Берлин Е. - Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких плёнок, страница 12

Оно препятствует движению электронов и увеличивает анодное падение потенциала, что, в свою очередь, снижает скорость распыления. 5.6.3. Лакетиое импульсное расныленне Частично недостатки дуального распыления снимаются в пакетном импульсном распылении [35[. При таком распылении на один из магнетронов подается пакет униполярных импульсов с небольшими паузами.

В это время этот магнетрон работает как одиночный катод, а второй магнетрон служит анодом. Поверхность мишени второго магнетрона покрывается диэлектриком, но достаточно медленно, чтобы бьио возможно подать на магнетрон 1Π— 1000 импульсов. Затем такой же пакет импульсов подается на второй магнетрон, а первый в это время служит анодом, Таким образом, решаются обе проблемы: подавления дугообразования на катоде и исчезающего анода.

Преимуществом данного метода является малые паузы между импульсами в пакете, так как здесь нет опасности повреждения переключающих ключей в ИП. Во время малой паузы плазма не успевает рассеяться, и во время рабочего импульса ток разряда быстро нарастает, даже без применения поджигающего напряжения. Форма импульса тока становится из треугольной прямоугольной, что позволяет более эффективно использовать ИП.

5.б.4. Расвыленне с дополнительным анодом Распыление с дополнительным анодом (РДА) — альтернатива дуальному импульсному магнетронному распылению в решении проблемы «исчезающего анода». Оно конструктивно проще и не имеет существенных недостатков, присущих дуальному магнетронному распылению. В РДА используется всего один магнетрон [то есть 5)пя!умаяпеггоп-Ярцггег-бузгегп (эмэ)), два анода и среднечастотный ип, имеющий на выходе трансформатор [8[. Вторичная обмотка трансформатора имеет среднюю точку, соединенную с катодным узлом магнетрона, а ее крайние выводы присоединены к анодам.

Система работает следующим образом. Каждую половину периода один из анодов имеет положительный потенциал относительно катодного узла, а другой — отрицательный. Плошадь анодов достаточно велика, магнитное поле около него отсутствует. Поэтому нет ~зев «т. г т. ««»т л~ тр„т Д препятствий для движения электронов к положительному аноду. Он работает в эту половину периода коллектором электронов. Анодное падение потенциала мало, и плазма имеет потенциал положительного анода.

съатодный узел имеет отрицательный относительно плазмы потенциал, под действием которого мишень распыляется. Второй анод в это время имеет вдвое больший отрицательный потенциал, чем катод, благодаря чему анод тоже распыляется и очищается от диэлектрика. Во время второго полупериода катод все так же распыляется, а очищается другой анод. В результате катод распыляется все время, а аноды, чередуясь, очищаются от попавшего на них диэлектрика. Поскольку время переключения напряжения между двумя полу- периодами мало, плазма не гаснет, и ее плотность не снижается. Поэтому при включении каждого следующего полулериода не требуется повышенного напряжения для поджига плазмы.

Однако отрезок времени переключения играет существенную роль. В зто время все электроды имеют почти одинаковый потенциал, равный потенциалу плазмы, а поверхность диэлектрика, Покрывающего электроды, имеет положительный относительно плазмы потенциал. Он вытягивает электроны из плазмы. Заряд на поверхности диэлектрика компенсируется, и причина пробоев устраняется.

Более сложные варианты с несколькими анодами оцисань! в работах !Зб — 37). Литература к главе 5 1. ВсЬой КА. Адхапсе сп атс Ьапдйпа 1п геасцче апд отЬег йгйаи1$ ртосешеь. — 37$(Ашша) Тесьп. СопГ Ргос., (!994), Вос. оГЪвс. Соасетв, р. 312-316. 2 ВсЫПег В., Саед!с!се К., К!таьйон Ч., Росепста1ь оГ сае ри1яе псаапесгоп ьршсег сесьпо1оау. — Ргоаеейпав оГшвепта шсегпайопа1 сопГегепае оп васишп иеЬ апас!пав, МтаппЬ Е!огма, Лсочетьег 10-12, 1993, Ед. К.ВаЫвь.

3. Кеду РГ, апд ад. Реве!не ри1вед шванс!топ вринег!па ргосшв Гог а1илцпа П1пш — 3. Ъас. Вс(. Тесьпо1, А, 2000, к 18, Мвб, р. 2890-2896. 4. ВсЬетег М. апд ай. Кеассс«е ааегпайпа ситтепс тпаапссгоп врииептщ о!Псе!ссгпо!ауегв. — 1. Ъвс. Ва!. Тесьпо1. А,! 992, к 10, №4, ран,2, р. 1772-1776. 5. С!ос$тег Р.А. Ап евПшасе оГ сье росепс!аи деве1оред оп соасед владев диппа ри!яед РС телес!ве вриссеппа.

