Сведения об официальном оппоненте 3 (Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах)
Описание файла
Файл "Сведения об официальном оппоненте 3" внутри архива находится в следующих папках: Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах, Документы. Документ из архива "Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора технических наук.
Онлайн просмотр документа "Сведения об официальном оппоненте 3"
Текст из документа "Сведения об официальном оппоненте 3"
Сведения об официальном оппоненте
Першенков Вячеслав Сергеевич, доктор технических наук, профессор.
Научная специальность: 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах.
Место работы: Национальный исследовательский ядерный университет НИЯУ «МИФИ», заведующий кафедрой «Микро- и наноэлектроника».
Список публикаций за пять лет по теме диссертации Журавлевой Л.М. «Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах»:
1) Першенков В.С. и др. Система задания и контроля температуры при экспериментах на циклотроне по исследованию одиночных сбоев в микросхемах РИНЦ. // Ядерная физика и инжиниринг, 2011, № 6.
2) Першенков В.С. и др. Расчетный метод оценки стойкости биполярных приборов к воздействию ионизирующих излучений низкой интенсивности и использование конверсионной модели РИНЦ. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 2011, № 4.
3) Першенков В.С. и др. Использование источников рентгеновского, ультрафиолетового излучения и коронного разряда в спектрометрии ионной подвижности РИНЦ. // Ядерная физика и инжиниринг, 2011, № 6.
4) Першенков В.С. и др. Экстракция подстроечных параметров конверсионной модели эффекта низкой интенсивности в биполярных приборах РИНЦ. // Микроэлектроника, 2012, № 6.
5) Першенков В.С. и др. Конструирование малогабаритного спектрометра ионной подвижности на основе технологии печатных плат РИНЦ. // Датчики и системы, 2012, № 11.
6) Pershenkov V.S. Extracting the fitting parameters for the conversion model of enhanced low dose rate sensitivity in bipolar devices Scopus. // Russian Microelectronics, 2013, № 1.
7) Pershenkov V.S. The hydrogenic-electron model of accumulation of surface states on the oxide-semiconductor interface under the effects of ionizing radiation Scopus. // Russian Microelectronics, т. 43, 2014, № 2.
8) Pershenkov V.S. Mechanism of anomalous recovery in advanced SiGe bipolar transistors after low dose rate irradiation for very high total doses Scopus. // Russian Microelectronics, т. 43, 2014, № 2.
9) Pershenkov V.S. Temperature control system for the study of single event effects in integrated circuits using a cyclotron accelerator Scopus. // Microelectronics Reliability, т.54, 2014, № 11.