Заключение диссертационного совета (Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaNGaN)

ЗАКЛЮЧЕНИЕ ДИССЕРТАЦИОННОГО СОВЕТА Д 212.131.02 НА БАЗЕ ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «МОСКОВСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» МИРЭА МИНОБРНАУКИ РОССИИ ПО ДИССЕРТАЦИИ НА СОИСКАНИЕ УЧЕНОЙ СТЕПЕНИ КАНДИДАТА НАУК

аттестационное дело № __________________

решение диссертационного совета от 24.10.2017 №82

О присуждении Трофимову Александру Александровичу ученой степени кандидата технических наук.

Диссертация "Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN" в виде рукописи

по специальности 05.27.06 — "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" выполнена в федеральном государственном бюджетном учреждении науки Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В.Г. Мокерова Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН)

принята к защите «20» июля 2017 года, протокол № 77 диссертационным советом Д 212.131.02 на базе федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Московский технологический университет» МИРЭА, Минобрнауки РФ, Москва, 119454, проспект Вернадского, 78. Состав диссертационного совета утвержден в количестве 29 человек 11.04.2012 (№105/нк) с учетом внесенных изменений (приказ от 22.08.2012 №579/нк и приказ от 10.07.2015 № 770/нк).

Соискатель Трофимов Александр Александрович, 1982 года рождения, гражданин Российской Федерации, младший научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН. Соискатель окончил аспирантуру ИСВЧПЭ РАН в период с 03.10.2005 г. по 02.10.2008 г. Диссертация выполнена в федеральном государственном бюджетном учреждении науки Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В.Г. Мокерова Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН).

Научный руководитель — Гамкрелидзе Сергей Анатольевич, доктор технических наук, профессор, директор ИСВЧПЭ РАН.

Научный консультант — Щаврук Николай Васильевич, кандидат технических наук, старший научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН.

Официальные оппоненты:

1. Дорошевич Виктор Казимирович, гражданин РФ, доктор технических наук, профессор, начальник отдела РИУС АО "РТИ"

2. Васильевский Иван Сергеевич, гражданин РФ, кандидат физико-математических наук, доцент кафедры № 67 "Физика конденсированных сред" федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Национальный ядерный университет «МИФИ»

дали положительные отзывы на диссертацию.

Ведущая организация: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (НИУ МИЭТ) в своем положительном заключении, утвержденным Гавриловым Сергеем Александровичем, доктором технических наук, профессором, проректором по научной работе указала, что диссертация представляет собой завершенную научно-исследовательскую работу на актуальную тему, содержит ряд новых и полезных результатов, и ее автор заслуживает присуждения ученой степени кандидата технических наук.

В обсуждении диссертационной работы приняли участие: профессора д.т.н. Мальцев П.П., д.ф.-м.н. Китаева Г.Х., д.ф.-м.н. Юрасов А.Н. д.т.н. Воротилов К.А., д.ф.-м.н. Блантер М.С., д.ф.-м.н. Пасечник С.В., д.ф.-м.н. Мишина Е.Д.

Соискатель имеет 13 опубликованных работ, из них по теме диссертации опубликовано 13 научных работ, в том числе 7 статей в научных журналах и изданиях, которые включены в перечень российских рецензируемых научных журналов и изданий для опубликования основных научных результатов диссертаций.

Соискателем опубликованы 6 работ в материалах всероссийских и международных конференций. Наиболее значимые научные работы по теме диссертации:

1. Гамкрелидзе С.А., Кондратенко В.С., Стыран В.В., Трофимов А.А., Щаврук Н.В. «Влияние методов резки приборных пластин сапфира и карбида кремния на технико-эксплуатационные параметры монолитных интегральных схем» // Приборы, 2017 , № 1, с. 43-50

2. Гамкрелидзе С.А., Кондратенко В.С., Стыран В.В., Трофимов А.А., Щаврук Н.В. «Изучение влияния разработанных базовых технологических маршрутов резки приборных пластин сапфира и карбида кремния на выход годных нитридных СВЧ МИС» // Успехи прикладной физики, 2017, № 1, с. 80-85

3. Трофимов А.А. "Оптимизация толщины подложки приборных пластин сапфира и карбида кремния" // Нано- и микросистемная техника, 2017, № 4, с. 219-226

4. Щаврук Н.В., Редькин С.В., Трофимов А.А., Иванова Н.Е., Скрипниченко А.С., Кондратенко В.С., Стыран В.В. «Разделение приборных пластин из твердого материала на кристаллы» // Нано- и микросистемная техника, 2017, том 19, № 5, с. 317-320

5. Трофимов А.А. «Защита нитридных СВЧ МИС на пластине для операций шлифования, полирования и резки на кристаллы» // Приборы, 2017, № 5, с. 37-43

6. Щаврук Н.В., Редькин С.В., Трофимов А.А., Иванова Н.Е., Скрипниченко А.С., Кондратенко В.С., Стыран В.В. «Разделение высокотвердых полупроводниковых пластин сапфира на монолитные интегральные схемы методом лазерного управляемого термораскалывания» // Микроэлектроника, 2017, т. 46, № 3, с. 1-5

7. Трофимов А.А. «Режимы шлифования и полирования пластин из сапфира и карбида кремния, содержащих СВЧ монолитные интегральные схемы» // Прикладная физика, 2017, № 3, с. 89-95

На диссертацию и автореферат поступило 5 отзывов

1. От Тегаева Р.И., начальника КБ2, АО "НПП Радий", кандидата физико-математических наук — отзыв положительный.