— 42$ГАппиа( ТесЬп. СопГ. Ргос., (1999), Вос. огъаа. Соасетв, р. 87-90. б, ВгсгутЬоиьх( 1. апс! Теваьпег С, Кеасдве вриссеппа оГ В!О, 1ауег 1агае-вса1е шЬвсгасе идпа ап АС свнп-шаапеиоп ив!йоде — 38яс Аппиа1 ТесЬп. СапГ. Ргос., (1995), Вос. оГ Ъас.

Соасегв, р. 389-394. 7. Всьиже Т., 8!ептгось Р., чвсиигп агс си!Лоде крои ав а ве!Г-мпц!агау рьепопюпоп.— 1ЕЕЕ Тгапь. оп р!анна во!енсе, в. 24, №1, 1996, р. 63-64. 8. Всьой К. Аноде ргоЫешь !и ри1вед ранет геассие ьрицеппа агате!есспсь. — 42$ГАппиас Теаьп. СопГ. Ргос., (1999), Вос. оГ Ъас. Соатегв, р. 169-175. 9. Ве1Ыпд А., Ргейссь А. апд Всьой К. Е1еаспса! дупапцсв оГри!вед р1авшав. — 4 Ьн Апп ив! Тссьп. СапГ.

Ргас., (1998), Воа. оГ Час. Соасеть, р. 321-326. 10. Вейцпд А., Егейюь А. апд ВсЬой К. Ов!па рйьед йгесс сиггепс разват Гог геассие вршсептщ оГА1Ох — Г. Ъас. Вес. Тесьпо!. А, 1998, к ! 7, №4, р! 934-1940. 11. Ошьаш м.е. апд Вргои! ЧЧ.Р. Рйвед-РС геасйус вриаеппа — песу орропип)пев.— 37м Аппиас Тесьп. СопГ. Ргос., (1994), Вос. оГЪас.

Соасегв, р. 275-279. 12. ОЬшкс Е. апд ав., НщЬ-тате деРонеюп оГ 5!От ЬУ шодисаеед РС свай!Ус вРциеппа сп сье сталя!сюп люде цлсьош а ГеедЬас)с в)всею. — ТЫп Во!Ы Рйп ь 1996, ц 281-282, р. 213-2!7. 13. Маса!с К. апд ав.! оп!ге«! вроне г дерондоп ндпа ап ехсгеше!у Ьщь р!аяша делягу ри Лед шаапесгоп йвсьагае. — 1. Чаа. Вес. Тесьпо1.

А, 2000, ц 1В, М4, р. 1533-1537, 14. Вейег ).С. Аяупцпеспс Ыро!аг рине РС вЂ” ап епаЫша сеаьпо$оау Гогтеасй«е РЪР.— 39вс Аппиа! Тесьп. СопГ. Ртос., (1996), Вос. аГ Час. Соасегв, р. 123- $27. !5 Вагпас Е. апд $ и Т.-М. Ри1вет$ Ь!ав псаапесгоп ьрипеппа о( сЫп 01птв оп !пвисасогв.— 1. Ъас. Ы. ТесЬпос. А, 1999, к 17, Мб, р. 3322-3326. 16.Технология тонких пленок. Справочник. Ес. Под ред. Л.

Майссеяв н Р Глзнга. Пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона и ГГ Смалко. М., Сов. ралио, 1977, 664 с. ! 7. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М., Наука, 1992. 18.Труды постоянно действующего семинара «Электровакуумная техника и технологиян Под ред. А.В. Горина, М., 1999 г., 168 с. 19. Вргоц! 590. апд ад. Кеасиве йгесс ацттепс псаапесгоп вринеппа ог а!иш!пиш охме соацпак — 3, ЪЬс. Вс1. ТесЬпас.

А, 1995, в. 13, Мв3, р. ! 188-1! 9! . 20. Мшй 1, апд ай. Рисвед дс гпаапетсоп йвсьагае Гог Ьщь-тате ври!тепла оГтмп Шпи.— 3. Час. Вй. ТеаЛпос. А, 2000, ч. 19, М2, р, 420-424. 21. Ровадо лвЫ ЪЧМ., Ри1вед тпаапетгоп ьрииеппа аг геастсве согпроипдк — ТЫп ВоИ Рйпц, 1999, ц 343-344, р. 85-89. 22. ВсЬой К.А. Казас(ье Р\'ссероддоп ог!пяи1асогв. — 39$ГАппиа! ТесЬп.

