Для студентов РТУ МИРЭА по предмету МикроэлектроникаЭкзаменационные вопросы (по билетам)Экзаменационные вопросы (по билетам) 2018-01-12СтудИзба

Вопросы/задания: Экзаменационные вопросы (по билетам)

Описание

Описание файла отсутствует

Характеристики вопросов/заданий

Учебное заведение
Просмотров
109
Скачиваний
0
Размер
2,42 Mb

Список файлов

Вариант1-1

Распознанный текст из изображения:

э ь

внз

ь

разница?

Майьиый размер окна в окисной пленке мокхно пол . чн ~ х

рлитографии при использовании ргттной ымпы ь~я

Ияиия фоторезистивного слоя~теорет нчес к им )'

стром материала ограничивается диффузия нрнмссн в

ят усилительные свойства биполярного гран гас|пол

эмиттера

базы.

коллектора

трении носителей в эмиттере

елей в коллекторе

гелей в базе

в биполярных интегральных схемах"

алого либо интегрального диода

МОП транзистор с индунированным и каналом

необходимые обозначения

х!~!.''г'.";;:,;Ж;:~'!К466Й МЦГИ

а ' '* 'Ф ' яф зй$яйг~ем

зяи:структур является дискретным пленарным

стерся», а какая. интегральным".

ирроговое ивиряясемие Опор мОп транзистора с

Вариант10-1

Распознанный текст из изображения:

„~ ~;='«~!,~;.,:!~Р~«Ф~фйфленйе 'ЙС',;расщиф

~,„'".=,-:;:;;:;!'::::';;::;,:::,~~ЮМайКя-биполярных ИС. ."!'„'...3:,.";.-';::'-'Что:~4кое фотолитография. К ';'!';.: 'ЩФейКе $ИЭ~ можно получить и

6фММФМ;к«ля экспонирования ф

.'.:::;:.' -, рз)г~ЙМ'лампа( в производстве

, -' "Ф;:... ~,рнеуттке Х.изображена стру

-йфафвнсщра изготовленного и

Вариант 1О

ровать обозначение ИС К537РУ1

сы зпитаксиально-планарной технологии

акой минимальный размер окна а окнсной

спользуя контактную фотолитографию.

оторезистивного слоя испол ьзз ется

)

ктура биполярного интегрального

о эпитаксиально-планарной технологии

Сделать все необходимые

обозначения

5; Йа:рисунке 2 приведена схема биполярного интегрального тран ~ис1 рл

Ь.-.;.:,Э.,:,,'К«Где в структуре биполярного интегрального

транзистора сосредоточены паразитные параме1ры

Скп и Ктк

« зк

а одного из элементов биполярных

'::'.,,"~';:::..'~-',:ржункег 3 изображена структура

'::.«~!:::::;;";:.,:::.~~~~Дффпънмх, 'схем

Какой это элемент и к ак он реал и ту ется

Вариант10-2

Распознанный текст из изображения:

7. На рисунке 4 изображена структура МОП транзистора с

индуцированным и каналом

сделать все необходимые обозначения.

8, Каков основной структурный параметр МОП транзистора. Показать его

на рисунке 4

9, Что такое технология самосовмещенного затвора и какие, проблемы.

улучшения параметров она решает

1О.Почему в микроэлектронике в качестве элементарйого:логического.

элемента может использоваться транзистор в ключевом,ре Жиме

Вариант2

Распознанный текст из изображения:

" 'ф:.::,,;:Какряадизуются резисторы биполярных ИС.Изобразите с гру л ~ у р

';.-'-',": даф~фузйонного резистора

'-;;::7.-;::,::::Нарйсунке 2 изображен МОП транзистор с иидуцироваииыч и

..:.''-,;~твнйдОму Каков основной структурный параметр МОИ ~ряи гис1ори

;;;;::;::язйкаФать" его на рисунке

'И' 3 С

~;;,:,:-;:;:,$,-; ':Что:~ф~ейечявает быст

!'~'.'Ф~:::,."-':::Яж,:~;~туйчи:КМОП техн

'"""!4~~~':;~:~физический

родействие МОИ транзисторон?

