ДЗ: Контрольные задания вариант 22

Рассчитать токи в ветвях, используя метод непосредственного применения законов Кирхгофа и метод контурных токов (МКТ); составить баланс мощностей; определить режим работы источников энергии.
Определить напряжение Uвых в схеме (рис. 2.1) при заданных значениях входного напряжения и комплексных сопротивлений (табл. 2). Построить векторную диаграмму напряжений.
Рассчитать полную, активную и реактивную мощности цепи. Построить треугольник мощностей.
Определить токи I, I1, I2 и сдвиги фаз φ, φ1, φ2 между соответствующими токами и напряжением U (рис. 2.2) при заданных значениях напряжения и комплексных сопротивлений (табл. 2). Построить векторную диаграмму токов.
Рассчитать полную, активную и реактивную мощности цепи. Построить треугольник мощностей.
В четырехпроводную трехфазную сеть (рис. 3.1) с линейным напряжением Uл включены два приемника. Один из них соединен звездой, другой приемник соединен треугольником.
Определить: линейные токи приемников;
линейные токи и ток в нейтральном проводе; активную мощность всей нагрузки.
Построить векторную диаграмму токов на комплексной плоскости
Определить характер изменения во времени заданного параметра схемы после коммутации.
Решение задачи выполняется двумя методами: классическим и операторным.
Классическим методом – составить системы уравнений для принужденных и свободных составляющих токов схемы. Составить характеристическое уравнение, решить и определить корни уравнения; по виду корней записать решение в общем виде.
Операторным методом – составить схему замещения в операторном виде; составить систему уравнений в операторном виде для изображений, найти решение. Привести изображение к оригиналу, т.е. определить функцию времени искомого параметра.
Вычислить прямое напряжение на p-n – переходе при заданном прямом токе (Iпр), если обратный ток насыщения при температуре (T, K) равен: а) I0 = 1 мкА; б) I0 = 1 нА.
Значения прямого тока и температуры приведены в Таблице 5.
Рассчитать и построить вольт-амперные характеристики идеального полупроводникового диода при заданных температурах и обратном токе насыщения. Расчет провести в интервале напряжений от 0 до – 10 В (через 1 В) и от 0 до 0,2 В (через 0,05 В).
Значения обратного тока насыщения и температуры приведены в Таблице 5.
При T = 300 K и заданном обратном токе насыщения идеального диода найти дифференциальное сопротивление диода при прямом и обратном напряжениях, равных 0,2 В.
Изобразите схемы для снятия вольт-амперных характеристик транзисторов типов p-n-p и n-p-n при заданной в Таблице 6 схеме включения.
Покажите на них направления токов IЭ, IБ, IК и полярности измерительных приборов.