ВКР: Разработка источников диффузионного легирования для производства кремниевых солнечных элементов

Содержание

• Условия пиролиза некоторых элементоксиорганических соединений
• Соединение
• Состав окисной пленки
• Температура, °С
• Давление, мм рт. ст.
• SiO2
• R R
• По результатам, приведенным в таблице 3.2, можно построить график зависимости xj от времени диффузии.
• Диффузия с использованием твердого планарного источника носит также название диффузии из параллельного источника, так как полупроводниковые пластины кремния и твердый источник размещаются параллельно друг другу.
• Для исследований был взят кремний n-типа (111) с удельным сопротивлением ρ = 2 Ом∙см.
• Особенностью твердого планарного источника на основе BN является то, что перед проведением процесса диффузии его необходимо окислить, чтобы на поверхности образовался тонкий слой B2O3. Во время проведения процесса диффузии пары B2O3 переходят в газовую фазу, реагируют с кремнием с образованием слоя боросиликатного стекла, из которого уже и идет диффузия бора в кремний.
• Температура,°С
• Время диффузии, мин
• Li, мкм
• xji, мкм
• Среднее значение xj, мкм
• Температура,°С
• Время диффузии, мин
• Li, мкм
• xji, мкм
• Среднее значение xj, мкм
• Для устранения недостатков диффузии с применением простых неорганических соединений их смешивают с SiO2, используя метод совместного осаждения из тетраэтоксисилана (ТЭС) – Si(OC2H5)4.
• Исследование этого метода диффузии показало, что исключительно важное значение имеет технология приготовления пленкообразующего раствора. В исходный раствор на основе смеси этилового спирта, ортофосфорной кислоты, воды и нескольких капель сильно разбавленной соляной кислоты добавляется ТЭС. Количества взятых C2H5OH, H3PO4, H2O и Si(OC2H5)4 были взяты в соотношении соответственно 4 : 10 : 5 : 1.
• Результаты измерения световой нагрузочной ВАХ
• ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