А.А. Бабырин - Электроника и микроэлектроника, страница 82

формирования соединений 385-390 Микросостояние системы 22 Мицелла 383 Модель зародышеобразования — двухмерная 367-370 — трехмерная 363 †3 Моль 22 Мольная доля 44, 48 Насыщенный раствор 69 Насыщенный пар 69, 85 — парциальное давление 85 — — зависимость от кривизны поверхности 338-339 — — зависимость от температуры 86 — 89 зависимость от полного давления 87 Начала термодинамики 21, 25, 26, 30 Область гомогенности 121 Область протекания процессов — диффузионная 275, 292, 297, 317 — кинетическая 275, 291, 298, 317 Окисление анодное 159, 169, 183 Осаждение катодное 159, 169, !83 Перенапряжение 159 — диффузионное 320 — водорода 186 — кислорода 186 — разряда 323 — фазовое 320 — электродное 186, 318 — электрохимическое 320 Перитектика 116 Перитектическая горизонталь 107, 116 Площадка нонвариантности 109, 1!8 Поверхностно-активные вещества 334, 383-384 Поверхностное давление 335-338 Поверхностное натяжение 331-332 Полупроводники — компенсированные 196 — примесные 194, 206-208 п-типа 195 420 Предметный указатель — — р-типа 196 — сильно легированные 198 — собственные 196, 203-206 Поляризация электрода — концентрационная 160, 320 — химическая 160, 318 Постоянная — Авогадро 22, 408 — Больцмана 23, 408 — универсальная газовая 47, 408 — Фарадея 22, 408 Постулат Планка 25 Потенциал — изобарно-изотермический (изобарпый) 38 — изобарный химической реакции 72 — изохорно-изотермический (изохорный) 38 изохорный химической реакции 138 — химический 29, 43-45, 52 — 53 — электрический 74 — 76, 168 — электродный 165, 171 — электрохимический 75 Поток вещества — диффузионный 230 — конвективный 277 — стефановский 279 — химический 275 Правило — рычага 107, 113 †1 — фаз Гиббса 73-74 — Трутова 89 Предельный ток диффузии 320 Примесь — акцепторная 193 амфотерная 193 — внедрения 192, 193 — глубокая 198 — донорная 192 — замещения 192, 193 — мелкая 194 Принцип Ле Шателье 147 Принципы — вакуумного обезгаживания материалов 253-256 — диффузионного легирования полупроводников 267-274 — — из парогазовой фазы 267 †2 из поверхностных источников 268 †2 эпитаксии 299 †3 газофазной 302 †3 жидкофазной 300 †3 Произведение растворимости 157 Процесс — адиабатический 31 — диффузионный 229 †2, 238-241 — изобарный 32-34 -- изотермический 32, 38-41 — изохорный 32-34 — ионный 152-157, 176-188 — квазистатический 31 — кинетический 230-232, 234 †2 — необратимый 26, 31, 36-38 — неравновесный 26, 27 — обратимый 26, 31 — равновесный 26, 27 — релаксационный 30 — самопроизвольный 39 — термоактивационный 228 †2 Псевдоморфный слой 379 Работа 28-29 — выхода электрона 200 — механическая 29, 162 — электрическая 162-163 Равновесие — газов и конденсированных сред 85-100 — жидкой и твердой фаз 101-107 — ионное 152-157 — фазовое 70-71, 75 химическое 71 — 73 электронно-дырочное 208 Пребметнььй указатель 42! — электрохимическое 76-77, 165 Раствор — атермальный 57 — 58 — буферный 155 — жидкий 63 — 65 — идеальный 56 — 57 — насыщенный 69, 96 — отрицательный 55, 60 положительный 55, 60 — предельно-разбавленный 61 — регулярный 58-62 твердый — — внедрения 63, 68 — — вычитания 63 — — замещения 63, 68 — — неограниченный 63, 111 — — упорядоченный 63 — — ограниченный 63, 1! 5 — электролитов 152-157 Растворение анодное 159, 169, 183 Растворимость 69 газов в конденсированных средах 67-69, 352-354 — — атомарная 68, 98-100 — — молекулярная 68, 96 — 98 — примесей в полупроводниках 208 — 212 — — ретроградный ход 212 Система — адиабатически-изолированная 29 — гетерогенная 70 — гомогенная 70 — замкнутая 25 — однокомпонентная 81-89 открытая 29, 38-40 — электрохимическая 158 Скорость зародышеобразования 3?0-372 Скорость химической реакции 231, 276 — константа скорости 232, 235-236 Сольватация 64, !53 Состояние — переходное 236 — стандартное 35, 51-53 Статистический вес 23, 213 Температура — кипения 89, 90, 92 — кристаллизации 82, 102-105 — перитектики 116 — плавления 82, 102 разложения 135 — статистический смысл 26-27 — тройной точки 82 фазового перехода 83 — эвтектнки 109, 115 Теплоемкость ЗЗ, 54, 396 Теплота — адсорбции 344, 347 — изобарного процесса 32-34, 43 — изохорного процесса 32-34, 43 испарения 66 — 67 — кристаллизации 104, 357 — образования соединения (стандартная) 35, 53, 395-398 — плавления 66-67 — растворения 98, 99 — фазового перехода 34, 83 — химической реакции 35, 140-143 Термодинамические степени свободы 73 Термастат 36 Ток обмена 324 Уравнение — Аррениуса 236 — Гиббса-Гельмгольца 43 -- ГиббсатДюгема 46 — Гиббса †Томсо 339 — изобары Вант-Гоффа 140 — изотермы Вант-Гоффа 137, 139 — изотермы Ленгмюра 351 изохоры Вант-Гоффа 142 Преднетный указаеьель — Кертисса — Гиршфельдера 3! 1 — Клапейрона-Клаузиуса 101 — Клапейрона †Менделее 47 — непрерывности 242 — Нернста 164, 173 — Фика 242 †2 — Шредера †В-Лаара !05 Уровень вакуума 200 Уровень Ферми 197 Условия равновесия 39 — — фазового 71, 75 — — химического 72, 76-77 самопроизвольности процессов 39 Фаза 69 Фазовые переходы — второго рода 84 — первого рода 66, 80, 8 1, 84 Фигуративная точка 107 Физадсорбция 343 †3 Формула — адсорбционная Гиббса 334 — Гиббса-Томсона 339 — Тафеля 326 Функция(и) — Гаусса 266 — ошибок 249 — состояния 30, 41-43 — Темкина †Шварцма 399 — термодинамические 41, 42 — Улиха 399 Хемосорбция 346 †3 Химическая реакция — в обобщенной форме 35, 72, 129, 149, 230, 275, 294 — газотранспортная !48-!52 — гетерогенная 71, 76, 133-135 †.

