Для студентов МГТУ им. Н.Э.Баумана по предмету Процессы и оборудование микротехнологииРК4 - ПанфиловРК4 - Панфилов
2022-01-212025-07-09СтудИзба
Другое: РК4 - Панфилов
Описание
В файле представлены вопросы и ответы ко всем из них на рк4 от Панфилова. В файле есть гиперссылки, вопросы разобраны подробно.
Список первых 10 вопросов:
1. Схематично изобразить операции типового маршрута изготовления полупроводниковых микроструктур.
2. Схематично изобразить основные методы нанесения тонких пленок в вакууме.
3. Схематично изобразить основные методы вакуумно-плазменного травления.
4. Схема процесса ионной имплантации.
5. Схематично изобразить варианты ионно-лучевой обработки.
6. Схематично изобразить методы измерения скорости осаждения тонкой пленки.
7. Доказательство необходимости вакуума в элионных технологиях.
8. Какие положения молекулярно-кинетической теории газов используются при расчете параметров элионных технологий?
9. Факторы, определяющие энергию электронов, ионов и нейтральных атомов.
10. Понятие «температуры» электрона, иона и других атомных частиц.
Список первых 10 вопросов:
1. Схематично изобразить операции типового маршрута изготовления полупроводниковых микроструктур.
2. Схематично изобразить основные методы нанесения тонких пленок в вакууме.
3. Схематично изобразить основные методы вакуумно-плазменного травления.
4. Схема процесса ионной имплантации.
5. Схематично изобразить варианты ионно-лучевой обработки.
6. Схематично изобразить методы измерения скорости осаждения тонкой пленки.
7. Доказательство необходимости вакуума в элионных технологиях.
8. Какие положения молекулярно-кинетической теории газов используются при расчете параметров элионных технологий?
9. Факторы, определяющие энергию электронов, ионов и нейтральных атомов.
10. Понятие «температуры» электрона, иона и других атомных частиц.
Характеристики учебной работы
Тип
Учебное заведение
Семестр
Просмотров
17
Размер
3,35 Mb
Список файлов
1639463901728_panfilov_rk4_dop.docx