СопГ. Ргос., (1996), Вос. оГ Ъвс. Соа1еть, р. 31-34. 23. К!тсьоя Ч., Корте Т. Н(ВЛ-Ранет рисьед шванс!топ врииег Сесьпо!оау. — 39СГ Аппца( Тесьп. Сопг. Ртос., (!996), Вос. оГ Чаа. Сов!ать, р. 117-122. 24. Неелег Н. апд ай. Ти1п МаВТМ П: а!сеюсь со !шрготе ап ехаейспс врииег соо1. — ТЫп ВоИ Ейпм, 1999, к 351, р. 27-3!.

25. Нейиег !). апд ай. Кесепс девесоршепсв оп ордса1 сов!слав врипегед Ьу диа! шванс!топ цала а ргосем геди!астап вуьсепт. — 42$( Аппиа! ТесЛп. СопГ. Ргос., (1999), Вос. ог Ъьа. Соатегв, р. 34-38. 26. Вгаиег С., Бгсгугьоцьк! 1. апд Тевсьпег С. Хеи арргоасЛев Гог гела!!те ьрипеппа оГ дм1есспа шасепасв оп 1агве вса1е вцЬвсшсев.

— 1. Хоп-Стуьсайше ВаИв, 1997, «. 218, р. !9-24. 27. 1лсгд К.Е. апд Ъьо1(е 1.0. Тье етоИсоп оГ ЖгаЫс, вс!ьсг-ьавед, 1ои еш!и!в!су П1пм деРоьйед ЬУ Р,С. тпаапетгоп вРипеппа (Упо Со 5!«ьт«). — 37$ГАппиа! Тесьп. СопЕ Ргос., ($994), Вос оГЪВс. Сов!ать, р. 428-431. 28. Оьса1те Н. апд ай.

Рине-сцпе-люди!асед спдисцвесу соир$ед р(аяша ессЫпа Гог ЫВЬ- регГоппапсе ро!Рййсоп рапегп!па оп сЫп Вате охмев. — 1. ъвс, Вй. Тесьпо). В, 2000, к 18, М5, р. 2495-2499. 29. Кейу Р). апд Агпей К.Р. Маапесгоп врицеппа: а гещеи оГ тесспс дечесоршепн апд аррьсасюпв, — Ъасишп, 2000, ч. 56, №«1, р. 159-172. '4«ь«чт.г ь»» ~» 30. Кепу Р). апд ап. Блисвеь оГ в!0-Ггеяиепсу рышб ис Ыаяпа. — 3, час.

Бс!. Тесьпо1. А, 2001, ч. 19, )Чтб, р 2856-2863, 31. Сапег 0. апб аИ. Равтпетег орипиавюп тп ри!ьет) 0С геасгие ьрииег беро»!!топ оГ а!штипшп охи)е. — 45гГ Аппиа( Тесьп. СопГ. Ргос., (2002), Бос. ог чтас Соагегь, Р. 570-577, 32. Сппьпе 0.3, апд Беупюш Е.А. Рояег ьуяев теяшгептепш Гиг епьапсед пты-Ггеииепсу ргосем маЫИ(у. — 4бгГАппиа( Теспп. СопГ, Ргос., (2003), Бос. оГ чтас, Соагегь, р.

257-262. 33, кепка Т. апб Апбетьоп 1.. Агс гпапааевепт тп 0С апд МР аепесяогь Гог!атас агеа соат!па ьуяевь. — 47тГ Аппиа( Теспп. СопГ. Ртос., (2004), Бос. оГ час, Соатеть, р. 237-240. 34. Мгме Е апд ад. Ехрепепсе МШ Ищь роччег 0С шррдеь в!га Гая аш ьирргея!оп ш !атас агеа соаппа.

— 44тГАппиа! Тесьп. СонГ. Ргос., (2001), Бос. оГ чбс. Соатеть, р. 375-381. 35. ччбпх(ег Т. Ри!ье маапеггоп Брипеппа — 0ече1ортпепт апт( Аррисаиоп тгепдь. — 45гГ Аппиа! Теспп. СопГ. Ргос., (2002), Бос. оГ'час. Соагегь, р. 3! 5-32!. 36. Ведь!пт) А. апд ад. Кеастие ьриттеппа ияпа а диа1-апобе ваьпеггоп ьуяепт, -441ГАппиа! Тесьп. СопГ. Ргос., (2001), Бос. ог чье Соагеть, р. 130-! 35.