ология? Изобразить структуру кочплечсиырипи

подход к проблече надежности иитегральиои

ю

Вариант 2

з каких , ьязйодЧйкФФай йитегральная схема? И :, о оят полупроводниковые , о сй' у.изготовления состоят оойовйцЕ технологические процессы эпнтаксиально~фцу йологйи изготовления полупроводниковых '.:.-",:~;"-.;-:;..';"".~~~тьйык схем. "-=",;ф~:-~ ~~йиэб пюдунейия'пленки %О2 (диоксида кремния ~ иеобходичо ;..,';;::! щ~йФТй,:.еалй толтцина пленки должна быть 0,8 мкч? Су ос и ~и ,-'-'::::::::;., ~я~фф~~4~~:оййьлейййЕ, а может чередование этих процессов' ::~!4."-':='!~Р'"тле~'пленарный биполярный транзистор". "-"='3,'.:;.;:„-:,~ф~фйе~ффизображена структура биполярного интегралыиио :':,;: ";.'~айяйфтзара, изготовленного по эпитаксиально плаиариой ~ехиол~н и и ':,„',6;:Сделать все:негобходимые обозначения

Вариант3

Распознанный текст из изображения:

Вариант З

66'''М~П ИС

дйтзколдяс тщуегралъная схема7 Что такое

»оейавиые технологические операции технол

д1пзаса И б

ологни

'»~1~ ~",~;~фчФдом 'сухого нли влажного окисления получается тонкий

:='~;,;,::~!:,-:,:::.~фф4~~Фф1зфйЬФ диэлектрик МОП транзистора и почему

;-~:-.,~як".:,в1~~»я~3~.вМНоляриых ИС необходима нзоляыня элементов

'";", ~:;":М:ф411вусйя»Ф,':Гизображена эквивалентная схема биполярно»о

'""; ':;":~дф4щ»го 'транзистора.

;, 'Ф,;::,;-'-',.;:э',:;::;: 'к

Где в структуре биполярного и»пе грал ьного

транзистора сосредоточены паразит ныс паране» рм

тк Скп и Ктк

ра МОП трвнсиссс»рв. но г. гсивлх

"-'е»!'::йа,рисунке 2 изображена структу

"' '.4ФФЮом двойной диффузии

Сделать иа рисунке всс обо с кс ю,их

Показать нв рисунке ' .сс

расположен канал 1вкосо '»11»11

транзистора и канона сс о .с.»~~ил 1

1~ах

яйгсичеодувз'фг'увнкцилу выполняет элемент «н» агддеукирегь:ИС

-;7:,„ЙФ46фйзйтв структуру МОП конденсатора МО11 ИС , .Ж, йдрзттсунке изображена схема МОП инвертора МОП 1»с Нарисовать переходнун» харакссриссику иивсрсорс 1.»амх = П1»кх)

Вариант5-1

Распознанный текст из изображения:

~~бяФЩЩМЬидя::е~Щ~:".Кг .. Вариант 5 ВзсааФсий ' '' еификяцин инте

грал х схем по констру~

ризнаку( по.способ изгото ~)" технологнческнеоперации эг

и эпи1аксиально-планариой г,, готпвления биполярных интеГральных схем --~т!'., ""':~;-хМ',отличатётгн пРоцессы сУхого и влаж

влажного окисления кремния

~~! '=:~~ятЙя'пленок диоксида кремния % О,

ф)~ф~$~Й~~~~ ттртияесф г!я!Е ~~~~яМ~"пленяй ЙО2 '.фй~~ф'Мм:~икн :-а:;.м": ,"ФФй~:.~щ~е6 эпитаксия. Какая область интегрального планарного

фйрб)фрцоттэ 'крапзйстора, изготовленного по эпи~аксиально-п эаиарнии

".,Ч~ф~ффбряти, япляется'эпитаксиальной; эмиттерная. баговая или ;...,,' '.„?копбпйзпрная ' '$.::,":,'М фисунке 1 изображена эквивалентная схема биполярно~ о " ':;Инте пайьного.транзистора Цепь Скп и Кгк является параэигной Еах ~ и иьеи|ь Скп и Ктк? тк уру диффузионного конлсисатора биполяриы; сна часть МОИ интегральной схемы -и з с -и 31

