promel (Электроника учебник), страница 114

— — на нолевых транзисторах 226. Логический элемент И 218, — — ИЛИ 218. — — НЕ 220, 226. Матричный экран 278. МДП-микросхемы 84. М((П-транзистор 65, 70, — — с встроенным каналом 70. — — с индуцпрованиым каналом 72. Метод основной гармоники 459, — фазовой плоскости 422, Микропроцессор 257. Микросхемы 83. — аналоговые 86. — биполярные ВЗ. — гибридные 85. — совмещенные 86, — цифроиые 86. Минимизация функции 2!2. Мпятерм 2!2. Многоканальная спстеыа управле- ния 38!.

Модуляции базы эффект 50. Мощности коэффициент 350, 36 1, 365, 394, 403. Мощные (силовые) диоды 35. Мультивибратор — несимметричный 189, — симметричный 187. Мультиплексный метод управления индикаторами 267. Напряжение диода обратное 28, 30, 38, 40. Напряжение слгещения электронно- дырочного перехода 24, 27. Насыщения транзистора коэффици- ент 181, Начальный (сквозиой) ток транзис- тора 54. Неинвертирующнгй вход усилите- ля 150 — усилитель 157. Нематический жидкий кристалл 281, Непосредственный преобразователь частоты 3!5, 373. Нелинейных искажений коэффи- циент 120. Несимметричный мультивибратар 189.

Носители заряда иеосновные в примесном полупроводнике 13, !5. — — основные в прнмссном полу- проводнике 13, !5. — — собственные в беспримесаом полупроводнике 11. Нулевой диод 323. Нуль-орган 380, 386, Область отсечки коллекторного то- ка транзистора 55. Обратная ветвь вольт-амперной ха- рактеристики диода 27. Обратная сиязь в усилителе !3!. — отрицательная 133 — положительная 133. Обратное напряженке диода 28, 30, 38, 40.

Обратный выпрямитель в ниверторе тока 467. Обра~ный ток диода 28, 30, 37, 40, — — коллекториого перехода 48, Ограничительная характеристика ведомого иниертора 361, 364 Одиовибратор !92, Одноканальная система управления 381, Однотактный регистр сдвига 249. Операционный усилитель 150, !84, Опрокидывание инвертора 355, Основные носители заряда в прк- месиом полупроводнике 13, 15. Остаточное напряжение транзпсто- ра 178. Остаточный ток транзистора 178, Охлаждение диодов 35. Ошибка сннфазная усиления 148. Падение напряжения в диоде 25.

Параллельная коммутация 4!3, Параллельное соединение диодов 39. Параметрический стабилизатор 306. Передачи тока коэффициент 47, 54. Переноса носителей заряда иоэффи- цнент 47. Переход электронно-дырочный 20. — — несимметричный 21. — — коллекторный 43, 45, 47, 76. — — эмиттерный 43, 45. Планарный транзистор 64.

Подвижность носителей заряда 18. Покоя режим 90, 91, 93. Полевой транзистор 64. — — с встроенным каналом 64, 70. — — с индуцнрованиым каналом 64, 72. — — с электронно-дырочным пере. ходом 64, Положительная обратная связь в усилителе 133. Полоса пропускания усилителя !14, Полупроводник беспримесный 10. — дырочный 14, — примесный 12, — электронный 13. Полупроводниковый диод 20. — индикатор 277. — светодиод 277. — стабилитрои 42. Порог отпускаиия триггера 186.

— срабатывания тряггера 186. Последовательная коммутация 413, Последовательное соединение диодов 40. Потенциальный барьер 23. Преобразователь частоты непосред- ственный 315, 3?3. — переменного напряжения 315, 392. — постоянного напряжения 405, — реверсивный 369 Приведенный дрейф усилителя !!3, Примесный полупроводник 12. Примесь акцепторная 14. — доиорная 12. Принудительная коммутация 410, 453. Принцип Паули 7. Пробой электронно-дырочного пере- хода 30. — — — лавиииый 31. — — — тепловой 31. — — — туннельиый 31. — — — электрический 30. 492 Прямая ветвь вольт-амперной ха- рактеристики диода 24, Пульсации коэффициент 292, ЗЗЗ, 336. Равновесная концентрация носителей заряда 12, 15.

Раздельное управленне реверсивным преобразователем 373. Разность потенциалов контактная а электронно-дырочном переходе 23. Разрешенная энергетическая зона в полупроводнике 8. Реверсивный преобразователь 369, Реверсивный импульсный преобразователь 435. Регистр 247. Регулировочная характеристика ведомого иниертора 359. — — преобразователя переменного напряжения 393.

— — управляемого выпрямителя 320, 342. Рекуператизное торможение электрической машины 366. Режим покоя усилительного каска. да 90, 91, 93. Режим управлении реверсивным преобразователем раздельный 373. — — — — согласованный 370. — — — — совместный 369. Резонансный инвертор 439, 475. Рекомбинация носителей заряда 12. — — — прямая 17. — — — с участием ловушии 17, 41.

