semicond6 (Галкин В.И., Булычев А.Л., Прохоренко В.А. - Полупроводниковые приборы)
Описание файла
Файл "semicond6" внутри архива находится в папке "Галкин В.И., Булычев А.Л., Прохоренко В.А. - Полупроводниковые приборы". DJVU-файл из архива "Галкин В.И., Булычев А.Л., Прохоренко В.А. - Полупроводниковые приборы", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электротехника (элтех)" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "электротехника (цифровая электроника)" в общих файлах.
Просмотр DJVU-файла онлайн
Распознанный текст из DJVU-файла
! ~ ! ~л СМ— ! с>а .о СЧ— ~/ !' !! а. й' З =3 -.) й ,<~ ~Й 4~ и <'3 с С~) ~Г' л~ Ъ~ ~й с Е Я " ы' п~ КП10ЗГ. КП103Ж, КП10ЗИ, КП10ЗК, КП103Л, КП10ЗМ, 2П10ЗА„2П103Б, 2П103В, 2П10ЗГ, 2П10ЗД Диффузионно-плана рные полевые транзисторы с р-и-затвором и каналом р-типа. Предназначены для работы во входных каскадах усилителей ни~кой частоты и постояиногО тока, низкочастотных генераторах, ключевых устройствах, мало» мощных стабилизаторах тока и в качестве переменных резисторов, управляемых напряжением.
Диапазон рабочих температур транзисторов типа 2П103 лежит з пределах — 60 +85 'С, а транзисторов типа КП103 — в пределах — 55 .+ 85'С. Выпускаются в металлостекляхном и пластмассовом корпусах с гибкими выводами (рис. 7.2, а, л). Полевые транзисторы 211103 и КИ103, имеющие в конце обозначения букву Р (например, 2П103АР, КП10ЗЕР), представляют собой подобранные пары с близкими пзраметрамн и предназначены д.ц1 работы во входных каскадах усилителей низкой частоты, усилителей постоянного тока н во входных каскадах дифференциальных схем постоянно-о тока и низкой частоты устройств специалыого и широкого применения Пара приборов изготовляется путеы подбора по основным злектрическнм параметрам ( оку стока, крутизне и напряжению отсечки) из готовых одиночных транзисторов 2П10ЗА ..2П103Д и КП1ОЗЕ..
К1110ЗМ. Транзисторы подбираются в пары по результатам оценки относительной разности (в процентах) значений основных парзметров пары при температурах 25-+-5 'С и 85-+-5'С 1см. ниже), Подобранные в пары транзисторы имеют цз корпусе метки, обозначзкццис точно~1ь подбора пары для групп 0 и 1-й-- черного цвета, длн 2-й группы — сине~ а цвета.
КПС104Л, КПС1045, КПС104В, КПС104Г, КПС10Я Эпитаксиальпо-планарные сдвосиныс малошумнщие полевые транзисторы с р-и-затвором и каналом л-~нпа с близкими значениями электрических параме-р<м 11редназначсны для использования во входных каскадах дифференциальных усилителей постоянного тока, высокочувствителььых усилителях и повторителях напряжений постоянного тока, низких и »ифранизких частот, работающих от датчиков с высоким внутренним сопротивлением, и в др~гих устройствах широко~о применения, Подбираются из отдельных кристаллов, изолированных .~рог ит друга, и поэтому не критичны к величине напряжения между затворами. Транзисторы типа КПС104 работоспособны и диапазоне температур окружавщей среды — 40...
+ 85 С, Выпускаются в металлостекляииом корпусе с гибкими выводаа ми (ри с. 7.2, б) . Прс>должаауа 45" 2У 4сз 25' г >и кх* т!< — <тммгрнмн >ик с>ика иаких ио.к>яин савося»о о транзистора Дтя КПГ!044 Е Х1< = О!й м1 к<я Кр!С>0>В ~ /о =>> '> м><, иля К>!С!04Г, Д т !< = ! 5 м4 ' < реанккнаяритн|ное напра кение <><гма, измеренное о схем< О>кткнсного каскада к чо>осс частот Л, = О.! !О ! и ири < >мрет>и<гинях и це,и> знтнороа я >О кОк г а ннтерка>н тгм>ео <с<р сл >> ~«К > '<. м>к< им > и, »ги»«им «м<~ ич и ~к <ни~киот<я ис лико>1иамт аккии< А 7,6 ~'~СИ гг<ак Узг .. В 1! „„„мЛ Предраьно допустимые экс»луата>нонные данные 6 р ~~ 8~т С П ~) и .> а ко >3<> ч е н .$ ы х ВыВОДак кет<>К вЂ” >СтОКь и О р " 85 С КП301Б, КПЗО1В, КП3011', 2П301А, 2ПЗО1Б Планарные МДП-транзнс горы с индуцнрозанпым кана.«ом р типа, Пре>«назиа>«е««ь«для работы в ~ с««ли«е,зяб низкой, ироме.к~ «.«иной ««высокои часто«ы, э>1ектрических детекторах и преобразовате.зях, х«ногоканальных хоммутаторак и прерынатеаях Диапазон рабо «их температур транансторов типа К11301 ле:кнз н прелезах — 45..70 'С, а т'.«анаисторов 2Г!301— в предел а х — 60.,85 'С.
