С.В. Тырыкин - Схемотехника аналоговых электронных устройств - Варианты заданий и справочные материалы к курсовому проектированию, страница 5
Описание файла
PDF-файл из архива "С.В. Тырыкин - Схемотехника аналоговых электронных устройств - Варианты заданий и справочные материалы к курсовому проектированию", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "схемотехника" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве НГТУ. Не смотря на прямую связь этого архива с НГТУ, его также можно найти и в других разделах. .
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 5 страницы из PDF
подразд. 5.5). Это позволяет практически полностью отказаться от изготовленияспециальных катушек под конкретное устройство.Номиналы катушек индуктивности обычно выбираются из стандартногоряда E6 или E12.Максимальный рабочий ток выбранной катушки должен быть в 1.2÷1.5раза больше расчетного значения постоянного тока, протекающего через катушку. Следует помнить, что чем больше индуктивность катушки, темменьше её рабочий ток.При использовании катушки в цепях высокочастотной индуктивнойкоррекции усилителя следует следить, чтобы максимальная частота усили-– 24 –ваемого сигнала попадала в диапазон рабочих частот катушки.
Значение максимальной частоты усиливаемого сигнала можно оценить, как f max ≈ 3 / tУ .Иногда вместо диапазона рабочих частот в справочниках указываетсярезонансная частота катушки (резонансная частота параллельного колебательного контура, образованного индуктивностью катушки и паразитной емкостью её выводов). В этом случае резонансная частота катушки должнабыть, как минимум, в 2÷3 раза выше максимальной частоты усиливаемогосигнала ( f max ).При разработке усилителей с f max > 10 МГц предпочтение следует отдавать катушкам для поверхностного монтажа, т.к.
они имеют меньшие значения паразитной емкости выводов.– 25 –55.1Справочные материалыБиполярные транзисторы5.1.1Сводная таблица основных характеристик биполярных транзисторовТранзистор Тип2N23692N42642N62512N39032N41232N44002N39052N4410BUS50MJE340MJE350BD1572N64872N5088BD135*BD136*MJE3712N6515MMDJ3P032N5550MJE5850MJE200MJE210MJE15028MJE15029MJD44H11BD787BD788NNNNNNPNNNPNNNNPPNPNPNPNPNNPfТ,МГц5003002502502502002001801601601601601501501401401201201051008065655050505050IКmax,А0.20.2150.20.20.60.20.25700.50.50.5150.051.51.540.530.685588844IКимп.,А0.50.4300.40.410.40.5140111200.133615116101016161688UКЭ max,В401535040304040801253003002506030454540250301403004040120120806060PК max,Вт0.3611751.21.51.21.21.2350202020750.6251212401.2218015155050201515rб ,|h |Ом 21Э20220 1.515 2.160 1.420 1.325 1.340 1.420710220220220210230 1.730230210 2.120 1.230 2.340 1.910 3.815 1.915 1.910 2.810 2.8102152152CK/UКЭ,пФ/В4/54/5100/504/54/56.5/54.5/512/10300/408/508/508/50100/204/5100/10100/1080/106/20100/106/10270/1080/10120/10100/20100/20130/1060/1060/10g11,мСм12561019173035.46402639304800.738381704.662281501021022202201109595g21,А/В0.390.71280.50.461.710.4342.62.22.8120.32.32.35.20.46190.44116.56.52121115.65.6g22,hhмСм 21 min 21 max0.18 401200.22 401603.36500.22 501500.21 501500.47 501501.5501500.18 604009.320500.3302400.35 302400.39 302405.520550.09 300 9000.38 402500.38 402502.240800.093 5030047 140 2000.22 602501.615402.3451802.3451804.740804.740802.760801.6402501.640250IКБО, RП-К, RК-С, TП.
