Вопросы/задания: Вопросы к экзамену

Распознанный текст из изображения:

10. Диффузия из бесконечно тонкого слоя.

11. Диффузия из неограниченного источника.

12. Факторы, влияющие на величину коэффициента диффузии.

13. Легирование в потоке газа-носителя.

14. Локальное легирование.

15. Технология маскирования при легировании.

16. Выбор легирующей примеси.

17. Ионное легирование. Аппаратура.

18. Распределение пробегов ионов.

19. Механизмы потерь энергии ионов.

20. Ионное каналирование.

21. Ионное легирование. Влияние радиационных дефектов.

22. Отжиг дефектов ионно-имплантированных слоев.

23. Методы формирования топологического рисунка изделий микроэлектроники.

24. Фотолитография.

25. Фотолитография. Волновые эффекты при экспонировании.

26. Электронно-лучевая литография.

27. Рентгеновская литография.

28. Методы травления при формировании топологического рисунка изделий

29.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

8.

9.

30.

31.

32.

33.

34.

35.

36.

37.

38.

Технологические операции, применяемые при изготовлении полупроводниковых

приборов и ИС.

Классификация ИС.

Структуры транзисторов полупроводниковых ИС.

Примеры технологических схем изготовления полупроводниковых ИС.

Методы легирования материалов.

Методы диффузионного легирования материалов.

Основные механизмы и закономерности диффузии примесей в твердом теле.

Профили распределения примесей при диффузионном легировании.

Простейшие решения уравнения диффузии.

микроэлектроники.

Факторы, ограничивающие минимальные размеры элементов, формируемых

методами литографии.

Методы получения пленочных покрытий.

Эпитаксия из газовой фазы.

Выращивание гетероэпитаксиальных пленок кремния.

Молекулярно-лучевая эпитаксия.

Методы получения пленочных покрытий. Вакуумное испарение.

Методы получения пленочных покрытий. Ионное распыление.

Осаждение слоев методами пиролиза и химических газотранспортных реакций.

Методы получения пленочных покрытий. Термическое окисление.

Толстопленочная технология.