомендации„имеющие важное практическое значение. Использование результатов диссертационной работы Разработанный метод стрессовых и измерительных уровней тока используется в производственном процессе на АО «Восход» - Калужский радиоламповый завод и АО «ОКБ Микроэлектроники» и применяется для контроля параметров подзатворного дизлектри»з КМДП интегральных микросхем. На основании проведенных исследований предложены рекомендации по совершенствованию технологического процесса формирования подзатворного диэлектрика КМДП интегральных микросхем на АО «Восход» вЂ” Калужский ралиоламповый завод и АО «ОКБ Микроэлектроники» (г.

Калуга). Основные научные результаты диссертационной работы могут быть рекомендованы к использованию в производстве интегральных микросхем н энергонезависимой памяти, научных и учебных организациях, занимающихся синтезом и диагностикой материалов, микро- н наноструктур электронной техники и подготовкой высококвалифшшрованных кадров для данной области науки и техники. Соответствие автореферата основным идеям н выводам диссертации В автореферате правильно отражено содержание диссертации, кратко изложены все основные результаты диссертационной работы. Выводы, представленные в автореферате, без расхождения согласуются с выводами в диссертации.

Публикация основных результатов. Основные результаты опубликованы в 35 научных работах, из которых 9 — в реферируемых отечественных и зарубежных журналах, входацих в перечень ВАК Минобрнауки РФ, доложены на Всероссийских и международных конференциях, что подтверждает научную новизну работы. Замечании по диссертационной работе В качестве недостатков диссертационной работы можно отметить следующее. 1. Для исследования энергетического распределения электронных ловушек в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти в диссертационной работе использовался метод всеобьаилющей спектроскопии фотоопустошеннем.

Однако для повышения 'достоверности полученных результатов и получения дополнительной информации о спектре электронных ловушек представляется целесообразным использовать и другие методы исследования„например, термодиполяризациониый анализ, 2.

В диссертационной работе исследование зарядовых явлений в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти снльнополевая инжекция электронов в основном проводшось прн нормальных температурах. Вместе с тем, изменение температуры может оказывать существенное влияние на характер накопления зарядов в диэлектрических пленках. Следовало бы исследовать эти процессы при различных температурах, что позволило бы получить более целостную физическую картину изменения зарядового состояния МДП-структур при сильнополевой туннельной 3.

В главе 4, раздел 4,1 при исследовании электронных ловушек в диэлектрических пленках на основе оксида гвфния проводится сравнение экспериментальных данных, полученных для образцов, изготовленных по различным технологиям. Однако технология формирования диэлектрических пленок для различных образцов описана недостаточно полно, что затрудняет анализ полученных результатов, 4, При том, что язык изложения материала в целом грамотный и ясный, в тексте диссертации имеются отдельные грамматические и стилистические ошибки, нмекпся неточности в оформлении списка литературы, излишне большие н перегруженные подрнсуночные подписи, в качестве десятичного знака используются и запятые и точки, в некоторых формулах расшифрованы не все символы, на некоторых рисун«вх используются подписи и названия осей на английском языке, выводы 2 н 5 к главе 3 повторяются. Однако сделанные замечания не носят принципиального характера и не уменьшаот научной и практической значимости диссертационной работы, не затрагивают научных положений и не влияют на достоверность полученных результатов.

Заключение полученных теоретических и практических результатов, их достоверности, обоснованности выводов полносп ю соответствует требованиям раздела 11 «Положения о присуждении ученых степеней», утвержденного постановлением Правительства РФ от 24.09.2013 % 842 1ред. от 30.072014 г.)„а автор диссертации, Андреев Дмитрий Владимирович, заслуживает присуждения ему ученой степени кандидата технически наук по специальности 01,04.07 — «Физика конденсированного состояния».

Официальный оппонент, профессор кафедры «Материалы функциональной электроники» федерал~ного государственного автономного образовательно~о учреждения высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский инсппуг электронной техники» 124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шохина, дом 1 Телефон: 8-906-065-19-02 е-та11: аа зйегспеп1сот®гахпЫег,ги Шерчеиков Алексей Анатольевич доктор технических наук, профессор 2.5 мая 2016 г.

Подпись Шерченкова А,А. заверяю Ученый секретарь НИУ МИЭТ, к,т.н., профессор Н.М. Ларионов Ознакомившись с диссертацией, авгорефератом и публикациями автора, считаю, что тема диссертации Андреева Д.В. и ее содержание соответствуют специальности 01.04.07- «Физика конденсированного состояния». Диссертационная работа Андреева Д.В. «Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур н элементов энергонезависимой памяти 'при сильнополевой инжекции электронов» по актуальности, научной новизне, уровню и значимости .