max,мкА °С/Вт °С/Вт°С101473402000.1125120150200130200183.31201500.05 83.31201501083.3120150183.31201500.01 83.31201501000 0.530200100 6.258015016.2580150100 6.259015011.67701500.05 83.312015010010901501001090150300 3.12801500.05 83.312015012.5601500.01 83.312015051.255015018.348015018.3480150102.560150102.560150106.2565150100 8.3460150100 8.3460150Корп.Аналог Стр.TO-206КТ633 30TO-226–35TO-204–43TO-226 КТ375А 32TO-226 КТ3102А 34TO-226 КТ645А 36TO-226 КТ361Г 33TO-226–37TO-204–70TO-225–83TO-225–85TO-225–53TO-220–46TO-226–38TO-225 КТ943А 52TO-225 КТ626А 52TO-225–86TO-226–49SO-8**–89TO-226–40TO-218–88TO-225–81TO-225–81TO-220–78TO-220–78C369-07–75TO-225–64TO-225–64Транзистор ТипMJE171MJE1812N6338MJE243MJE2532N6274MJE15032MJE150332N5209BU4062N6836MJD47MJE341BUV112N6547BD165BD1662N64902N64972N5877BU208BD789BD790MJE13002BD243BD244TIP31TIP32BD437BD179BD180PNNNPNNPNNNNNNNNPPNNNNPNNNNPNNPfТ,МГц5050404040303030251512101086.56655444443333333IКmax,А33254450880.0571510.520151.51.5155105441.56666433IКимп.,А66508810016160.11520212530332010207.5883101055655UКЭ max,В80801201001001202502505020015025015020040045456025060700808030080806060458080PК max,Вт125125200151525050500.625201751520150175202075801501215151.465654040363030rб ,|h |Ом 21Э15 2.115 2.122.215 2.115 2.152.210 2.110 2.120261.451.910 2.140251.85250 2.550 2.552.410 2.115215 2.515215215220 2.120 2.120220225 2.5252252CK/UКЭ,пФ/В60/1040/10300/1050/1050/10600/10120/40120/404/580/10400/1050/10015/10500/10500/1060/560/5400/10150/10300/10125/1070/1070/1050/1070/1070/1090/1090/1060/1060/1060/10g11,мСм28028010011011030090901.6240210011039580620360100380130120320110110170130130313176130160g21,А/В8.28.2105.35.32330300.2314385.92.730295.91.78.985.8115.25.26.68.48.414145.43.23.3g22,hhмСм 21 min 21 max2.7502502.7502502.7301201.6401801.6401806.5301202750802750800.11 100 3002.730708.98300.7301500.5252005.920604.912602.2401000.940604.720551.310752.6201000.753151.7402501.7402500.888402.430602.430602325502325501.7853751.3631601.440250IКБО,мкА111011105100.01520001500200300150010015501000100050010007007001000400400100100100100100RП-К, RК-С, TП.
max,°С/Вт °С/Вт°С107317510731750.875302008.34801508.34801500.7302002.5601502.56015083.31201502.08501501302008.33701506.25801501.17302001302006.25901506.25901501.67701501.56701501.17302001.6301158.34601508.34601503.12851501.92601501.92601503.125601503.125601503.5601504.16901504.1690150Корп.TO-225TO-225TO-204TO-225TO-225TO-204TO-220TO-220TO-226TO-220TO-204C369-07TO-225TO-204TO-204TO-225TO-225TO-220TO-220TO-204TO-204TO-225TO-225TO-225TO-225TO-225TO-220TO-220TO-225TO-225TO-225Аналог Стр.КТ9180ВКТ9181В––––––КТ3102ДКТ8124А–––––КТ815АКТ814В–––КТ838Б–––КТ8125В–КТ817АКТ816АКТ917ВКТ817ГКТ816Г80804582824479793969517684715054554748426865657760609090615657Транзистор ТипBD241BD242BD237MJ413MJ410MJ4502BD808BD442BD440MJE4342MJE4352BD8012N57582N3055***NPNNNPPPPNPNNNfТ, IК max, IК имп., UКЭ max,МГц ААВ3358033580324802.5 10154002.5510200230401001.5 1015601.545801.546601162014011620140181210016101000.8 152060PК max,Вт40402512510020090363612512564150115rб ,|h |Ом 21Э25225225210 2.115 2.452.151.910 1.910 1.851.651.66210 2.152.5CK/UКЭ,пФ/В60/1060/1050/10400/30300/301000/20600/1060/1060/10800/10800/10400/20300/10500/10g11,мСм96961002502305103708293190190300921100g21, g22,hhА/В мСм 21 min 21 max5.2 1.525405.2 1.525403.6 1.74010061.4208011 2.130902.17251009.8 3.830605.5 1.515705.5 1.7208014 3.3154014 3.315405.5 2.530804.3 1.62510098.62070– серым цветом выделены комплементарные пары транзисторов (транзисторы идентичные по основным характеристикам, но имеющие разный тип проводимости);– сдвоенный транзистор (два независимых транзистора в одном корпусе).Транзисторы отсортированы в таблице по убыванию граничной частоты, максимальноготока коллектора и максимального напряжения коллектор-эмиттер.IКБО,мкА200200100250250100010001001007507501005001000RП-К, RК-С, TП.