г,' ВФ., -',« « ':-!'- """"$М~бяр1кяьтзие;схемы -биполярные или МОИ ИС

"''""''""' ''""""':: "': """''.'""":""' ' 'ю-высоких частотах > 10Гц

Вариант5-2

Распознанный текст из изображения:

~~~Фк~!~ф~йвф~Ф:,3',Ю3661аааксн ~фф)Д.ннаен .::~!-'::-:'::;"::;:"'::".:ф--- а-'Е".":.*::"":Т . РВКТЕРНЕТНКУ ННВЕрТОра 1 'вь~х = ~(~,,а ~ Иных

1'вх .—,- "~О',Я94~Л9фуНКцйю ВЫпОлняют изображенная на рис~ нке 4 нп икд. Как нна

'ЙЮЬЙИФТСЯ?

Вариант6-1

Распознанный текст из изображения:

а МОП транзистора, полученная

методом гсоннсн о

легиро.эния. ! ле об.гас~и,

полученные методом

ионной имплэнгсгцснс' ! »о

;:::.,»-.В:":::Йа рттсунке 2 изображена структур :И":-.. '. 3 с

каким техгигло1 иям

выполнена иэ сзру ктур и

как»ио проблему улучшения

ешает

ранзисторы. Июбрэгигь

ную на одном кристалле в едином

структуру»

сатора

::,,;:!„. ',~$~ЖМФ$~фов,МОП транзистора она р -;:.;!~::::,:.;.9~~~:тгяМйламентарные МО»1 т ;;,:;:,,,:-~~~ряз1Фй4МятгЭ~Муто нару изготовлен ;;::;.'::~-;,-~':"::.:.,",~~зг»!~четком цикле('нарисовать

;-!-";.'~'':.'-;$$~~~'!~~агтт"ст»!»уктгуру МОП конден

Я~~ЦГт1тКОВОдиИКСЗВа »: !. ' ' . '' ' с»арнаит 6

нтегральиая схема. Чем отличают

": ~~$ФФФфФ~»гав '-'$" ~4~щ4е дцффузцяс,"Чем отличаются диффузионные слои ог ';,",;:;~~»ладьях (' по размеру слоя, по диапазону возможных :,,4:" ' '::;:-; . КФг1»т~фФтрасцийз но распределению примесей в облас !

и ,::",умжкогобннзолярного планарного транзистора лучше час согнсле

яиуйотвягг.'гу.дискретного или интегрального '5:;: ',НФ рисунке г представлена схема составного транзис сорэ- парэ Дарлингтона. )квнваленгное усиление такой пары В=-В! В '. где В! и 82 козффе~гиен1ы К усиления по ток» грэсгсгсс ~оров ! ! и Т2. Изобразить микроэлектронное испо.шенпе Т2 такого трэнзис сорэ»с ~ р» к с» р» !

Вариант6-2

Распознанный текст из изображения:

":;:,''.-.'::::;.:::,::.':::9:."'.':Царей~® иМбражен инвентор на биполярном транзисторе, "-: ':.'.!':::;-':";';;:-':®~Фййом:по:схеме с ОЭ. Изобразить передаточную характеристику "",:,: З~фВЕЙ'БОРЗ 'Юеых;- ~(Ы~х)

Евых .1 0.: Что такое полныи и у

и словный отказ ИС

Вариант7-1

Распознанный текст из изображения:

'~Ф$тзвфвпщщ'схем ' р ' ' ' '- Вариант у вью:::1гт-с5П~~5 ' ы ащнифровать обозна* ение иеетепениг интеграции инте ь ой'слогхгное, про ж е ости ие сопровож ое, про ждается ухудшением ее "--,'",', Й~ ещплв основные,процессы впи

впитаксиально- плана вой '-"„':":::;:::!::.::;-':,'-"Ж~Ф~$9пгуни изготовления бипол

Й

ярных интегральных чик осхем Еа ':";."::;-:;::;::,:..:::, $~111е46ов1 проводится маскирование

:.~~3~у~3Ф$елиФь основные функции пленки диоксида кремния в

',-':;;":,~Ъ~Вуйфф96дниковых интегральных схемах ,.,:5",„Лф~фй7н1® 1 представлена зпитакснальна

ная иланарная сгр~ю~ра( ,".:"„;":;.: '-в~~зф~д~йсталлический кремний р типа и выращенный на нем "С.: . а~4Фяявиссйальнызй и слой. На рисунке 2 в структуре, у ка занной ва :,;,;1;: —;;"пнсзпткЕ 1 выполненьз изолированные области в ьгзн 1зы~ моьв~ ,, форМнровать интегральные транзисторы. Каким обратом во.о «. вы

дасти

'~:!;,":,"'. -'-:.::: ',.' ' 'рве 1 ниг ." ;-'4:;:,.$Ы Рисунке 3 представлена струкз.ура биполярного гран вн ~