2. От Великовского Л.Э., главного технолога НПК "Микроэлектроника" АО НПФ "Микран" — отзыв положительный.

3. От Сейдмана Л.А., ведущего специалиста по технологиям, старшего научного сотрудника Ао "ГЗ Пульсар", кандидата технических наук — отзыв положительный. В качестве недостатка отмечается неудачность термина "разделение на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем". Дело в том, что здесь имеется ввиду не разделение самих интегральных схем, а разделение подложек их содержащих. Более уместно было бы "разделение подложек, содержащих сверхвысокочастотные монолитные интегральные схемы, на отдельные интегральные схемы".

4. От Ильичёва Э.А., профессора НИУ МИЭТ, доктора физико-математических наук — отзыв положительный.

5. От Коновалова А.М., начальника "СКБ по разработке широкозонной СВЧ и силовой ЭКБ, МИС и модулей" АО "ГЗ Пульсар" — отзыв положительный. В качестве замечаний отмечаются следующие: в тексте автореферата не указано название программной среды, при помощи которой производилось компьютерное моделирование; также в автореферате представлен узкий спектр электрофизических параметров СВЧ МИС, на которые может влиять техпроцесс утонения и разделения пластины на кристаллы. Отсутствуют данные влияния техпроцессов на пробивные напряжения, токи утечки, токи насыщения СВЧ транзисторных структур МИС.

Выбор официальных оппонентов и ведущей организации обосновывается тем, что они являются одними из ведущих специалистов в данной области.

Диссертационный совет отмечает, что в результате выполненных соискателем исследований:

1. Предложен оригинальный метод механической защиты СВЧ МИС со сложными конструктивными особенностями полимерным слоем с учетом его планаризации.

2. Впервые разработан комплексный подход к определению диапазона оптимальных толщин подложки сапфира и карбида кремния для приборов на нитридных гетероструктурах на основе компьютерного моделирования и математических расчетов тепловыделения приборов и деформации пластины вследствие внутренних напряжений.

3. Достигнуты рекордные для отечественных технологий результаты по утонению приборных пластин сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN на основе сапфира и карбида кремния — разброс по толщине менее 2 мкм при шехороватости около 2 нм и конечной толщине пластины 130-140 мкм.

4. Разработан технологический процесс разделения приборных пластин сапфира и карбида кремния на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN с выходом годных не менее 92%.

Теоретическая значимость исследования: экспериментальные данные, полученные в работе, объяснены с использованием апробированных теоретических методов.

Значение полученных соискателем результатов исследования для практики подтверждается тем, что: разработанные технологические процессы разделения пластин сапфира и карбида кремния на кристаллы СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN могут быть использованы в производстве современных СВЧ МИС на основе нитридных наногетероструктур.

Результаты исследований использованы ИСВЧПЭ РАН в опытно-конструкторской работе по заказу Минпромторга и прикладных научных исследованиях по заказу Минобрнауки.

Оценка достоверности результатов исследования выявила: что полученные результаты не противоречат современным теоретическим представлениям; что результаты диссертации неоднократно апробированы на конференциях; что все основные результаты опубликованы в научных журналах из перечня ВАК.

Все вышеперечисленное в совокупности свидетельствует о достоверности полученных результатов и сделанных на их основании выводов.

Автором был установлен допустимый диапазон конечных толщин подложки для кристаллов СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN. Автор разработал решение для надежной защиты СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN со сложными конструктивными особенностями при операциях шлифования, полирования и резки Также автор экспериментально определил режимы одностороннего шлифования и полирования свободным абразивом обратной стороны приборных пластин сапфира и карбида кремния, содержащих СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN, выполнил анализ влияния разработанного технологического процесса разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN на электрофизические параметры СВЧ МИС. Постановка задач, выбор и обоснование методов их решения и интерпретации полученных результатов проведены совместно с руководителем.

В диссертации решены основные вопросы поставленной научной задачи, она соответствует критерию внутреннего единства, что подтверждается наличием последовательного плана исследования и непротиворечивой методологической платформы и взаимосвязанностью выводов.

На заседании 24.10.2017 года диссертационный совет принял решение присудить Трофимову Александру Александровичу ученую степень кандидата технических наук.

При проведении тайного голосования диссертационный совет в количестве 23 человека, из них 7 докторов наук по специальности диссертации, участвовавших в заседании, из 29 человек, входящих в состав совета,
проголосовали: за присуждение учёной степени - 23, против присуждения учёной степени - 0, недействительных бюллетеней нет.

Зам. председателя

диссертационного совета А.Н. Юрасов

Ученый секретарь

диссертационного совета Л.Ю. Фетисов

24.10.2017

3