гомогенная 71, 76, 130-133 — ионизации атома !69 — квазиравновесная 232 — квазихимическая 200-203 — окислительно-восстановительная 158, 170 простая 232 — разряда иона 169 — экзотермическая 143 — эндотермнческая 143 Химические соединения — интерметаллические 121 переменного состава 63, 121 — постоянного состава 120 — с инконгруэнтным плавлением 123 — с конгруэнтным плавлением 123 Химический потенциал 29 43 — 45, 51 — 53 Центры — прилнпания 198 — рекомбинации 198 — свечения 199 — окраски 199 — многозарядные 195 Эвтектика — простая 108 — сложная 115 Эвтектическая горизонталь 107, 116 Электрод — водородный 171-172, 180-!81 — кислородный 177-178, !80 †!81 — обратимый относительно аннана 167, 170 †!71 — обратимый относительно катиона !67, 170-171 — редокс 167, 170 Электродвнжущая сила 159, 164 †!66 Электродный потенциал 165, 171 †1 Электродные процессы 167-176 Электролиз 153, 158 Электролитическая ячейка 158 Электролиты 153 Электронное сродство 200 Электрохимический элемент Преднетнььй дказавель 423 — гальванический режим работы 160, 169, 181-183 — электролитический режим работы 161, !69, 183-187 Электрохимический потенциал 75 Энергетические зоны кристалла 195 Энергия — активации 233, 236, 238, 241, 347 — внутренняя 24 — ионизации 193 -- свободная Гельмгольца 38 — свободная Гиббса 38 Энтальпия 33 Энтропия(и) 23-26 — закон возрастания, 25-26 — колебательная 213 — конфигурационная 213 — необратимых процессов 36-38 — обратимых процессов 36-37 — производство 37 — смешения 51 — стандартная 53, 395-398 Эпитаксиальный рост 379-381 — автоэпитаксия 368, 379 — гетероэпитаксия 370, 379 Учебное издание БАРБ1БИН Анатолий Андреевич ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА.

ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ Редактор М.Б. Козинцова Оригинал-макет: Т.Н. Савицкая Оформление переплета: А.10. Алехина Подписано в печать 17.01 06 Формат 60х90116. Бумага офсетная. Печать офсетная. Усл. печ. л, 26,5. Уч -изд. л 26,5. Тираж 1500 экз Заказ № Издательскав фирма»Физико-математическая литература» МАИК»Наука1Интерпериодика» !! 7997, Москва, ул Профсоюзная, 90 Ечпа~1: 1тгпагчфгпайлп, 1т!за!е9гпай.гп! !»11р 17»чтччг Ьп!.гп Отпечатано с готовых диапозитивов в ППП»Типография «Наука» !2!099, г. Москва, Шубинский пер., 6 БВ!Ч 5-9221-0679-1 9 785922 106795 .