Курсач_2003 (Подборка образцов), страница 2
Описание файла
Файл "Курсач_2003" внутри архива находится в папке "Филиков". Документ из архива "Подборка образцов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физика полупроводниковых приборов и интегральных схем" из 8 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "физика полупроводниковых приборов и интегральных схем" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Курсач_2003"
Текст 2 страницы из документа "Курсач_2003"
Расчет диффузионной емкости
Проведем расчет диффузионной емкости при 300 К. Т.к. в этой формуле стоит ток прямой ветви ВАХ, зная его, можем также определить соответствующие значения напряжения.
Ниже приведены уменьшенные копии графиков диффузионной емкости в зависимости от тока и напряжения, а также таблица некоторых рассчитанных значений.
| I, А | U, В | С, Ф |
| 0,1 | 0,532724 | 3E-10 |
| 0,2 | 0,550659 | 6E-10 |
| 0,3 | 0,561151 | 9E-10 |
| 0,4 | 0,568594 | 1,2E-09 |
| 0,5 | 0,574368 | 1,5E-09 |
| 0,6 | 0,579086 | 1,8E-09 |
| 0,7 | 0,583074 | 2,1E-09 |
| 0,8 | 0,58653 | 2,4E-09 |
| 0,9 | 0,589577 | 2,7E-09 |
| 1 | 0,592303 | 3E-09 |
См. также. рис.11 и рис.12 в приложении.
Описание инжекционной способности перехода
Величина эффективности инжекции определяется отношением тока электронов к току дырок.
Полученный результат говорит о низкой инжекционной способности перехода.
