Реферат: Метод пространственного атомно-слоевого осаждения

Атомно-слоевое саждение (АСО) стало важным методом осаждения тонких пленок для различных приложений. Обработка полупроводников была одной из основных причин недавнего развития АСО. Международный план по развитию полупроводниковой технологии (International Technology Roadmap for Semiconductors – ITRS) включил АСО для оксидов затвора с высокой диэлектрической постоянной в структуре MOSFET и для барьеров диффузии меди в межсоединениях бэкэнда. Кроме того, AСО соответствует сложным требованиям в других областях, включая осаждение высоких качественные диэлектрики для изготовления траншейных конденсаторов для DRAM.

Миниатюризация полупроводниковой промышленности привела к необходимости контроля атомного уровня при нанесении тонких пленок. Миниатюризация привела к появлению структур с очень высоким внешним видом, которые необходимо покрыть конформным покрытием. Никакая другая тонкопленочная технология не может приблизиться к конформности, достигнутой АСО на структурах с высоким аспектом. Необходимость в непрерывных пленках и пленках без отверстий в полупроводниковых устройствах привела к развитию АСО. Другие области применения с аналогичными высокими требованиями за пределами полупроводниковой промышленности - это диэлектрики с низким уровнем утечки электронов для магнитных головок чтения/записи и покрытия диффузионного барьера с низкой газопроницаемостью.