max,°С/Вт °С/Вт°С3.125601503.125601505901501301500.75301500.875302001.39501503.5601503.5601501501501501501.92501501.17302001.5240200Корп.TO-225TO-225TO-225TO-204TO-204TO-204TO-220TO-225TO-225TO-218TO-218TO-220TO-204TO-204Аналог Стр.––5959КТ807АМ 58–73–72–74–67КТ816Г 63КТ816В 62–87–87–66–41КТ819Г 31– 29 –Расшифровка обозначений характеристик биполярныхтранзисторов, использованных в сводной таблице5.1.2Обознач.Тип–fТ–IК max–IK имп.–UКЭ maxPK maxrб–––|h21Э|–СК/UКЭ–g11–g21–g22–h21 min–h21 max–IКБ0RП-КRК-СTП. maxКорп.АналогСтр.–––––––Расшифровкатип проводимости (N – n-p-n, P – p-n-p);граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;максимальный ток коллектора;максимальный импульсный ток коллектора при скважности импульсовне менее 100 и длительности импульсов не более 1 мс;максимальное напряжение коллектор-эмиттер;максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе;распределенное сопротивление базы;модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте в схеме с общим эмиттером (приведенные значения измерены на частоте 0.5 fТ);емкость коллекторного перехода при напряжении UКЭ;входная проводимость в схеме с ОЭ на низкой частоте(приведенные значения измерены при IК = 0.5 IK max и UКЭ = 0.5 UКЭ max);проводимость прямой передачи в схеме с ОЭ на низкой частоте(приведенные значения измерены при IК = 0.5 IK max и UКЭ = 0.5 UКЭ max);выходная проводимость в схеме с ОЭ на низкой частоте(приведенные значения измерены при IК = 0.5 IK max и UКЭ = 0.5 UКЭ max);минимальное значение статического коэффициента передачи тока базы всхеме с общим эмиттером;максимальное значение статического коэффициента передачи тока базыв схеме с общим эмиттером;обратный ток коллекторного перехода при температуре 25÷60 °С;тепловое сопротивление переход-корпус;тепловое сопротивление корпус-среда;максимальная температура перехода;тип корпуса (см.
подразд. 5.2.4);ближайший отечественный аналог;номер страницы, на которой приведены статические ВАХ транзистора.Замечание: Не разрешается использование транзисторов при предельных значенияхдвух или более совмещенных параметров. Для повышения надежности рекомендуется эксплуатировать приборы при значениях параметров, не превышающих 70% отпредельных.– 30 –Статические вольтамперные характеристикибиполярных транзисторов5.1.3Транзистор: 2N2369Iб, мАUкэ = 0 ВВходные статические ВАХ510 В4340 В2100.30.60.91.2Iк, мАВыходные статические ВАХ2000Uбэ, В1.5160120ΔIб = 0.5 мА80Iб = 0.5 мА4008500162432Uкэ, В40g21, мА/ВUкэ = 20 В42034026018010004080120160Iк, мА200Зависимость g21 от тока коллектора0– 31 –Транзистор: 2N3055Iб, А10 ВUкэ = 0 В30 В60 ВВходные статические ВАХ1.61.280.960.640.3201600.511.52Uбэ, В2.5Выходные статические ВАХIк, А12.89.6ΔIб = 0.1А6.4Iб = 0.1 А3.2Uкэ, В12010243648g21, А/ВUкэ = 30 В86420036912Iк, А1560Зависимость g21 от тока коллектора0– 32 –Транзистор: 2N3903Iб, мАUкэ = 0 ВВходные статические ВАХ1010 В840 В64200.30.60.91.2Iк, мАВыходные статические ВАХ2500Uбэ, В1.5200150ΔIб = 1 мА50Iб = 0.5 мА08060016g21, мА/В2432Uкэ = 20 В480360240120004080120160Iк, мА200Uкэ, В40Зависимость g21 от тока коллектора100– 33 –Транзистор: 2N3905Iб, мАUкэ = 0 ВВходные статические ВАХ1.510 В1.220 В40 В0.90.60.300.30.60.91.2Uбэ, В1.5Iк, мАВыходные статические ВАХ2500200150ΔIб = 0.110050Iб = 0.01 мА081.216g21, А/В2432Uкэ = 20 В0.960.720.480.24040Зависимость g21 от токаколлектора004080120160Iк, мА200– 34 –Транзистор: 2N4123Iб, мАUкэ = 0 В10 В8Входные статические ВАХ1040 В64202500.300.60.91.2Uбэ, В1.5Выходные статические ВАХIк, мА200150100ΔIб = 1 мА50Iб = 0.5 мА0660012g21, мА/В1824Uкэ = 15 В4803602401200Uкэ, В30Зависимость g21 от токаколлектора004080120160Iк, мА200– 35 –Транзистор: 2N4264Iб, мАUкэ = 0 ВВходные статические ВАХ25В1.615 В1.20.80.400.240.480.72Uбэ, В1.20.96Iк, мАВыходные статические ВАХ3000240180ΔIб = 0.2 мА12060Iб = 0.2 мАUкэ, В038006912Uкэ = 7.5 Вg21, мА/В640480320160004080120160Iк, мА20015Зависимость g21 от тока коллектора0– 36 –Транзистор: 2N4400Iб, мАUкэ = 0 ВВходные статические ВАХ1510 В1240 В963080000.30.60.91.2Uбэ, В1.5Iк, мАВыходные статические ВАХ640480ΔIб = 1.5 мА320160Iб = 0.5 мАUкэ, В08216g21, А/В2432Uкэ = 20 В1.61.20.80.4040Зависимость g21 от токаколлектора00120240360480Iк, мА600– 37 –Транзистор: 2N4410Iб, мАUкэ = 0 В10 ВВходные статические ВАХ640 В4.880 В3.62.41.2000.40.81.21.62Iк, мАВыходные статические ВАХ400Uбэ, В320240160ΔIб = 0.5 мА80Uкэ, В01650032g21, мА/В4864Uкэ = 40 В400300200100080Зависимость g21 от токаколлектора0Iб = 0.25 мА050100150200Iк, мА250– 38 –Транзистор: 2N50884Uкэ = 0 В3.2Входные статические ВАХIб, мА10 В30 В2.41.60.8000.40.81.21.62Iк, мАВыходные статические ВАХ120Uбэ, В967248ΔIб = 0.05 мА24Iб = 0.01 мА064001218Uкэ, В3024g21, мА/ВUкэ = 15 В320Зависимость g21 от токаколлектора02401608000Iк, мА1020304050– 39 –Транзистор: 2N52094Uкэ = 0 В3.2Входные статические ВАХIб, мА10 В2.450 В1.60.800.320.640.961.28Iк, мАВыходные статические ВАХ800Uбэ, В1.60644832ΔIб = 0.05 мА16Iб = 0.01 мА0104002030Uкэ, В5040g21, мА/ВЗависимость g21 от тока коллектора0Uкэ = 15 В320240160800Iк, мА01020304050– 40 –Транзистор: 2N5550Iб, мА10 ВUкэ = 0 В40Входные статические ВАХ5050 В100 В140 В30201001Uбэ, В00.61.21.82.430.80.60.4ΔIб = 5 мА0.2Выходные статические ВАХIк, АIб = 0.5 мА02850056g21, мА/В84112Uкэ = 70 В4003002001000Uкэ, В140Зависимость g21 от токаколлектора00120240360480Iк, мА600– 41 –Транзистор: 2N5758160Iб, мА10 ВВходные статические ВАХ20050 ВUкэ = 0 В100 В120804000100.81.62.43.2Uбэ, В4Выходные статические ВАХIк, А864ΔIб = 20 мА2Iб = 5 мА020540g21, А/В60Uкэ, В10080Uкэ = 50 ВЗависимость g21 от токаколлектора043210Iк, А01.22.43.64.86– 42 –Транзистор: 2N5877Iб, мА10 ВВходные статические ВАХ20030 В160Uкэ = 0 В100 В1208040Uбэ, В01200.61.21.82.43Выходные статические ВАХIк, А9.67.24.8ΔIб = 20 мА2.4Iб = 5 мА01262436Uкэ, В6048g21, А/ВЗависимость g21 от токаколлектора0Uкэ = 30 В4.83.62.41.2002468Iк, А10– 43 –Транзистор: 2N62511.510 В1.2100 В200 ВВходные статические ВАХIб, А350 ВUкэ = 0 В0.90.60.3012Uбэ, В00.61.21.82.43Выходные статические ВАХIк, А9.67.24.8ΔIб = 150 мА2.4Uкэ, В07030140210280350g21, А/ВЗависимость g21 от токаколлектора0Iб = 50 мАUкэ = 175 В24181260036912Iк, А15– 44 –Транзистор: 2N62741.5Входные статические ВАХIб, А10 В1.260 ВUкэ = 0 В120 В0.90.60.30600123Uбэ, В54Выходные статические ВАХIк, А4836ΔIб = 100 мА24Iб = 50 мА12Uкэ, В02425487296g21, А/ВUкэ = 50 В20151050120Зависимость g21 от токаколлектора0010203040Iк, А50– 45 –Транзистор: 2N6338Iб, АUкэ = 0 В1.2Входные статические ВАХ1.510 В60 В120 В0.90.80.30500246Uбэ, В108Выходные статические ВАХIк, А4030ΔIб = 100 мА20Iб = 50 мА10Uкэ, В024124872g21, А/В96120Uкэ = 60 ВЗависимость g21 от токаколлектора09.67.24.82.4005101520Iк, А25– 46 –Транзистор: 2N6487Iб, мАUкэ = 0 В480Входные статические ВАХ60010 В30 В36060 В240120015Uбэ, В00.40.81.21.62Выходные статические ВАХIк, А129ΔIб = 50 мА63Uкэ, В012152436g21, А/В48Uкэ = 30 В12963003660Зависимость g21 от токаколлектора0Iб = 10 мА912Iк, А15– 47 –Транзистор: 2N649060010 ВUкэ = 0 В480Входные статические ВАХIб, мА30 В36060 В24012001500.511.52Uбэ, В2.5Выходные статические ВАХIк, А1296ΔIб = 50 мА3Uкэ, В012102436g21, А/В48Uкэ = 30 В8642060Зависимость g21 от токаколлектора0Iб = 10 мА036912Iк, А15– 48 –Транзистор: 2N6497Iб, мА10 В320Входные статические ВАХ40050 ВUкэ = 0 В150 В240250 В160800600.61.21.82.4Uбэ, В3Выходные статические ВАХIк, А4.83.6ΔIб = 50 мА2.4Iб = 10 мА1.2Uкэ, В05010100g21, А/В150200250Uкэ = 125 ВЗависимость g21 от токаколлектора086420Iк, А012345– 49 –Транзистор: 2N6515Iб, мАВходные статические ВАХ1010 В850 ВUкэ = 0 В150 В6250 В42050000.61.21.82.4Uбэ, В3Выходные статические ВАХIк, мА400ΔIб = 1 мА300200Iб = 0.5 мА100Uкэ, В050500100150200g21, мА/ВUкэ = 125 В4003002001000250Зависимость g21 от токаколлектора00100200300400Iк, мА500– 50 –Транзистор: 2N6547Iб, мА64010 В100 ВВходные статические ВАХ800200 ВUкэ = 0 В300 В480400 В3201600150.5011.5Uбэ, В2.52Выходные статические ВАХIк, А129ΔIб = 50 мА63Iб = 10 мАUкэ, В08032160240320g21, А/ВUкэ = 200 В25.619.212.86.40036912Iк, А15400Зависимость g21 от тока коллектора0– 51 –Транзистор: 2N6836Iб, А10 В100 ВUкэ = 0 В1.2Входные статические ВАХ1.5150 В0.90.60.301500.30.60.9Uбэ, В1.51.2Выходные статические ВАХIк, А1296ΔIб = 100 мА3Iб = 10 мАUкэ, В030506090120g21, А/ВUкэ = 75 В403020100036912Iк, А15150Зависимость g21 от тока коллектора0– 52 –Транзистор: BD135(N), BD136(P)Iб, мА10 В20 ВUкэ = 0 В24Входные статические ВАХ3045 В1812600.360.721.081.44Iк, АВыходные статические ВАХ1.50Uбэ, В1.81.20.90.6ΔIб = 2 мА0.3Iб = 0.5 мАUкэ, В0950182736g21, А/ВUкэ = 22.5 В40302010045Зависимость g21 от токаколлектора0036912Iк, А15– 53 –Транзистор: BD157Iб, мА10 ВUкэ = 0 В8Входные статические ВАХ1050 В150 В6250 В4200.20.40.60.8Iк, мАВыходные статические ВАХ5000Uбэ, В1400300ΔIб = 1 мА200100Uкэ, В0503.5100g21, А/В150200Uкэ = 125 В2.82.11.40.700100200300250Зависимость g21 от токаколлектора0Iб = 0.5 мА400Iк, мА500– 54 –Транзистор: BD165Iб, мАВходные статические ВАХ100Uкэ = 0 В8045 В604020000.480.720.96Iк, мАВыходные статические ВАХ20.24Uбэ, В1.201.61.20.8ΔIб = 10 мА0.4Iб = 1 мА09818g21, А/ВUкэ, В2736Uкэ = 22.5 В6.44.83.21.6000.30.60.945Зависимость g21 от токаколлектора01.2Iк, А1.5– 55 –Транзистор: BD166Iб, мАUкэ = 0 В96Входные статические ВАХ12020 В10 В45 В72482401.600.40.81.21.6Uбэ, В2Выходные статические ВАХIк, А1.280.960.64ΔIб = 10 мА0.32Iб = 1 мАUкэ, В09218g21, А/В2736Uкэ = 22.5 В1.61.20.80.4000.30.60.91.2Iк, А1.545Зависимость g21 от тока коллектора0– 56 –Транзистор: BD179Iб, мА20 В10 ВUкэ = 0 В120Входные статические ВАХ15040 В80 В90603004Uбэ, В00.40.81.21.62Выходные статические ВАХIк, А3.22.41.6ΔIб = 10 мА0.8Uкэ, В016432486480g21, А/ВUкэ = 40 В3.2Зависимость g21 от токаколлектора0Iб = 5 мА2.41.60.80Iк, А00.61.21.82.43– 57 –Транзистор: BD180Iб, мА20 В10 ВUкэ = 0 В120Входные статические ВАХ15040 В80 В9060300400.40.81.21.6Uбэ, В2Выходные статические ВАХIк, А3.22.41.6ΔIб = 10 мА0.8Uкэ, В016432486480g21, А/ВUкэ = 40 ВЗависимость g21 от токаколлектора0Iб = 5 мА3.22.41.60.80Iк, А00.61.21.82.43– 58 –Транзистор: BD237Iб, мА20 В10 ВUкэ = 0 В120Входные статические ВАХ15040 В80 В9060300300.40.81.21.6Uбэ, В2Выходные статические ВАХIк, А2.41.81.2ΔIб = 10 мАIб = 5 мА0.6Uкэ, В160432644880g21, А/ВUкэ = 40 В3.2Зависимость g21 от токаколлектора02.41.60.80Iк, А00.40.81.21.62– 59 –Транзистор: BD241 (N), BD242(P)Iб, мА20 В10 ВUкэ = 0 В120Входные статические ВАХ15040 В80 В9060300050.40.81.21.6Uбэ, В2Выходные статические ВАХIк, А432ΔIб = 10 мАIб = 5 мА1Uкэ, В016632g21, А/В486480Uкэ = 40 ВЗависимость g21 от токаколлектора04.83.62.41.20Iк, А00.61.21.82.43– 60 –Транзистор: BD243 (N), BD244(P)Iб, мА20 В10 ВUкэ = 0 В16040 В80 В12080400600.40.81.21.6Uбэ, В2Входные статические ВАХ200Выходные статические ВАХIк, А4.83.62.4ΔIб = 10 мАIб = 10 мА1.20161032g21, А/В48Uкэ, В8064Uкэ = 40 ВЗависимость g21 от токаколлектора086420Iк, А01.22.43.64.86– 61 –Транзистор: BD437Iб, мА20 ВUкэ = 0 В8010 ВВходные статические ВАХ10040 В60402000.40.81.21.6Uбэ, В2Iк, АВыходные статические ВАХ604.83.62.4ΔIб = 10 мА1.2Iб = 2 мА0961827Uкэ, В4536g21, А/ВЗависимость g21 от токаколлектора0Uкэ = 22.5 В4.83.62.41.20Iк, А00.81.62.43.24– 62 –Транзистор: BD440Iб, мА10 ВUкэ = 0 В8030 ВВходные статические ВАХ10060 В60402005Uбэ, В00.40.81.21.62Iк, АВыходные статические ВАХ43ΔIб = 10 мА2Iб = 5 мА1Uкэ, В024126366048g21, А/ВUкэ = 30 В4.8Зависимость g21 от токаколлектора03.62.41.20Iк, А00.81.62.43.24– 63 –Транзистор: BD442Iб, мА40 В10 ВUкэ = 0 В80Входные статические ВАХ10080 В6040200500.40.81.21.6Uбэ, В2Выходные статические ВАХIк, А43ΔIб = 10 мА2Iб = 5 мА1Uкэ, В160632486480g21, А/ВЗависимость g21 от токаколлектора0Uкэ = 40 В4.83.62.41.20Iк, А00.81.62.43.24– 64 –Транзистор: BD787(N), BD788(P)Iб, мА30 ВUкэ = 0 В96Входные статические ВАХ12010 В60 В7248240600.511.52Uбэ, В2.5Iк, АВыходные статические ВАХ4.83.62.4ΔIб = 10 мА1.2Uкэ, В120648362460g21, А/ВЗависимость g21 от тока коллектора0Iб = 5 мАUкэ = 30 В4.83.62.41.20Iк, А00.81.62.43.24– 65 –Транзистор: BD789(N), BD790(P)Iб, мА40 ВUкэ = 0 В120Входные статические ВАХ15010 В80 В9060300600.40.81.21.6Uбэ, В2Выходные статические ВАХIк, А4.83.62.4ΔIб = 10 мА1.2016632g21, А/В48Uкэ, В8064Uкэ = 40 В4.83.62.41.20Iк, А00.81.62.43.24Зависимость g21 от тока коллектора0Iб = 5 мА– 66 –400Iб, мА25 ВUкэ = 0 В32050 В 75 В100 В240160800800.5121.5Uбэ, В2.5Выходные статические ВАХIк, А6.44.83.2ΔIб = 20 мА1.6Iб = 10 мА02064060Uкэ, В10080g21, А/ВUкэ = 50 В4.8Зависимость g21 от токаколлектора0Входные статические ВАХТранзистор: BD8013.62.41.20Iк, А01.63.24.86.48– 67 –Транзистор: BD808Iб, мА32030 В10 ВUкэ = 0 ВВходные статические ВАХ40060 В2401608001000.40.81.21.6Uбэ, В2Выходные статические ВАХIк, А864ΔIб = 20 мА2Uкэ, В024121036g21, А/В4860Uкэ = 30 В8642002468Iк, А10Зависимость g21 от тока коллектора0Iб = 10 мА– 68 –400Iб, мА50 ВUкэ = 0 В320100 В300 В500 В700 В240160800600.511.52Uбэ, В2.5Входные статические ВАХТранзистор: BU208Выходные статические ВАХIк, А4.83.62.4ΔIб = 25 мА1.2Iб = 5 мА014012280420g21, А/ВUкэ, В700560Uкэ = 350 ВЗависимость g21 от тока коллектора09.67.24.82.40Iк, А012345– 69 –500Iб, мА20 ВUкэ = 0 В40050 В100 В300200 В20010001000.511.52Uбэ, В2.5Входные статические ВАХТранзистор: BU406Iк, АВыходные статические ВАХ864ΔIб = 25 мА20401580120Uкэ, В200160g21, А/ВЗависимость