Аксенова И.К., Мельников А.А. Основы конструирования радиоэлектронных приборов (1986), страница 14
Описание файла
DJVU-файл из архива "Аксенова И.К., Мельников А.А. Основы конструирования радиоэлектронных приборов (1986)", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "основы конструирования и технологии приборостроения радиоэлектронных средств (окитпрэс)" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "основы конструирования и технологии приборостроения радиоэлектронных средств (окитпрэс)" в общих файлах.
Просмотр DJVU-файла онлайн
Распознанный текст из DJVU-файла, 14 - страница
1)т структурный уроввнь составляет система, которая служит для объедвнения ряда монтажных устройств на объекте. Монтажные устройства могут быть разбросаны по разным помещениям или отсекам и и тому же конструктивно чаще всего бывают различиымн: пульт, стойка, рама, прибор. Может быть другое деление на уровни, включающее в себя меньшее или большее количество структурных уровней конструкции. Появление дополнительных структурных уровней (например,. модули) ведет к увеличению связей, переключений и ухудшает надежность и технологичность конструкции. Сокращение структурных уровней конструкции, наоборот, ведет к лучшему заполнению шкафов и уменьшению связей (иапример, минуя 11 структурный уровень, когда монтажное устройство в виде рам с монтажными панелями заполняется сразу функциональными ячейками, каи это происходит в стационарных ЭВМ).
Количество структурных уровней в конструировании кроме функцональной сложности устройства определяется элементным базисом. Элементный базис в РЭА значительно изменился. Сначала элементный базис составляли только дискретные схемные элементы, в том числе электронные лампы, на смену которым пришли полупроводниковые приборы. Затем появились полупроводниковые и гибридные ИМС. й з . ~аав 65 Интегральная микросхема является неделимой конструктивной единицей, изготовленной групповыми технологическими методами, и, как правило, представляет собой не только конструктивно, но и функционально законченный узел. Поэтому в данном случае в элементный базис оказались заложенными функциональные признаки, в то время как до появления ИМС эти признаки формировались в первом структурном уровне при объединении дискретных элементов в схемные сочетания.
Например, для конструктивного выполнения схемы тригге а трап исторы, резисторы и конденсаторы надо располоз Р жить на общем основании и выполнить электрический монтаж схемы, В таком исполнении триггер конструктивно представляет собой первый структурный уровень конструкции. Но если в качестве нулевого структурного уровня использовать ИМС, представляющую собой триггер, то в первый структурный уровень войдет более сложное устройство и количество структурных уровней в конструкции уменьшится.
С появлением ИМС элементный базис стали характеризовать степенью интеграции. При этом различают элементную и функциональную интеграции. Под э л е м е н тн ой понимают такое объединение дискретных компонентов в одном твердом теле, при котором каждому элементу соответствует определенный объем твердого тела, а под функциональной — объединение схемных функций элементов, при котором невозможно выделить тот илн иной объем твердого тела, выполняющий функции какого-либо элемента. Под степенью интеграции К понимается десятичный логарифм количества элементов У, объединенных на одном основании: К=!д )т'. В ГОСТ 17021 — 75 различают ИМС по степени интеграции; 1-я — до 1О элементов, 2-я — от 10 до 100 элементов, 3-я — от 100 до 1000 элементов, 4-я — свыше 1000 элементов, 5-я — свыше 10 000 элементов.
Микросхемы 1 — 5-й степеней интеграции также соответственно называют: ИМС малого уровня интеграции (МИС) — для 1-й степени интеграции; ИМС среднего уровня интеграции (СИС) — для 2-й и 3-й степеней интеграции, большие интегральные схемы (БИС) — для З-й и 4-й степеней интеграции, сверхбольшие интегральные схемы (СБИС) — для 5-й степени интеграции.
Увеличение степени интеграции ИМС дает возможность повышать качественные показатели и надежность РЭА при меньших затратах Повышение надежности РЭА достигается благодаря уменьшению числа технологических операций и внешних соединений. Снижение стоимости РЭА обусловливается уменьшением объема монтажно-сборочных работ.
