Для студентов по предмету Коммуникации и связьИсследование полупроводниковых приборовИсследование полупроводниковых приборов
2016-07-302016-07-30СтудИзба
Книга: Исследование полупроводниковых приборов
Описание
Исследование полупроводниковых приборов
Содержание
- По соотношению концентраций основных носителей в слоях n и р переходы делятся на симметричные и несимметричные: nnpp и nnpp или ppnn, где nn – концентрация электронов в области n, pp – концентрация дырок в области р. Практическое применение находят несимметричные переходы, у которых различие в концентрациях составляет до 100 – 1000 раз.
- Предельные параметры диода.
- Рис.6. Схема включения тиристора на постоянном токе
- Теоретическая часть
- Р 12 ис.1. Дифференциальное включение операционного усилителя
- Таблица вариантов
- Теоретическая часть
- Рис.9. Схема для снятия статических характеристики транзистора
Характеристики книги
Тип
Предмет
Просмотров
106
Качество
Идеальное компьютерное
Размер
937,11 Kb
Список файлов
TaskMen
30 июля 2016 в 03:55
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
