Схема изготовления затвора (подписанное) (Мощный СВЧ транзистор с барьером Шоттки на GaN, с затвором, сформированным с помощью электронной литографии)
Описание файла
Файл "Схема изготовления затвора (подписанное)" внутри архива находится в следующих папках: Мощный СВЧ транзистор с барьером Шоттки на GaN, с затвором, сформированным с помощью электронной литографии, Приложение диплома (подписанное). Документ из архива "Мощный СВЧ транзистор с барьером Шоттки на GaN, с затвором, сформированным с помощью электронной литографии", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "дипломы и вкр" из 12 семестр (4 семестр магистратуры), которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диплом" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Схема изготовления затвора (подписанное)"
Текст из документа "Схема изготовления затвора (подписанное)"
Страница | 4
Схема изготовления затвора
Фамилия | Подпись | Дата | МИРЭА, ФЭ, гр. ЭМ-1-02 | ||
Студент | Ефименков | 20 февраля 2008 года | Схема изготовления затвора | Лист №4 | |
Консультант | Гладышева | 20 февраля 2008 года | Кафедра твердотельной электроники | ||
Руководитель | Васильев | 20 февраля 2008 года | |||
Утвердил | Васильев | 20 февраля 2008 года |