Лабораторная работа: Лаба 1

Распознанный текст из изображения:

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО

ПО ОБРАЗОВАНИЮ

(+

РСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ,

ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ

(технический униВеРситет)

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА И01

Исследование характеристик БИС и СБИС и параметров ячеек

ЭВМ на их основе

по предмету <с Конструкторско-технологическое

обеспечение производства ЭВМ»

Студент дыдрец Я,в.

Вариант Мо

Группа ВСС-2-04

Преподаватель Малахов А.В.

МОСКВА

2008

Распознанный текст из изображения:

1а — Исследование зависимости характеристик БИС и СБИС от уровня

микроэлектронной технологии и типа схемотехники.

Таблица значений параметров

Тип логики: яСЛ

МЛР, мкм:

Параметры

Степень интеграции БИС, ЭЛЭ

гу>'з

Рассеиваемая крист. мощи., Вт

>а 'Б>с>

Задер>кки на лог, элементах, нс

Задержка в связях кристалла, нс

и

з -,'

эх,'

>х>

Число требуемых выводов кристалла

ху, рэ> УЯ

Выход годных кристаллов

Стоимость БИС, уел.ед.

и яд>'

Стоимость ! ЛЭ БИС, усл.ед

а'

,Я'г а>~," .у '> Б ахи,",.г ф

~,.".~'.е'~'>г:без ~.'

Интенсивность отказов, !!ч

Тип логики: ТТЛ

МЛР, мкм:

Параметры

2,5

Степень интеграции БИС, ЭЛЭ

.'>Ывх ~ .~'бе' >

Рассеиваемая крист. мощи., Вт

Задержки на лог, элементах, нс

Задер>кка в связях кристалла, нс

Число требуемых выводов кристалла

>,, х

;?

~ 'с ',-Р о' г' 3 а

Выход годных кристаллов

Стоимость БИС, уел.ед.

~ Стоимость ! ЛЭ БИС, уел ед

Интенсивность отказов, !!ч

Распознанный текст из изображения:

Тип логики: иМОП

МЛР, мкм:

Параметры

1,5

2,5

Степень интеграции БИС. ЭЛЭ

Рассеиваемая крист. мощи., Вт

Задержки на лог, элементах, нс

Задер>кка в связях кристалла, нс

Число требуемых выводов кристалла ' Я

.'9Й.'м>й> уЯ2%1 ВЯЗ«'>5 ~

8',г'А~ А.э

у;УФ/3. '>

Выход годных кристаллов

Стоимость БИС, усл.ед.

4д~~аб

дУФ'У

дУг Ю к?Юй

Стоимость 1 ЛЭ БИС, уел.ел

«~~(~6~~'~ ~~ ЦВАЙ~'>~К

лук««Б ~'~я~'

у,'~~~~8/5

~~5Ю«г!в>/У

Интенсивность отказов, 11ч

Тип логики: КМОП

МЛР, мкм:

Параметры

у>дх',КвР

Степень интеграции БИС, ЭЛЭ

Рассеиваемая крист. мощи., Вт

д> с>.з

>> ерш

Ф в.х'

Задержки на лог. элементах, нс

Задер>кка в связях кристалла, нс

Число требуемых выводов кристалла /5.5'

. Й73Ф~1

б' >'33 Я > г>~Щ'Я.' ' Д~дб~ 5!.~'~~'

Выход годных кристаллов

>с ~>Ь„/я

Стоимость БИС, уел.ед.

,э ь «це,3«г

-';'деа ~д

.,>

язвХЮ~ у'>'

Стоимость 1 ЛЭ БИС. уел.ед Интенсивное гь отказов, 11ч

-"«Сей.Л Б -й-."':3

х> «« Е> ~~ б,~ к 1з! ~>

л

ВЫВОды: Е'. ХЗИО«>К«Э ('У«5 Ж ' ЕК ~~ '-',ХК '-С«>>ЕАК ~« '.ФЯВ«БРГ«>«Ы 3>;22

и ~>в~а:~«~ ~:к' >> - «г.

блуз>~ " 1 1!Ы1,>й г'.Ь «" «злы«-' е>е>««д>"-> '4~' кквих>Гхя-

э «5 -о,г. «, «,~. кв>~ ~у. ж .г .