Выпускаются в че«а.«.«остеклянном кар««усе с гнбкичи выводами (рпс 7 2, а1 >«~»«»»в и и «р Прс:елью допу.тимые эксдлуатацисэниыс данпыс 30 20 15 200' Ч -р 70'С 9 .р ~70 'С пп1 „, В ~ И. иятг пах, мл ' Р„„„мВт 30 20 15 200' ЗО 20 15 200' Предел ио дсп стичые экспл)атаииоииыс даниыс ! — 10 — 10 ~ — 12 — 10 20 20 ~ 20 20 ~зи тиэ.т, В ~ ~о~р ~ -~~ьр, г~а.с ~сз та~ 1:1 1 "о~р ~ ~эзар аэт В ин ервэле темп:эет-р ег 2э л> 70 С Р~э„1мпт) рэссчитывэетси по ~ормтле Р„э„—— 1,э ребр КП302А КГ302Б, КП302В, КП302Г, 2ПВС2А, 2П302Б, 211302Б, 211302Г, КПЗЮ2АМ, ХПЗ02БМ, КП302ВМ, КП302ГМ 11ланарные полевые траизисторы с р-и-затвором и каналом л-гипз. Предназначеиы для работы в широкополос- ных усилителя~ в диапззоие частот до 150 МГц, переключав- хцих и коммутирующих устройствах. Диапазои рабочих темпе- ратур транзвстороз типа КГ1302 лежит в пределах — 60...
+100'С, а транзи торов 2ПЗ02 — в ирсдспих — - 9)...+125 С. Выпускаюгсп в метлллостек.-.~ыиом кориусс с гибкими вы- нодаыи 1рис 7.2, а). При темцерачуре свыае 22'С максима вано донзетнмаи мошнсс~ь (мБт1 оиределиетси по форм1ле Р'~~, = 400 — 21н „и — 22' П р к м е ч а н и и 1. Электрические параметры траизистороа К11:":.П21Ч К11362БМ, КПЗОЗВЧ КПЗ02ГМ такие же, как у транзисторов соответственно КГ13Э2А КПЗ025, КП302В. КП302Г. 2. Конструктивное отличие транзисторна КПЗ024М. КП302ГьЧ от ЕПЗО2к КПЗо2Г состоит в отсутсгвии вывоаа от корпуса (имеют не че-ыре, а три вывода, соо"встствую щие стоку, затвору н н ток1).
П Ч д Я Хс, м~ д ОЧ 05 уд уд иси,н Хс. ать 20 2с, муЯ М Ф о й 4~ О СЯ Я $ о еО 00 «Ф 1 Ю О. д ! И сз О Л С г~Д Р'3 С" 3 О О С~З Е Е: СЧ Ж с~ ' Рс~ ° с 4~ ~Д О г". ~ Ф~ Е' С' х' М Й Р.) СЯ г~ ~: .м С'4 л о г, .й Ш ~й ж к Ж Е л а х Д5. '~ (Р =б к с') л о О х— И -" ('Д ."Л (й с.) ~х ~ъ О ~ х Д 'Д С~ О х с", Я СЧ сь Р— х о с~ хх Г:.-" Г-3 с3 С"Э .,Ю чГ~~ Н Ы х Г" С~ $ х с > с- к СР г С к < Ф й 7 х М о а е~ .Д 5; б О 2 С~ 1 ~ о д" ©.
