Отзыв Гладышева (Мощный СВЧ транзистор с барьером Шоттки на GaN, с затвором, сформированным с помощью электронной литографии)

Отзыв

На дипломную работу студента гр. ЭМ-1-02 МИРЭА

Ефименкова Ю.Р.

На тему «Мощный СВЧ транзистор с барьером Шоттки на GaN с затвором, сформированным с помощью электронной литографии»

Целью настоящей дипломной работы являлась отработка технологического процесса создания транзистора на GaN с затвором, сформированным методом электронной литографии, с шириной затвора 500 мкм. Актуальность выбранной темы очевидна, так как приборы на таких широкозонных структурах являются п/п приборами нового поколения, которые превосходят приборы на кремнии и арсениде галлия не только по удельной плотности мощности Р_вых/мм, но и по возможности работы в экстремальных условиях.

В процессе выполнения работы дипломант проявил себя грамотным инженером, способным к самостоятельному решению поставленных перед ним задач.

В ходе работы был проведён анализ литературных источников по изготовлению транзисторов на основе GaN, анализ литературы по оптимальному проведению процесса формирования затвора методом ЭЛ. С участием дипломанта изготовлены и исследованы несколько образцов транзисторов. Анализ полученных дипломантом результатов позволил сделать вывод, что в данных условиях оптимальной является система металлизации Ti-Al-Pt, Ti-Au, Ni-Au, и данная система используется в изготовлении приборов.

К недостаткам можно отнести выполнение экспериментов на устаревшем оборудовании электронно-лучевой литографии, и как результат, получение плохих результатов.

Несмотря на отмеченные недостатки выполненная работа заслуживает высокой оценки, а дипломант Ефименков Ю.Р. присвоения ему квалификации инженер электронной техники.

Кроме того, затрагиваемая в работе проблема заслуживает продолжения работы в этой области и дипломант может быть рекомендован для поступления в аспирантуру.