Светодиод 277. Свободная энергетическая вона 8. Свойство управляющее транзисто- ра 48. Сглаживания коэффициент 295, 296, 297. Сглаживающий фильтр 288, Сдвига коэффициент 350. Сетевой фильтр 349. Симистор 74, 82. Симметричный мультивибратор 187. Сннфазная ошибка усиления !48. Синхронная система управления 380. Система управления 379, — — асинхраниаь 380, 391. — — импульсно-фазовая 379.

— — многоканальная 361. — — одноканальная 38!. — — синхронная 380. Собственные носители заряда в по- лупроводнике 11. Соиместное управление реверсязиы- ми преобразователями 370. Согласованное управление реверсив. ными преобразователями 370. Составной транзистор 313. Сплавной электронно-дырочный пе- реход 33. Способ компенсации реактивности нагрузки 480. Срыв инвертирования 355. Стабилизатор напрялсения 289. — — компенсационный 306, 308. — — параметрический 306.

Стабилизации коэффициент 3!1. Стабилитрон 42. Статический метод управления ин- дикаторами 266. Степень интеграции 257. Сток поленого транзитора 65, Стоко-затворная харю<тернстика полевого транзистора 68, 72, 73. Ступенчатый способ регулированзя переменного напряжения 402, Схема замещения транзистора — — — биполярного 55, 59, — — — полевого 69. Счета коэффициент 239. Счетчик импульсов 239. Таблица нстиности (соответствия! 21!. Тактируем ый триггер 231, 234. Тепловой пробой диода 31, Тепловой ток диода 29. Теореыа де Моргана 210.

Термогенерацня носителей заряда 11. Тиристор 73. — двухоперационный 33, 81, — днухэлентродный 73. — однооперациоиный 73. — симметричный 74, 82, — трехэлектродный 73, Тлеющий разряд 271, Ток диода — — обратный 28, 30, 37, 40. — — пряыой 25, ЗЗ, 34, 35, 39. — — тепловой 29. Ток диффузионный 23. — дрейфавый 23, Таковое зеркало 148, Ток транзистора — — начальный 54 — — тепловой 48.

Ток уравнительный 372. Токи смещення усилители !44, Торможеняе рекуперативное элек- трической мацкины 366, Транзистор биполярный 42 — — диффузионный 61 — — диффузионпо-сплавной 62. — — дрейфовый 62 — — конверсионный 63 — — планарный 64. — — планарно-зпнтаксиальный 64. — — составной 3!3. — — сплавной 61. — — эпитаксиальный 63, Транзистор полевой 64. — — с встроенным каналом 64, 70. — — с индуцированным каналом 64, 72. — — с электронно-дырочвым пере- ходом 64, Треугольник мощчости 124. Туннельный пробой электронно- дырочного перехода (диода) 31.

Угол опережения отпирания венти- лей 355, Узел коммутации 41!. — — параллельной 413 — — последовательной 413. Управление реверсивнылз преобразо- вателем согласованное 370. — — — совместное 370. — — — раздельное 373.

Управляемый выпрямитель 3!8, 324, 340. Управлявшее свойство транзистора 48. Уравнительный ток в реверснввых преобразователях 372 Усилитель 87, — дифференннальный 142. — высокой частоты 88. — звуковых частот 88. — импульсный 89, 160. — инаертирующнй 156. — многокаскадный 112. — ыощности 125, 129. — неннаертирующий !57, — операпнонный 150, !84, — постоянного тока 88 137, — узкополосный 88, !63. — широкополосный 88, 160. Усилитель с линейным режвмом рз- боты 88. — с нелинейным режимам работы 89. Усилитель с обратной связью !3!.

Усилительный каскад 89. Усилитель-форьшрователь 380, 386, Условие баланса амплитуд !69, — — фаз 169. Фазовой плоскости метод 422, Фазовый способ управления выпря- мителями 318 — — — преобразователями пере- менного напряжения 392. Фазоиннерсный каскад 103. Фазосдвигаюшее устройство 380. Фазоступенчатый способ регулиро- вания переменного напряжения 402, Фазочастотиая характеристика уси- лителя 113. Фильтр сглаживаюгпий 288, 493 Фильтр сетевой 349.

Фототирпстор 74, 81. Функции минимизация 2!2. Функция логическая 210, Характеристика усилителя амплитудная 119. — — амплитудно-частотная 88, !!3. — — фазочвстотная 113. Характеристика ведомого инвертора входная 360. — — — ограничительная 361, 364.

Характервстика выпрямителя внешняя 303, 329. Характеристика 414. Холестерн шс«ий жидкий кристалл 281. 11епь дифференцирующая 190. Цепи сброса 432, 455. Частота граничная биполярного транзистора 58, 59, 6!. Частотно-импульсный метод регули. рования импульсных преобразователей 406. Частотных искажений коэффициент 115. Чувствительность усилителя !19. Ширина запрещенной энергетической зоны 8, !О. Широкополосный усилитель'88, 160. Широтна-импульсный метод регулирования автономных инверторов напряжения 442, 450.