ЛР3 (Лабораторная работа №3)
Описание файла
Файл "ЛР3" внутри архива находится в следующих папках: Лабораторная работа №3, [МИС] ЛР 3. Документ из архива "Лабораторная работа №3", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "микроэлектроника и схемотехника (мис)" из 4 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лабораторные работы", в предмете "микроэлектроника и схемотехника (мис)" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "ЛР3"
Текст из документа "ЛР3"
Ключевой режим работы транзистора
-------------------------------------------------
4 состояния биполярного транзистора:
1) насыщение - оба перехода (база-коллектор) открыты, напряжениен а транзисторе минимально,
сопротивление минимально (десятки-сотни Ом), максимальный ток (ток насыщения) коллектора
2) отсечка тока - транзистор заперт, оба перехода закрыты, обратный ток коллектора минимальный (доли микроампер), сопротивление
велико (сотни килоОм, единицы мегаОм)
3) Нормальный Активный Режим - коллекторный переход закрыт, эимттерный открыт
4) Инверсный - эмиттерный заперт, коллекторный открыт
Схема с общим эмиттером - усилитель-ограничитель, усиление по напряжению, нелинейный режим работы, происходит инверсия сигнала,
инвертор по фазе
Rк | 130 | 510 | 1к | 2к | 5,1к | 10к |
Iб | ||||||
Iк | ||||||
Uкэ | ||||||
Ki |
Ki = Iк/Iб
Время рассасывания заряда неосновных носителей в области базы, определяется глубиной насыщения. Время рассасывания является определяющим с точки зрения инерционности транзистора. Диоды Шотки препятствуют накоплению избыточного заряда (безыненрционные диоды), ненасыщенные диоды. Такая элементная база — ТТЛ схема, повышенное быстродействие
Cн — ёмкость нагрузки, 15-50 пкФ