Для студентов НГТУ по предмету Физические основы электроники (ФОЭ)Теория к экзаменуТеория к экзамену
2021-09-08СтудИзба

Ответы: Теория к экзамену

Описание

Ответы на вопросы к экзамену – Часть 1

  1. Генерация и рекомбинация носителей заряда в собственных и примесных полупроводниках.
  2. Закон действующих масс. Образование основных и неосновных носители заряда.
  3. Функция распределения Ферми-Дирака. Энергия (уровень) Ферми. Положение уровня Ферми на зонной диаграмме Е(х) в примесных полупроводниках.
  4. Температурная зависимость концентрации основных носителей заряда в собственном и примесном полупроводнике.
  5. Рассеяние носителей заряда. Подвижность носителей заряда, зависимость от физических параметров.
  6. Диффузия. Первый закон Фика. Коэффициент диффузии, температурная зависимость. Соотношение Эйнштейна.
  7. Электронные переходы в полупроводниках (излучательные и безызлучательные).
  8. Удельная электропроводимость полупроводников, температурная зависимость для примесных полупроводников.
  9. Диффузионная и дрейфовая плотности тока.
  10. Контакт металл–полупроводник (омический), зонная диаграмма Е(х).
  11. Контакт металл–полупроводник (неомический), зонная диаграмма Е(х).
  12. Р-n переход в состоянии термодинамического равновесия, зонная диаграмма Е(х), основные параметры.
  13. Распределение объёмной плотности заряда, концентрации основных и неосновных носителей заряда в несимметричном p+n переходе в состоянии термодинамического равновесия.
  14. Р-n переход при прямом смещении, зонная диаграмма Е(х), основные характеристики.
  15. Р-n переход при обратном смещении, зонная диаграмма Е(х), основные характеристики.
  16. Контактная разность потенциалов в p-n переходе. Механизм образования.
  17. Область пространственного заряда (ОПЗ) в p-n переходе. Структура, границы, причина образования ОПЗ.
  18. Интегральная барьерная емкость p-n перехода. Причина образования.
  19. Уравнения Пуассона. Определение напряженности электрического поля в p-n переходе в состоянии термодинамического равновесия.
  20. Вольтамперная характеристика идеального p-n перехода (уравнение Шокли). Влияние на ВАХ физических параметров.
  21. Ток насыщения идеального p-n перехода, физический смысл. Зависимость от параметров.
  22. ВАХ туннельного диода, связь с зонной диаграммой Е(х).
  23. Светоизлучающие диоды, Структура. принцип работы.
  24. Принцип работы полупроводникового лазера. Инверсная населенность.
  25. Причины отличая ВАХ Идеального и Реального p-n перехода.
  26. Структура, принцип работы биполярного транзистора. Схемы включения.
  27. Усиление сигнала биполярным транзистором в схеме с общей базой.
  28. Усиление сигнала биполярным транзистором в схеме с общим эмиттером. Коэффициент усиления.
  29. Статические ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.
  30. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом. Структура, принцип действия.
  31. Процесс перекрытия канала в полевом транзисторе с управляющим p-n переходом.
  32. Статические ВАХ полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Коэффициент усиления (крутизна).
Образец:

