Исследование вольтамперных характеристик биполярного транзистора (Готовые лабораторные работы), страница 2

По своей форме входные характеристики транзистора КТ203В близки к экспоненциальной зависимости. Изменение напряжения на коллекторе в активном режиме не влияет на входную характеристику (при Uk=5 B). При выходе транзистора в режим насыщения (Uk=0) входная характеристика сдвигается «влево».

Из результатов расчета следует, что с ростом тока транзистора его выходное сопротивление уменьшается. Для транзистора малой мощности (на примере КТ203Б) выходное сопротивление меняется в диапазоне 6000 – 32 000 Ом.

Передаточная характеристика близка к экспоненциальной зависимости и подтверждает, что с увеличением базового напряжения (для активного режима) ток коллектора увеличивается.

Из представленных зависимостей входных сопротивлений по постоянному и переменному токам от тока эмиттера видно, что с ростом тока эмиттера входные сопротивления уменьшаются, при этом в активном режиме сопротивление по переменному току транзистора более, чем на порядок меньше сопротивления по постоянному току.

Из зависимостей изменения коэффициентов передачи тока транзистора В и  следует, что транзистор КТ203В предназначен для работы в схемах с эмиттерными токами больше 1.5 мА , в диапазоне которого коэффициенты передачи тока базы уменьшаются не более, чем на 20%.

Из рис. 8 следует, что крутизна транзистора растет с увеличением тока эмиттера, пока он не превышает допустимой максимальной величины (с 5 мА наблюдается уменьшение скорости нарастания крутизны).

Таким образом, из приведенных результатов экспериментального исследования ВАХ модели транзистора К203В следует, что данная модель транзистора достаточно хорошо отражает его основные статические параметры. Результаты моделированию близки к паспортным данным транзистора.