Определить значение сопротивления R1 (или R2 ), соответствующее граничному режиму работы схемы, и построить диаграммы токов и напряжений.

Определить значение сопротивления R1 (или R2 ), соответствующее граничному режиму работы схемы, и построить диаграммы токов и напряжений. При расчете принять следующее допущение: граничный режим достигается, когда минимальное значение тока в дросселе (напряжения на конденсаторе) составляет 1% своего максимального значения. Для граничного режима: а) вычислить максимальные значения тока транзистора и напряжения на транзисторе, выбрать транзистор (см. табл. П.1 и П.2 в Приложении); б) определить статические потери в транзисторе, используя следующие параметры: DS on   R – сопротивление сток-исток открытого транзистора, DSS I – ток утечки (для МОП-транзисторов); UCE on   – максимальное напряжение насыщения транзистора, CES I – ток утечки (для IGBT-транзисторов); в) определить динамические потери в транзисторе, используя следующие параметры: on t – время включения транзистора, off t – время выключения. Построить диаграммы тока транзистора, напряжения на транзисторе и мгновенной мощности на интервалах включения и выключения; г) выполнить тепловой расчет и рассчитать площадь охладителя для транзистора, зная температуру кристалла ( Tj ) и тепловое сопротивление кристалл-корпус ( R ).