F_06_magn (Лекции (Ляхова)), страница 4
Описание файла
Файл "F_06_magn" внутри архива находится в следующих папках: Лекции (Ляхова), Ляхова. Документ из архива "Лекции (Ляхова)", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико химические основы электроники" из 3 семестр, которые можно найти в файловом архиве МАИ. Не смотря на прямую связь этого архива с МАИ, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лекции и семинары", в предмете "физико химические основы электроники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "F_06_magn"
Текст 4 страницы из документа "F_06_magn"
Постоянное поле, ориентируя магнитные моменты, упорядочивает внутреннюю структуру материала, в том числе изменяет удельное электрическое сопротивление. Магнетики изменяют свое сопротивление при воздействии магнитного поля в результате
- переориентации магнитных диполей и, следовательно, изменения плотности и удельного сопротивления B:
( B - 0 ) / 0 = 3.03 2 B2 ,
- изменения траектории линии тока в соответствии с эффектом Холла.
Магниторезистивное отношение NR - отношение величин сопротивлений в магнитном поле (RB) и без него (R0): NR = RB / R0 .
Материал | NR |
Эвтектический сплав САИН из In Sb - Ni Sb | 2.8 ............. 4.5 |
Сплав СМУ из In Sb - Ga As | 3.3 |
Магнитоуправляемые резисторы используются в качестве датчиков положения в магнитном поле (в том числе поле Земли), распознавания образа ферромагнитных объектов.
Рис. Магниторезистивный датчик из пленки пермаллоя и мостовая измерительная схема.
Внешнее магнитное поле поворачивает вектор намагниченности пленки на угол θ. При этом сопротивление датчика будет: R = R0 + ΔR cos 2θ.
Гигантское магнитное сопротивление.
Помимо магниторезистивного эффекта, с помощью нанотехнологии возможна реализация «гигантского » магниторезистивного эффекта (ГМР эффекта). Магнитные моменты в трехслойной пленке могут быть параллельны (ферромагнитная [ФМ] конфигурация) или антипараллельны (антиферромагнитная [АФМ] конфигурация).
Рис. Многослойная структура, реализующая гигантское магнитосопротивление (направление спина обозначено синими и красными стрелками).
Если ориентация спина не совпадает с магнитным моментом слоя (АФМ-конфигурация), электрон не может попасть в этот слой, и электросопротивление становится больше. После перехода конфигурации из антиферромагнитной в ферромагнитную при возрастании внешнего магнитного поля электрон способен перескочить в смежный слой, и сопротивление значительно уменьшается. Этот эффект и называется гигантским магниторезистивным (ГМР).
Рис. Считывающая – записывающая головка, использующая ГМР датчики. Плотность записи не менее 100 ГГб/дюйм2.
Магнитный туннельный переход.
Аналогичный спин - зависимый эффект наблюдается в структурах с магнитным туннельным переходом (Magnetic Tunnel Junction, MTJ) типа ферромагнетик - диэлектрик - ферромагнетик. Магнитный туннельный переход происходит в наноструктуре, состоящей из двух слоев ферромагнетика, разделенных изолятором (обычно это оксид алюминия Al2O3) толщиной менее 2 нм. Электрон может туннелировать через него. Для разных спинов вероятность их туннелирования будет отличаться. Если магнитные моменты смежных слоев направлены параллельно, проводимость магнитного туннельного перехода велика, а если намагниченности антипараллельны, то вероятность туннелирования мала, то есть электросопротивление большое. Таким образом, имеются условия для возникновения туннельного магниторезистивного эффекта (ГТМР). Максимальная величина ГТМР эффекта, наблюдаемого в таких структурах при комнатной температуре, составляет около 220%. Наноразмерные магнитные структуры с эффектами ГМР и ГТМР нашли применение в датчиках магнитного поля, считывающих головках жестких дисков и энергонезависимой магниторезистивной памяти
Магнитореологические композиции.
Магнитореологическая жидкость (МРЖ) - это суспензия мелкодисперсных ферромагнитных частиц в масле (коллоидные кластеры). Внешнее магнитное поле ориентирует частицы, увеличивая вязкость жидкости до значений, характерных для твердого состояния.
Рис. Структура магнитной жидкости вне (off) и в (on) магнитном поле.
МРЖ используются в демпферах механических колебаний оборудования с двигателями, сейсмических воздействий, затворах (вентилях), динамиках, полировочных устройствах
Магнитная жидкость используется в качестве защитного элемента. Она удерживается магнитным полем в кольцевом зазоре между вращающимся валом и неподвижным корпусом. Жидкость не пропускает частицы пыли внутрь дисковода.
Рис. Схема дисковода компьютера (магнитореологическая жидкость – черная, полюса магнита – красный и синий).
В отличие от обычных жидкостей, в МРЖ могут возникать объемные и поверхностные силы, крутящие моменты - в зависимости от поведения внешнего магнитного поля. Кластеры вовлекают в движение жидкость. Формируется управляемое гидромеханическое движение. В отсутствие гравитации, например, в космосе, можно с помощью МРЖ поддерживать конвекцию среды
Ферромагнитные частицы, будучи добавленными в резиноподобные полимеры, образуют магнитореологические эластомеры (МРЭ). В магнитном поле ориентирование частиц приводит к изменению размеров образца МРЭ, что может быть использовано в микроприводах.
СКВИД для магнитных исследований.
Сверхпроводящий квантовый интерференционный детектор (СКВИД), наряду с индикацией электрических сигналов и электромагнитных полей, реагирует на изменение напряженности магнитного поля. (Фаза волны куперовской пары может быть изменена в том числе и магнитным полем, направленным вдоль плоскости джозефсоновского перехода перпендикулярно потоку туннелирующихся пар.) Зависимость тока в сверхпроводящем переходе Джозефсона от магнитного поля позволяет измерять очень слабые магнитные поля с B < 10-11Тл (верхний предел). Это можно использовать в геофизике для прогнозирования землетрясений: магнитные поля пород, располагающихся по разломам земной коры, изменяются за несколько дней до землетрясения.
Этим же методом можно зафиксировать магнитные поля с В = 10-12 Тл, создаваемые биотоками организма - магнитограммы. Биотоки внутренних органов сильнее, чем токи кожных покровов, поэтому последние их практически не экранируют. По сравнению с электрическими магнитные измерения не требуют контактов, поэтому не вносят искажений.
Чувствительность СКВИДов к слабым магнитным полям в широком диапазоне частот можно использовать в сканирующих магнитных микроскопах (СММ), которые позволяют с высоким пространственным разрешением регистрировать магнитные поля, генерируемые вихревыми токами, токами утечки в интегральных схемах или магнитотактильными бактериями. В магнитном микроскопе образец сканируется близко расположенным СКВИДом, в то время как компьютер регистрирует сигнал со СКВИДа в зависимости от его положения по отношению к образцу. Первые варианты магнитных микроскопов использовали СКВИДы на базе традиционных, низкотемпературных, сверхпроводников. Они работали при температуре жидкого гелия и предназначались для исследования образцов, так же находящихся при низкой температуре. Необходимость поддерживать СКВИД при гелиевой температуре сдерживала широкое применение СКВИД - микроскопов. Пользователи таких микроскопов испытывали значительные трудности с совмещением и позиционированием СКВИДа относительно образца, а также при загрузке и перезагрузке образцов. Использование высокотемпературных сверхпроводников делает. возможной работу устройства при температуре жидкого азота.
Материалы с магнитными функциями | |
Mn-Zn-ферриты, г-Fe2O3, CrO2 | Головки и ленты для звуко- и видеозаписи. |
Mn-Zn- и Ni-Zn-ферриты | Детали трансформаторов |
Li-Mn-ферриты, R3Fe5O12 | Элементы памяти ЭВМ |
Ni-Zn-ферриты | Магнитострикционные фильтры и вибраторы |
(Mn1-xZnx)Fe2O4 | Магнитопроводы |
Y2Fe5O12, Li-Zn-Ti-ферриты | Антенны дальней связи (СВЧ) |
BaFe12O19, SrFe12O19 | Радиопоглощающие покрытия, постоянные магниты для статоров |