g21 от тока коллектора0Iб = 10 мАUкэ = 100 В129630Iк, А01.42.84.25.67– 70 –Транзистор: BUS50Iб, мА25 ВUкэ = 0 В0.850 ВВходные статические ВАХ1125 В0.60.40.204000.61.21.82.4Uбэ, В3Выходные статические ВАХIк, А322416ΔIб = 25 мАIб = 25 мА00254050g21, А/В75100Uкэ = 75 В32241680014284256Iк, А70Uкэ, В125Зависимость g21 от тока коллектора8– 71 –Транзистор: BUV11Iб, мА25 В50 В100 ВUкэ = 0 В480Входные статические ВАХ600200 В36024012002000.511.52Uбэ, В2.5Выходные статические ВАХIк, А16128ΔIб = 25 мАIб = 25 мА40404080160120g21, А/ВUкэ, В200Uкэ = 100 ВЗависимость g21 от токаколлектора0322416800481216Iк, А20– 72 –Транзистор: MJ410Iб, мА25 В50 ВUкэ = 0 В400Входные статические ВАХ500100 В200 В30020010001000.511.5Uбэ, В2.52Iк, АВыходные статические ВАХ864ΔIб = 20 мА2Iб = 10 мАUкэ, В0401280120160200g21, А/ВЗависимость g21 от тока коллектора0Uкэ = 100 В9.67.24.82.40Iк, А012345– 73 –Транзистор: MJ413Iб, А50 В200 В100 В300 В400 ВUкэ = 0 В0.8Входные статические ВАХ10.60.40.201001234Uбэ, В5Iк, АВыходные статические ВАХ86ΔIб = 50 мА4Iб = 25 мА2Uкэ, В0808160240320400g21, А/ВЗависимость g21 от тока коллектора0Uкэ = 200 В6.44.83.21.60Iк, А0246810– 74 –Транзистор: MJ4502Iб, А10 В25 В50 ВВходные статические ВАХ1Uкэ = 0 В0.8100 В0.60.40.203000.61.21.82.4Uбэ, В3Выходные статические ВАХIк, А241812ΔIб = 50 мА6Iб = 10 мАUкэ, В020254060g21, А/В80100Uкэ = 50 ВЗависимость g21 от токаколлектора02015105006121824Iк, А30– 75 –Транзистор: MJD44H11Iб, мА10 ВUкэ = 0 В120Входные статические ВАХ15040 В80 В90603001000.511.52Uбэ, В2.5Выходные статические ВАХIк, А864ΔIб = 15 мА2Iб = 5 мАUкэ, В0161232486480g21, А/ВUкэ = 40 В9.6Зависимость g21 от токаколлектора07.24.82.40Iк, А01.63.24.86.48– 76 –Транзистор: MJD47Iб, мА50 В 100 В150 ВUкэ = 0 В40Входные статические ВАХ50250 В3020100200.240.480.720.96Uбэ, В1.2Iк, АВыходные статические ВАХ1.61.20.80.4ΔIб = 2.5 мАIб = 0.5 мА0508100150Uкэ, В200250g21, А/ВЗависимость g21 от тока коллектора0Uкэ = 125 В6.44.83.21.60Iк, А00.20.40.60.81– 77 –Транзистор: MJE13002Iб, мА50 В100 В200 ВUкэ = 0 В160Входные статические ВАХ200300 В12080400200.320.640.961.28Uбэ, В1.6Iк, АВыходные статические ВАХ1.61.2ΔIб = 10 мА0.80.4Iб = 2 мАUкэ, В0608120g21, А/В180240Uкэ = 150 В6.44.83.21.6000.30.60.91.2Iк, А1.5300Зависимость g21 от тока коллектора0– 78 –Транзистор: MJE15028(N), MJE15029(P)Iб, мА10 В60 ВUкэ = 0 В160Входные статические ВАХ200120 В120804001000.320.640.961.28Uбэ, В1.6Выходные статические ВАХIк, А864ΔIб = 10 мА2Uкэ, В0242548g21, А/В7296120Uкэ = 60 ВЗависимость g21 от токаколлектора0Iб = 5 мА20151050Iк, А01.63.24.86.48– 79 –Транзистор: MJE15032(N), MJE15033(P)Iб, мА50 ВВходные статические ВАХ150Uкэ = 0 В120250 В9060300800.30.60.91.2Uбэ, В1.5Iк, АВыходные статические ВАХ6.44.8ΔIб = 15 мА3.2Iб = 5 мА1.6Uкэ, В0404080120160200g21, А/ВЗависимость g21 от токаколлектора0Uкэ = 125 В32241680Iк, А01.63.24.86.48– 80 –Транзистор: MJE171(P), MJE181(N)Iб, мА10 В 40 ВUкэ = 0 ВВходные статические ВАХ10080 В8060402000.30.60.91.2Uбэ, В1.5Iк, АВыходные статические ВАХ302.41.8ΔIб = 10 мА1.2Iб = 5 мА0.6Uкэ, В0161032g21, А/В486480Uкэ = 40 ВЗависимость g21 от токаколлектора086420Iк, А00.61.21.82.43– 81 –Транзистор: MJE200(N), MJE210(P)Iб, мА10 В20 ВUкэ = 0 В80Входные статические ВАХ10040 В6040200500.40.81.21.6Uбэ, В2Iк, АВыходные