Если элементный базис составляют конструктивно неделимые элементы„то остальные структурные уровни в конструкции всегда являются сборными, к ним относятся функциональные узлы, блоки, шкафы, рамы. Деление конструкции на структурные уровни позволяет: снизить брак в производстве за счет увеличения степени интеграции неделимых узлов; организовать параллельное изготовление различных узлов, что сокращает производственный цикл рзделия и облегчает организацию контроля в процессе производства; обеспечить ремонтопригодность при эксплуатации.
Конструкция современной РЭА является прежде всего результатом эволюции элементного базиса, которая повлекла за собой изменение методов компоновки и характера структурных уровней в конструкции. При компоновке преследуется цель максимально использовать высокие качества элементной базы.
С увеличением степени интеграции уменьшается число монтажных соединений, увеличивается плотность компоновки, уменьшается масса н объем устройства. Все большее количество соединений переходит внутрь самой микросхемы, и сложность конструкции как бы переходит в сложность элементного базиса. За период развития РЭА произошла смена трех поколений. Основнымн отличительными признаками поколении РЭА считаются элементный базис и метод конструирования: в первом поколении— электронная лампа, крупногабаритные навесные электрорадиоэлементы (ЭРЭ) и блочный метод конструирования; зо второй — транзистор, миниатюрные ЭРЭ и модульный метод конструирования; в третьем — ИМС с небольшой степенью интеграции и функционально-узловой метод конструирования; в четвертом (современная аппаратура) — БИС н СБИС, функциональные компоненты и функционально-узловой метод конструирования с применением микросборок (МСБ) .
Первое поколение РЭА характеризовалось мелкоблочной конструкцией с применением реле, электронных ламп н крупногабаритных элементов, ие предназначенных для печатного монтажа. Компоновка осуществлялась на едином блочном шасси, где невозможно параллельное изготовление и применение средств автоматизации. Контактирование осуществлялось пайкой, монтаж — объемным проводом. Достигнутый уровень быстродействия составлял !О' опер/с.
Аппаратура второго поколения, выполненная на основе транзисторном техники и печатного монтажа, в конструктивном отношении 66 реализована модульным методом, при котором базовым схемным элементом стал функциональный узел (ФУ), 'что позволяло увеличить надежность, эксплуатационные характеристики аппаратуры, освоить серийный выпуск унифицированных ФУ, Процесс унификации и стандартизации параметрических рядов ФУ, их формы, габаритов и типов соединений привел к созданию конструкций в виде модулей различного типа (этажерочных.
плоских, микромодулй), зто открывало путь к параллельному изготовлению н проектированию. Конструкция мелко- и среднеблочная, контактирование пайкой, двусторонние печатные платы, но печать с малыми возможностями, а установка на печать разновысотных элементов (этажерочные модули м ЭРЭ) вела к большим потерны объема. Достигнутый уровень быстродействия составлял 1О' опер/с. Аппаратура третьего поколения выполняется на основе корпусированных полупроводниковых и гибридных ИМС малой и средней степеней интеграции, миниатюрных ЭРЭ и многослойных печатных плат, что позволиет уменьшать массогабарнтные характеристики аппаратуры (при тех же функциональных задачах) и существенно повышать надежность РЭА. Конструкция среднеблочная с более высоким применением средств автоматизации и механизации при изготовлении и проектировании, многожильные кабели, контактирование пайкой, сваркой, накруткой.
Достигнутый уровень быстродействия составляет !О' опер/с, Аппаратура четвертого поколения в составе элементного базиса содержит БИС, СБИС, а также большие гибридные интегральные схемы (БГИС). По функциональной сложности БИС н БГИС могут соответствовать блоку в аппаратуре первого нли второго поколения. Кроме того, аппаратура четвертого поколение в составе элементного базиса содержит микросборки.
При этом микросхемы предназначены для широкого применения и выпускаются крупными сериями специализированными заводами-изготовителями ИМС, з МСБ (в основном гибридные) разрабатываются для конкретной РЭА, т. е. являются микросхемами частного применении. Микросборкн, как и микросхемы, могут быть корпусированиыми н бескорпусными. Аппаратура четвер~ого поколения выволняется с большой долей отказа от дискретных элементов (в корпусах ИМС) на основе многослойных печатных и керамических плат, гибких печатных шлейфов. Автоматизированное проектирование занимает главенствующее положение вплоть до выпуска конструкторской документации.