й~ а ж Ж И х~ ) ~й Л Г Я С -з ~Е~ МО сч ~ ьх х о~ С4 из О л и $ ж Е5 о О., ~ '-сч =, ",+ 4~ Г т Щ =Ъ с~Р Д„"~ 4 <ц ~- к ~Р Ы й3 Ф г~ И О М5 д < И ( Я х р! '- х с"э ио ~ а с~ 1Й ло С" г а 4 .) $ О ' Д сч сч о Ь Б С'5 ~2 о й. Е 11 а ~' к" С 1!в = 11 1 1 Д2 11 11 1 11 1 1! сй И й3 и2 <р~' д 111! !1 !! !! Г ! ',7 а Л Г' Сг $ ~г с г, Я Е С) 1 ! ! » \ л: ГЪ 8- .8- Ф ~) С~ СЧ о + ф с сй Ж О г С~ Б 'л у с .- С 1.
!$ $ с~ с Ю Ж ) С~ ~д Е а. Ъс Ф. чю ~у) сч с С ! Л1. С=~ м о ~й.=> а 4 С'4 х х Ж 63 О Ю ~О д О д, О. 1 Е ю я' СД ~' ~с 1 1Р~ уС3 °, й) х ш ! М Я Р° ~ б3 й к~о о,~ Х (ф .,+ ~ н'Э О ~~ — 1 ~й Х й$ й"' Я,) С~ х «й- С.) с3 Х Ф )" ( д Я ,С г„ л л с "~ Сб б3 и с (- Я ю т О $ д О ~ о Ж ~ а И д ф~ $ Д$ © ~ж ~О ФЯ О Ц ~~ 'Ф ~! ! У У 4 М~ '4 ° 11 11 11 Д~ ( ) Е Д: ~ф Фф С-, ф ы Продолжениг Парик етрм Режим измерения #13!!4 Л Предельно допустимые параметры Прн есзеДИИЕНии ВЫБОЛОВ гсздлсжки и истока То же П СП го Р„г,„, мВт аС 4ОО' — 60.„+! 25 При у неяичсини тсмнсраырьг окружавшей срс ть' ог 55 до 85 'С допустимая наивность сни кается по яянсиному закона до !00 мВ- !!ри ъвгтичгиггл теми.1; гкрм гн ркжнизшгй «реям от 55 до !25'С доггустнмлн моги. иост!, с! гг,ггистся но зинсиинмк заипнк до 75 мйт 3 11рч квети'ге!гни тек гм!гига 'м ки ркл иогггсгг ерстм нг =5 го Р5'С импульсная дону стнмня япиггнгсть слил,осжн ин ~ииг и ~ м.
гчм нг ги 1'и ч1г~ 1!ри киеннении ~гнпг1а~крм нг!г юакига грг гм гм нй го 1'з С имюяы~г~ч до!гу стим~я гпьгноеть с гил а,г~ я и г !гиггипамъ закону до 115 иБг з!! ггик1 ~~дгс нгмк~ РН! РС иг,„, ИА и нгок' Р„„„мВт с О окр 4 пкр гиок т„-.!О кткс, Я ъ! Π— 45 'С ~ О,щ < 55 'С 45 юС 11 г5 оС вЂ” 60 'С ~~ О,„= В5 'С ЗО ЗО Я ЗО 6О Г.) .О х 'С» 3 »»/ х СС ССС л СС СС Ю." а. 'С' Ж Ю о ~- о С:С.а «»4 О «.» СС С»~ СС «"4 х СС' 'С (Д С-- «-> С"» с,' Ф С о ,Д Й О Г»»» С» сх с С- =ж М о » С~ ~3Л ~ г:~ м Е. "с" С.» к~ О 2 В С-„Ы д м Е г 2.
"М»» Х С» ССС хднф ,СС И Л ° СС а. ~- с~ »)»С,» р, л«- С~ СС» Х С,» С.» ~. ~Р Я И 2 6»» О ц') СО д ~' о -"2 Х СО С~ ССС С:3 -Н1-Н ~-~1 -~ Г4 1 1 Г 1 -сэ ° ~ Фз .к С> О о ,г ("Ъ' 3 "'~ х + К Е* с Р М х о о Ю (~~ о г 1- .л О о Ф Ф) х ж д х ар~ о о '- о ~ о <~ д Щ х .й С.> ~Ф 1- Ф Я о а О Г а с") ~о О С~ [= л Ю ~ х Л Ю а 1 х О $- о С 3 ъ с0 х х а .й $- ~-'Ч Я Ы а Л х Ж с~ о ~х а С: е.б (ч Е ЧР С > С~Ъ С"4 Ч:2 С> Е: м' РЛ Г Ф о И 3- О ~,)" С.~ ".с ~3~ Ж 4Ч СЪ й Г0 О.