статические ВАХ43ΔIб = 10 мА2Iб = 5 мА10881624g21, А/ВUкэ, В4032Uкэ = 20 ВЗависимость g21 от токаколлектора06.44.83.21.60Iк, А012345– 82 –Транзистор: MJE243(N), MJE253(P)Iб, мА20 В50 В100 ВUкэ = 0 В120Входные статические ВАХ1509060300500.511.52Uбэ, В2.5Выходные статические ВАХIк, А432ΔIб = 10 мА1Iб = 5 мАUкэ, В200640g21, А/В6080100Uкэ = 50 ВЗависимость g21 от токаколлектора04.83.62.41.20Iк, А00.81.62.43.24– 83 –Транзистор: MJE340Iб, мА50 В150 В300 ВUкэ = 0 В1612840100.30.60.91.2Uбэ, В1.50.6ΔIб = 1 мА0.4Iб = 1 мА0.20603120g21, А/В180240Uкэ, В300Зависимость g21 от токаколлектораUкэ = 150 В2.41.81.20.60Выходные статические ВАХIк, А0.80Входные статические ВАХ200100200300400Iк, мА500– 84 –Транзистор: MJE341Iб, мА50 В100 ВUкэ = 0 В16150 В12840100.240.480.720.96Uбэ, В1.20.60.4ΔIб = 1 мА0.2Iб = 1 мА03046090120Uкэ, В150g21, А/ВЗависимость g21 от токаколлектораUкэ = 75 В3.22.41.60.80Выходные статические ВАХIк, А0.80Входные статические ВАХ200100200300400Iк, мА500– 85 –Транзистор: MJE350Iб, мАUкэ = 0 В50 В150 В300 В32241680010.30.60.91.2Uбэ, В1.5Iк, АВыходные статические ВАХ0.80.6ΔIб = 2 мА0.4Iб = 1 мА0.20603120180240g21, А/ВUкэ = 150 В2.41.81.20.60Uкэ, В300Зависимость g21 от токаколлектора0Входные статические ВАХ400100200300400Iк, мА500– 86 –Транзистор: MJE371Iб, мА10 ВUкэ = 0 В20 В40 В200150100500600.40.81.21.6Uбэ, В2Входные статические ВАХ250Iк, АВыходные статические ВАХ4.83.62.4ΔIб = 20 мА1.20861624Uкэ, В4032g21, А/ВЗависимость g21 от тока коллектора0Iб = 5 мАUкэ = 20 В4.83.62.41.20Iк, А00.81.62.43.24– 87 –Транзистор: MJE4342(N), MJE4352(P)Iб, мА20 ВUкэ = 0 В70 ВВходные статические ВАХ500140 В40030020010002000.81.62.43.2Uбэ, В4Выходные статические ВАХIк, А16128ΔIб = 25 мА4Iб = 5 мАUкэ, В028155684112g21, А/ВUкэ = 70 В12963003.26.49.612.8Iк, А16140Зависимость g21 от тока коллектора0– 88 –Транзистор: MJE5850Iб, мА50 В150 В300 ВUкэ = 0 В64048032016001601234Uбэ, В5Входные статические ВАХ800Выходные статические ВАХIк, А12.89.66.4ΔIб = 35 мА3.2Iб = 5 мА06012120180240g21, А/ВUкэ = 150 В9.67.24.82.4001.63.24.86.4Iк, А8Uкэ, В300Зависимость g21 от тока коллектора0– 89 –Транзистор: MMDJ3P03Iб, мА40Входные статические ВАХ50>1 ВUкэ = 0 В3020100500.240.480.720.96Uбэ, В1.2Iк, АВыходные статические ВАХ432ΔIб = 2 мА1Uкэ, В062512241830g21, А/ВUкэ = 15 В2015105000.61.21.82.4Iк, А3Зависимость g21 от тока коллектора0Iб = 1 мА– 90 –Транзистор: TIP31(N), TIP32(P)Iб, мА10 ВUкэ = 0 В30 В3260 В241680300.30.60.91.2Uбэ, В1.5Iк, АВыходные статические ВАХ2.4ΔIб = 2.5 мА1.81.2Iб = 0.5 мА0.60241216g21, А/В36Uкэ, В6048Uкэ = 30 ВЗависимость g21 от токаколлектора0Входные статические ВАХ4012.89.66.43.20Iк, А00.61.21.82.43– 91 –5.2Полевые транзисторы5.2.1Сводная таблица основных характеристик полевых транзисторовТранзистор Тип2N44162N51042N4223BFQ102SK2132N3971MPF1072N70022N33292SK5112SJ130L11113113234fmax, IC max, UСИ max, PС max, UЗИ max, UОТС.,МГц мАВВтВВ40015200.125320015500.2545220015150.1515320010300.253021505001401.715010075401.840310020250.2303.550115600.2402.53010100.115425300250890320100030020203Iут.,нА0.10.10.10.1<0.010.30.5<0.010.5<0.01<0.01S,мА/В4445160304902.5100300СЗИ,пФ46589025650920230СЗС,пФ1.2214108288815Транзисторы отсортированы в таблице по убыванию частоты усиления, максимальноготока стока и максимального напряжения сток-исток.ССИ, RП-C, TП.