в ~з ' А.с «ы ' ««ю~«« ° '>з>I « ~«'ю~

.ж«а ««« ~аль~«с«~' Я.~«ю

У

~4,~ ~> 6>«Г ю я В и ~«>7««э ь>хФ'.«адис', с«уо ~ >с и ~укЯъ~2«э угу>ей '«2. 'Й

Р.>-

«, я,в .Фж4ея ~Ма ~:~~~,Л'В;- «.'~~2~ к «ВИ-'е ал «»И>;-;-,е>т> к, В-, же~ еа

Распознанный текст из изображения:

МЛР, мкм:

Тип логики:

Параметры

кмоп

ттлш

ф' «~д. э

эсл

ттл

пмоп

~ЫР уФа'Ю

Степень интеграции БИС, ЭЛЭ

Рассеиваемая крист. мощн., Вт

Задержки на лог, элементах, нс

Задержка в связях кристалла, нс

гг год

Число требуемых выводов кристалла

д '.ЫУЫ ~".;/ОЯ.У,д5й"У'гО

~ ЫИ~~ 4'АЯ~7

Выход годных кристаллов

Стоимость БИС, уел.ед

л~ф'; э' еэф~.' ~~а

Ф с~4 Ф' атсс~ Ы

Стоимость 1 ЛЭ БИС, уел.ед

я~я!с)сосо ~гб,,*" ,"хтз эсз~х с

ы7акж'г ',У 6айбсэЯ

г,"ф~кса~~'.3,»

Интенсивность отказов, Ич

д к ~сарж

Группа: Кось '-Ф~~

Бригада № в составе: .Жег ' к.м~

М.

г

Выводьгг .'й' жл =в'гэ П ' 6сг т ' с ~6,.4ЫЫ' 'Ыси уз о сссг~ы сг~а-

.АЩЖР. Йд- сг ис'сжЙясг;э4' ...ссг' ~ Лыы ' .~ ~ты г. /.'

,б

'. м б хезби~ аг 'ясэ .б д,4:жж.к ги -, -ьа с-"ж.г, хь «,ФФК—

.'я г~щ:, сг;~~ у~ фу щг д ~у ~ ел~~~.р ~~д х ",~7д.~ д~щ~~~ 7 ~ ~~/г

ь'та.кяэ. 4у'дЬ л и и,сы сгсккэ а д

где" ест'Ре'хесю 'с;е'его'сг4тл кге~ ~сочв,.сгэ 4 х4"-Р~ги 0

Ии ет угу- ..сс0.. г я-~А~ с Ы~-се~'хок ~гст~й г

Кськ. ся;р -,.рэусг,г-гэ ~;;~ рггл.х~~~'Гст,Щ;,и.~" ляэ яу",з

си~'4~~эГГ~г~~А'-б-вг сЯ~» ж~ж~.'и ~ЬР~ ~ ю гооес'

ею~ве загс ~ ~ гг~*. и ' м

БГтГЯ~й» Й~й;% ~ГЗГг' сэр тГЯК яГсГ

гэ'с Л'~.'гя=

'аг:М

Распознанный текст из изображения:

1б — Компоновка функциональных узлов (ячеек) ЭВМ на БИС и СБИС и

исследование значений параметров узлов.

Таблица значений параметров

Варианты расчета конструкций блоков

Параметры устройств

Параметры БИС:

Тип логики

!з.Л40! !

Мин. Литогр размер, мкм

чек~ту ~~я~ ' з

зЫы-'

«~а и Бз

Степень интеграции БИС. ОЛЭ

Тип корпуса БИС

Число выводов корпуса БИС

Параметры ячейки:

Число корпусов БИС на ПП

Число внешних выводов в ячейке

Я зхЮлгз б',Й~'й"7ы

К *~ Ртй 'лтл бз д гМ~'с'

.Ф З 'з х,~~газ;

Размеры ПП,

мм

Число сигнальных слоев в ПП

Тип плотности ПМ

Рабочая площадь ПП,

мм

2

Л'~у я~хл

3~лс:

Плошадь ПМ на ! слой ПП, мм

Длительность цикла проц., нс

Выход

на рынок

у у

Цена процессора, ус. ед

,йР ~~3н

% прибыли на 1 процессор

Объем выпуска, шт.

Объем реализации, шт.

Прибыль, тыс. ус, ед

ря.~-ф. -фр'~ -а~=~- фФ+

и

за!~ т ~ з ~~Ь,''! гол, и

дата: Лг", бгиг

грг ы аа~-~

Бригада № в составе: Йы.хеопс'

.ф'—

П

аь енз . ' Й а гм. '~ зг й' а Ж Г ~' ЗКФ'ф~~

ы~5%пк ~~ф~ ыж х хг~~ь~ыегл ~Б,'~ кз

я;ь,'~ш Зд "-АЬЛ~ яе«7Р Ьця ~' х~я ~ и~ ~~' ' !хя

исаа ~ с~а з* ых «'-ю' Е а .ю~: Г ю~~~е

~~уз~О'-~лф~я~~~ к~ах 'гсслзсз»:., -'Алзщ'смзткт ~с;.его~ г.: 4ееег лс," тсЗ;~Л ~

Ф'-,=

«а' ! ! с.ь