Таблица 6.1,а

Налоги

Налоги на добавленную стоимость (НДС) составляют 20 % от суммы заработной платы, накладных расходов, командировочных, работы сторонних организаций и прибыли. Так как командировочные и робота сторонних организаций отсутствует, то следовательно и затраты на эти статьи будут равны нулю.

Налоги на прибыль определяются как 30 % от заработной платы.

Все налоги вычисляются согласно Закону Украины «О налогообложении прибыли».

Таблица 6.2.

Зарплата

Оклады у работников и специалистов выбираются согласно штатному расписанию ДП “Дніпро-напівпровідники”. Инженер-технолог и оператор за месяц выпускают 5000 пластин с созданной диффузионной структурой.

Калькуляция и количество затраченных материалов приведены в таблице 6.3.

Таблица 6.3.

Полуфабрикаты и расходные материалы (в расчете на 5000 пластин)

Данные химические вещества необходимы для проведения процесса диффузионного легирования при создании n⁺-p-p⁺ кремниевого солнечного элемента. Приведенные количества веществ позволяют создать 5000 таких пластин.

В полупроводниковой промышленности экономические параметры удобнее определить в расчете на 1000 пластин. При пересчете на 1000 пластин себестоимость составит 493,02 грн, прибыль – 123,26 грн, цена работы – 616,28 грн, налоги – 99,27 грн.

ЛИТЕРАТУРА

1. Литовченко В.Г., Попов В.Г., Свечников С.В. Солнечные фотоэлементы на основе аморфного кремния // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 1983, вып. 3, с. 3 – 12.

2. Августимов В.Л., Белоусова Т.Н., Власкина С.И., Свечников С.В., Шаповал З.И., Шейкман М.К. Современное состояние фотопреобразования энергии с использованием кремниевых солнечных элементов (обзор) // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 1995, вып. 30, с. 120 – 147.

3. Готра З.Ю., Осадчук В.В., Кучмий Г.Л. Диффузионное легирование в современной технологии кремниевых ИС // Зарубежная электронная техника. – 1990.-№ 5(348). – с. 5 – 63.

4. Богдановский Ю.Н., Гасько Л.З., Коледов Л.А., Пих В.С. Твердые планарные источники для диффузии в технологии полупроводниковых приборов и ИС // Зарубежная электронная техника. – 1982.-№ 8(254),-с.60 – 90.

5. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем: Учебник для техникумов.- 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1991. – 344 с.

6. Мазель Е.З., Пресс Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов. –М.: Энергия, 1974. – 384 с.

7. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление. Диффузия. Эпитаксия. Пер. с англ. под ред. Р.Бургера и В.Донована. – М.: Мир, 1969. – 452 с.

8. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. – М.:Высшая школа, 1974. – 400 с.

9. Гук Е.Г., Ельцов А.В., Шуман В.Б., Юрре Т.А. Фоторезисты-диффузанты в полупроводниковой технологии. – Л.: Наука, 1984. –118 с.

10. Евсеев Ю.А. Полупроводниковые приборы для мощных высоковольтных преобразовательных устройств. – М.: Энергия, 1978. – 192 с.

11. Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.:Высшая школа, 1980. – 327 с.

12. Аппен А.А. Химия стекла. – Л.: Химия, 1970. – 300 с.

13. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. – М.: Высшая школа, 1990. – 423 с.

14. Борисенко А.И., Новиков В.В., Приходько И.Е. и др. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике. – Л.: Наука, 1972. – 114 с.

15. Вредные вещества в промышленности. Спровочник для химиков, инженеров и врачей. Под общ. ред. И.В.Лазарева. – М.-Л.: Химия, 1965, т.2. – 622 с.

16. Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. Технология производства полупроводниковых приборов. – Л.: Энергия, 1968. – 240 с.

17. Блинов И.Г., Кожитов Л.В. Оборудование полупроводникового производства. – М.: Машиностроение, 1986. – 264 с.

18. Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. – М.: Наука, 1985. – 280 с.

19. Кузнецов И.Е. и др. Охрана труда в текстильной промышленности. – К.: Техника, 1985. – 167 с.

20. Долин П.А. Справочник по технике безопасности. – М.: Энергоатомиздат, 1984. – 824 с.

Рецензия

На дипломную работу:

«Разработка источников диффузионного легирования для производства кремниевых солнечных элементов» Гречаника В.А.

студента группы 5Ф специальности 7.0908.04

«физическая и биомедицинская электроника».

Актуальность данной работы заключается в создании источников диффузионного легирования кремния для промышленного изготовления кремниевых солнечных элементов. Основное внимание уделено поверхностным источникам диффузии бора и фосфора в кремний.

Были разработаны и исследованы поверхностные источники бора и фосфора на основе спиртового раствора борной и ортофосфорной кислот. Также был исследован твердый планарный источник на основе нитрида бора.

Помимо поверхностных источников на основе простых неорганических соединений было начато исследование поверхностного источника на основе легированного окисла. Даны рекомендации по приготовлению пленкообразующего раствора.

Пояснительная записка написана грамотным техническим текстом.

Сделаны выводы и даны рекомендации.

Дипломная работа студента группы 5Ф Гречаника В.А. заслуживает оценки «отлично», а сам студент – присвоения квалификации «специалист физической и биомедецинской электронники».

Ведущий инженер

НАН Украины Н.А. Самойлов

ОТЗЫВ

на дипломный проект студента группы 5Ф факультета кибернетики ХГТУ Гречаника Владимира Александровича

на тему: Разработка источников диффузионного легирования для производства кремниевых солнечных элементов

по специальности 7.0908.04 "Физическая и биомедицинская электроника "

Дипломное проектирование студента Гречаника Владимира Александровича посвящено проблемам разработки и исследования источников диффузионного легирования кремния. В нем раскрыты основные источники примесей, имеющие практическое применение в технологии диффузии.

Данный дипломный проект содержит введение, шесть разделов, выводы и список использованных источников. Пояснительная записка содержит 102 страницы текста, 17 иллюстраций, 11 таблиц.

Результатом дипломного проектирования является создание источников примесей бора и фосфора для легирования кремния. Были разработаны и исследованы поверхностные источники на основе спиртовых растворов борной и ортофосфорной кислот.

Результаты дипломного проекта являются актуальными и представляют практическую ценность в технологии изготовления кремниевых солнечных элементов.

В процессе написания дипломного проекта студент выявил способность самостоятельно и творчески работать над научно-технической литературой, показал достаточный уровень инженерной квалификации, дисциплинированность и организованность в решении поставленных перед ним задач.

Дипломный проект имеет творческий и самостоятельный характер, логически структурирован, а также выполнен в полной форме в соответствии с поставленными руководителем задачами в полном объеме и в установленные для этого сроки.

Считаю, что по результатам написанного дипломного проекта студент Гречаник Владимир Александрович полностью подготовлен к самостоятельной инженерной деятельности. Рекомендую оценить дипломный проект как выполненный на "отлично", а студенту присвоить звание специалиста по электронике.

Руководитель дипломного проекта

к.т.н., доцент В.Н. Литвиненко