С.В. Тырыкин - Схемотехника аналоговых электронных устройств - Варианты заданий и справочные материалы к курсовому проектированию, страница 8
Описание файла
PDF-файл из архива "С.В. Тырыкин - Схемотехника аналоговых электронных устройств - Варианты заданий и справочные материалы к курсовому проектированию", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "схемотехника" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве НГТУ. Не смотря на прямую связь этого архива с НГТУ, его также можно найти и в других разделах. .
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 8 страницы из PDF
Варшавер В. А. Расчет и проектирование импульсных усилителей.Учеб. пособие для вузов. Изд. 2-е, доп. – М.: «Высшая школа», 1975.2. Проектирование усилительных устройств на транзисторах. Под ред.Г. В. Войшвилло. – М.: «Связь», 1972.3. Дуркин В. В. Аналоговые электронные устройства: Конспект лекций.– Новосибирск: Изд-во НГТУ. – Ч.
1., 1997.4. Дуркин В. В. Аналоговые электронные устройства: Конспект лекций.– Новосибирск: Изд-во НГТУ. – Ч. 2., 2001.5. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники / Пер. с англ. – М.,1998 г.6. Остапенко Г. С. Усилительные устройства: Учебное пособие для ВУЗов. – М., 1986.7. Единая система конструкторской документации. Основные положения. – М.: Издательство стандартов, 1985 (или более поздние издания).8.
Разевиг В. Д. Система схемотехнического моделирования Micro-Cap6.0 – М.: Солон, 2001.9. Анализ электронных схем в среде MICRO-CAP V: Лабораторныйпрактикум для студентов III-IV курсов специальности 200700 всех форм обучения / М. Я. Котляр. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 200010. Устройства приёма и обработки сигналов: Методические указания ккурсовому проектированию для студентов IV-V курсов радиотехническихспециальностей факультета РЭФ (№2124) / А.
В. Киселев, С. В. Тырыкин. –Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2001.– 134 –Условные графические обозначения основныхэлектронных элементов, используемыена принципиальных схемахПриложениеОбозначениеRRCЭлементпостоянный резистор;подстроечный резистор;неполярный конденсатор;Cполярный конденсатор;Lкатушка индуктивности;VTбиполярный транзистор структуры n-p-n;VTбиполярный транзистор структуры p-n-p;VDVDVTполевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа;VTполевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом p-типа;VTполевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа;VTполевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом p-типа;VTполевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа;VTполевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом p-типа;полупроводниковый диод;стабилитрон.Электронная версия.