lr_s1po4 (Четыре лабы)

МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ

Лабораторные работы

по предмету

МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Выполнил ст.

гр. ВРУ-3-02

Проверил

____________________

____________________

2005

Лабораторная работа М–1

“Исследование схем включения транзисторных структур в качестве интегрального диода”

Цель работы:

1. Изучить схемы включения транзисторных структур в качестве интегральных диодов, являющихся элементами интегральных схем.

2. Приобрести практические навыки измерения параметров и ВАХ интегральных транзисторов, включенных в качестве интегральных диодов.

На рис. 1.1 представлены пять возможных схем включения транзистора для использования в качестве диода.

На рис. 1.2 приведена схема электрическая принципиальная лабораторного стенда.

I) Измерить напряжение пробоя для всех пяти схем включения биполярного транзистора в качестве диода. За пробивное напряжение принимается напряжение, при котором обратный ток =90 мкА. Обратный ток измеряется при напряжении . Прямое падение напряжения измеряется при прямом токе равном 5 мА.

В таблице 1.1 представлены экспериментальные данные, измеренные по схеме рис. 1.2.

Таблица 1.1

II) Снять зависимость прямого падения напряжения от прямого тока для двух схем включения МОП-транзистора в качестве диода. Схема электрическая принципиальная лабораторного стенда приведена на рис. 1.3.

Прямое падение напряжения измеряется при токе 5 мА. При снятии ВАХ МОП-транзистора в диодном включении изменять значения прямого тока в диапазоне от 0,5 мА до 6,0 мА.

В таблице 1.2 представлены экспериментальные данные, измеренные по схеме рис. 1.3.

Таблица 1.2

Используя данные таблицы 1.2 построим графики ВАХ для МОП-транзистора в диодном включении. На рис. 1.4 представлен график при замыкании истока и подложки МОП-транзистора, а на рис. 1.5 представлен график при замыкании стока и подложки МОП-транзистора.

Лабораторная работа М–2

“Исследование МОП-структур”

Цель работы:

Изучение принципа действия и вольтамперных характеристик МОП-структур. В работе должны быть исследованы МОП-транзисторы и инверторы, в которых МОП-транзистор выполняет функции резистора.

I) Исследование МОП-транзистора.

На рис. 2.1 показана электрическая схема лабораторного стенда для снятия ВАХ МОП-транзистора.

Изучим стоко-затворные характеристики МОП-транзистора с индуцированным каналом при двух значениях = –2 В, –4 В. Стоко-затворные характеристики полученные экспериментальным путем отображены в таблице 2.1.

Таблица 2.1

Графики стоко-затворных характеристик представлены на рис. 2.2.

Рассмотрим выходные характеристики МОП-транзистора с индуцированным каналом при = –10, –12, –15 В. Выходные характеристики, полученные экспериментальным путем, отображены в таблице 2.2.

Таблица 2.2

Графики выходных характеристик представлены на рис. 2.3.

Рассмотрим стоко-затворные характеристики МОП-транзистора со встроенным каналом при двух значениях = 2 В, 4 В. Стоко-затворные характеристики полученные экспериментальным путем отображены в таблице 2.3.

Таблица 2.3

Графики стоко-затворных характеристик МОП-транзистора со встроенным каналом представлены на рис. 2.4.

II) Исследование инвертора на МОП-транзисторах.

Н а рис. 2.5 показана схема электрическая лабораторного стенда для изучения МОП-инвертора.

Рассмотрим зависимость для МОП инвертора при трех значениях напряжения на затворе нагрузочного транзистора при .

Передаточные характеристики полученные экспериментальным путем для схемы рис. 2.5 отображены в таблице 2.4.

Таблица 2.4

Лабораторная работа М–5