РПЗ (Технология рентгенолитографии), страница 8

Рис. 59.

Рис. 60.

Рис. 61.

Заключение:

В результате выполнения курсового проекта были рассмотрены и проанализированы изделия современной микроэлектроники, а также методы современной микролитографии, с помощью которых можно изготовить эти изделия.

Подробно рассмотрен процесс рентгенолитографии. Разработана схема процесса и технология рентгенолитографии.

Рассчитано влияние микрозазора на профиль распределения интенсивности на поверхности фоторезиста. Выявлено, что при зазорах свыше 15 мкм изображение теряет контрастность.

Проанализированы основные элементы степпера. Проанализирована система совмещения имеющая погрешность совмещения 0,08 мкм.

Создан спутник для п/п пластин на основе электростатического прижима с использованием материала – электрета.

Разработан пьезопривод точных перемещений.

Библиография

1. Kevin Kemp, Ph. D. “Lithography Challenges for IC Manufacturing”.

2. Слободчикова И. В. «Дипломный проект: Технология изготовления фотонных кристаллов».

3. Robert Mohondro, The Advanced Lithography Group, Columbia, Maryland, USA “Ion projection lithography: Life after optical”

4. Цветков Ю. Б. «Конспект лекций по микролитографии» ч. 1.

5. Цветков Ю. Б. «Конспект лекций по микролитографии» ч. 2.

6. Сажнев С. В. «Разработка функциональных узлов и повышение точности установок рентгенолитографии с точечным источником излучения». Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук.

7. US Patent 5.930.324. “Exposure apparatus and device manufacturing method using the same” Shin Matsui and offers Jul. 27,1999

8. US Patent 5,398,271 “Exposure apparatus” Nishida; Jun (Kanagawa, JP); Uchida; Norio (Kanagawa, JP); Kikuiri; Nobutaka (Tokyo, JP) March 14, 1995

9. www.elettra.trieste.it/index.php

10. www.bell-labs.com