Ответы на вопросы к экзамену – Часть 2

  1. Генерация и рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках.
  2. Функция распределения Ферми-Дирака (fD(E)). Энергия (уровень) Ферми (EF). Положение уровня Ферми на зонной энергетической диаграмме Е(х) в примесных полупроводниках.
  3. Диффузия, 1-й закон Фика. Коэффициент диффузии (D), температурная зависимость (D(T)). Соотношение Эйнштейна.
  4. Механизм образования носителей заряда в примесных и собственных полупроводниках, температурная зависимость концентрации носителей заряда.
  5. Механизмы движения носителей заряда. Диффузионная (Jдиф)и дрейфовая (Jдр) плотности тока.
  6. Рассеяние носителей заряда. Подвижность носителей заряда (μ), зависимость подвижности от физических параметров.
  7. Удельная электропроводимость полупроводников (σ), температурная зависимость удельной электропроводимости для собственного (σi(T)), и примесного (σn(T)) полупроводников .
  8. Термоэлектрические эффекты Зеебека, Пельтье.
  9. Контакт металл–полупроводник (омический), зонная энергетическая диаграмма контакта Е(х) в состоянии термодинамического равновесия.
  10. Контакт металл–полупроводник (неомический), зонная энергетическая диаграмма контакта Е(х) в состоянии термодинамического равновесия.
  11. Р-n переход в состоянии термодинамического равновесия, зонная энергетическая диаграмма Е(х), основные параметры.
  12. Распределение концентрации основных (nn(x), pp(x)) и неосновных (np(x), pn(x)) носителей заряда, объёмной плотности заряда (ρq(x)), напряженности электрического поля (E(x)), электростатического потенциала (ψ(x)) в идеальном несимметричном p-n переходе в состоянии термодинамического равновесия. (Na, Nd заданы).
  13. Контактная разность потенциалов (U0) в p-n переходе . Механизм образования.
  14. Область пространственного заряда (ОПЗ) в идеальном p-n переходе. Структура, границы (xp, xn), причина образования ОПЗ.
  15. Интегральная барьерная емкость p-n перехода (Cб). Причина образования.
  16. Уравнение Пуассона. Максимальная напряженность электрического поля в p-n переходе (Emax), в состоянии термодинамического равновесия.
  17. Вольтамперная характеристика (ВАХ) идеального p-n перехода (уравнение Шокли). Влияние физических параметров на ВАХ.
  18. Причины отличия ВАХ идеального и реального p-n переходов.
  19. Ток насыщения (I0) идеального p-n перехода, физический смысл. Зависимость от параметров.
  20. ВАХ туннельного диода, связь с зонной диаграммой Е(х).
  21. Светоизлучающие диоды. Структура, принцип работы.
  22. Солнечный элемент. Структура, принцип работы.
  23. Структура и принцип работы полупроводникового лазера. Инверсная населенность.
  24. Структура, условия и принцип работы биполярного транзистора. Схемы включения.
  25. Усиление сигнала биполярным транзистором в схеме с общей базой.
  26. Усиление сигнала биполярным транзистором в схеме с общим эмиттером. Коэффициент усиления.
  27. Статические ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.
  28. Физические процессы в базе биполярного транзистора. Распределение концентрации неосновных носителей заряда в активном режиме (схема с общей базой).
  29. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом. Структура, принцип действия.
Образец:

Характеристики ответов (шпаргалок)

Учебное заведение
Семестр
Просмотров
10
Покупок
0
Качество
Файлы различного качества
Размер
87,3 Mb

Список файлов

  • Теория к экзамену
  • Вопросы к экзамену 1.doc 32,5 Kb
  • Вопросы к экзамену 2.docx 14,22 Kb
  • Теория к экзамену 1.pdf 66,08 Mb
  • Теория к экзамену 2.doc 22,84 Mb
Картинка-подпись
Вам все понравилось? Получите кэшбэк - 40 рублей на Ваш счёт при покупке. Поставьте оценку и напишите положительный комментарий к купленному файлу. После Вы получите деньги на ваш счет.

Комментарии

Поделитесь ссылкой:
Цена: 399 руб.
Расширенная гарантия +3 недели гарантии, +10% цены
Рейтинг-
0
0
0
0
0
Поделитесь ссылкой:
Сопутствующие материалы
Свежие статьи
Популярно сейчас
Зачем заказывать выполнение своего задания, если оно уже было выполнено много много раз? Его можно просто купить или даже скачать бесплатно на СтудИзбе. Найдите нужный учебный материал у нас!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Нашёл ошибку?
Или хочешь предложить что-то улучшить на этой странице? Напиши об этом и получи бонус!
Бонус рассчитывается индивидуально в каждом случае и может быть в виде баллов или бесплатной услуги от студизбы.
Предложить исправление
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
5076
Авторов
на СтудИзбе
455
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее