Конструкция быстродействующего устройства ЭВМ с интеграцией 50000 ЛЭ, страница 5

9.2. Электрические параметры соединителя МУС.

Помимо параметров надежности контактная пара характеризуется переходным сопротивлением (0,01-0,02 Ом), максимальным рабочим током, нестабильности переходного сопротивления (20-30%), максимальной частотой тока, усилием соединения и разъединения контактов, износоустойчивостью и допустимым условиям эксплуатации.

Необходимость введения в схему разъёмного соединения продиктовано следующими факторами эксплуатации:

1. Согласование схемы.

2 .Обеспечение блочности конструкции.

3. Упрощение эксплуатации.

4. Повышение ремонтопригодности.

10. Технологическая часть

Технология производства комплементарных МОП структур заключается в формировании n - и p - канальных транзисторов на одном кристалле.

По сравнению с n - канальными МОП ИС КМОП схемы имеют ряд преимуществ. Они потребляют меньшую мощность, имеют большую помехоустойчивость и высокую нагрузочную способность по выходу.

К их недостаткам следует отнести несколько меньшую степень интеграции и большее время переключения, т. к. на каждый функциональный элемент приходится дополнительная площадь.

Технология производства СБИС представляет собой результат развития технологии изготовления СБИС, однако, в связи с увеличением степени интеграции и уменьшением размеров рисунка, необходимо обеспечить более высокую точность обработки.

В общем случае технологический процесс изготовления СБИС можно разделить на две составные части:

• Технологический процесс изготовления коммутационного элемента конструкции (кристалла)

• Технологический процесс сборки СБИС (корпусирование).

Типовой технологический процесс изготовления кристалла СБИС включает в себя:

• экспонирование

• формирование рисунка

• изготовление шаблонов

• травление

• диффузии

• имплантации ионов

• химическое осаждение из газовой фазы

• термическое окисление.

Достижение высокой точности обработки сопряжено с решением сложных технических проблем. Точность горизонтальной структуры СБИС определяется точностью формирования рисунка на слое фоторезиста в процессе экспонирования, совмещения слоев, а также точностью диффузии и травления. Точность вертикальной структуры определяется точностью изготовления пленок методом химического осаждения из газовой фазы, а также точностью определения глубины травления и процесса диффузии.

Технологический процесс сборки СБИС включает в себя:

• крепление коммутационного элемента на керамическое основание корпуса

• распайка микропроволокой соответствующих контактов кристалла на контактные площадки керамической подложки

• очистка паяных соединений и внутренних частей СБИС

• герметизация корпуса СБИС с откачкой воздуха из внутренних частей корпуса

• маркировка СБИС

• окончательный контроль

Заключение

В данном курсовом проекте была выполнена разработка сверхбольшой интегральной схемы с интеграцией 50000 эквивалентных логических элементов. Полученная в результате проектирования СБИС удовлетворяет условиям заданным в техническом задании.

Литература

1. Микитин В.М., Смирнов Н.А., Тювин Ю.Д. Электронное конструированиеЭВМ. Основы компоновки и расчета параметров конструкций: Учебное пособие / Моск. гос. ин-т радиотехники, электроники и автоматики (технический университет).- М.: 2000.

1. Основы построения технических средств ЕС ЭВМ на интегральных микросхемах/ В.В.Саморуков, В.М.Микитин, В.А.Павлычев и др. под общей редакцией Б.Н.Файзулаева. – М.: Радио и связь, 1981.

1. Преснухин Л.Н., Шахнов В.А. Конструирование электронных вычислительных машин и систем. Учеб. для втузов по спец. "ЭВМ" и "Конструирование и производство ЭВА".-М.: Высш.шк., 1986.

1. Савельев А.Я., Овчинников В.А. Конструирование ЭВМ и сис­тем: Учеб. для вузов по спец. "Выч.маш., компл.,сист. и сети". 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш.шк., 1989.

1. Применение интегральных микросхем в электронной вычислите­льной технике: Справочник / Р.В.Данилов, С.А.Ельцова, Ю.П.Иванов, В.М.Микитин и др.; Под ред. Б.Н.Файзулаева, Б.В.Тарабрина.- М.: Радио и связь, 1987.

27