Сделать все необходимые обозначения „,'".7 :;:,',::~14:~~тсуикзе 4 представлен МОИ транзистор с инду нвроваввыч в =;.,,'-:.:.::::;-:::;:;::,:;::,::.-;:::,:;:д~~~фбф'.:

Вариант8

Распознанный текст из изображения:

При ответе ла1ь областям

названия.

асть 5

ояасьь 6

'„г1бйабть.'1 Область 2 Область 3

3,-'йа рисунке 1. в структуре транзистора присутствхст ыблася ь 4 Каь1к.

, раль.она:выполняет?

4ь Какой технологический процесс используется для иолу гения к вы ах ~сь

' Фобласстям Э, К,Б?

'$йяарисуике'2 представлена схема элементарных бииояярны;

интегральных схем

9';::ФЬ:рьнеу?ИКЕ'3 ПрвдетаВЛЕНа СтруКтура МО11 трав ~ИС1Ора С

нййр~ирьаьиФным и каналом..

Сделать на рисунке 3 всс

необходимыс обозначения.

МОП транзис|ора?

ежду стоком и нс гоком 1,'си

нужна изоляция элсменяов

интегральных схем

;~-4"':":Ж~~~~йке'1? 'изображение

:; = .';::-фйт1й1тютора:изготовленная

::;::; .~йй~'ий указанных облает

';,:;,'эятйтмсиальиыми?

-";„',~:::;~ ЬФ! зсавиь'сит.'быстродействие ,.-;,,':Ф.,'':,':зйая1~агрсаничьииает напряжение м

-",':,!:~';:ф':::а'':изя~биу:и. 34дй транзисторе не

.;;;:.'-',::""'14:;-'~иисФить особенности МДП

труктура биполярного интегрального

'схиологйн

по зпитаксиально-планариой тех

ей сделаны диффузионными какие

Структура какого засоси ~а прс нк»к:, иэ

на рисунке 2

Вариант9-1

Распознанный текст из изображения:

л~~зР! зВ~'4~й~ковая:интегральная схе

®"МОП:икатрагльнме' схемы друг,

И 66'

ФВ~ГнчесМх операций зпнтакси

~~:;-;: '~~~~~у~нй'"йзгртовйення"интегральных схем

3..::,::~~М" нз:щ$едетавленнЫх структур является д

:.; -"фт~~~~ъным:бйполярным транзистором

ально планариой

обуславливает групповой

искретным, а какая

:4:;.:Быстродействие какого планарного биполярного транзистора яыьзс „фйскретного или интегрального

'5.:''Как;реализуются резисторы биполярных ИС. Изобразить стр~ к~ ~ р~ 4йффузионного резистора

6,':...-.~$4грнсунке изображена структура МОИ транзистора с „Ийдуцивованным и каналом. Сделать все необходимые обозначения

,7:,:,,~пвефяте..посяедовательность технологических операций цданарной

'.~~р~щщайфФ чтя-получения структуры из и, 6

.'ф.::,":':~еаятятегральные схемы биполярные или МДП предпочтительное на

-;::'„ вм~м~й::чвсютах. > 10ГГц

Вариант9-2

Распознанный текст из изображения:

Тр1- нагрузочный

транзистор

Тр2-активный или рабочий

транзистор

13вых

1О;Что такое физический подход к проблемам надежности

9, Иа рисунке изображен МОИ инвентор, В каком режиме находятся Тр1 и 1р2 Еп

Картинка-подпись
Хочешь зарабатывать на СтудИзбе больше 10к рублей в месяц? Научу бесплатно!
Начать зарабатывать

Комментарии

Поделитесь ссылкой:
Бесплатно
Рейтинг-
0
0
0
0
0
Поделитесь ссылкой:
Сопутствующие материалы
Свежие статьи
Популярно сейчас
Почему делать на заказ в разы дороже, чем купить готовую учебную работу на СтудИзбе? Наши учебные работы продаются каждый год, тогда как большинство заказов выполняются с нуля. Найдите подходящий учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
5310
Авторов
на СтудИзбе
415
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее