Ответы к заданиям: Основы теории полупроводниковых материалов

Почему планетарная модель атома (электроны вращаются вокруг ядра) является проблемной с точки зрения классической физики? Каким образом снимается проблема в современной физике?
Каким образом проявляются корпускулярные свойства электрона? Каким образом проявляются волновые свойства электрона?
При какой температуре заполнены все разрешенные энергетические уровни валентной зоны?
Что такое уровень Ферми? Как расположен уровень Ферми в собственном полупроводнике?
Как выглядит уровень Ферми в системе, состоящей из различных полупроводниковых материалов, находящихся в электрическом контакте при отсутствии внешних источников э.д.с.?
Как смещается уровень Ферми в несобственном примесном) полупроводнике?
Что такое энергия ионизации примеси в несобственном полупроводнике? Где лежит этот уровень для донорных и для акцепторных примесей?
Какая концентрация носителей заряда называется равновесной?
Как изменяются примесная и собственная проводимости полупроводника с ростом температуры?
Почему существует техническая температурная граница использования полупроводника? Чему она равна для кремния и для германия?
Почему не каждая «встреча» электрона и дырки приводит к рекомбинации?
12. Почему наряду с основными носителями в несобственном полупроводнике присутствуют неосновные носители? От чего зависит их концентрация?
13. Как влияет равновесная концентрация электронов на равновесную концентрацию дырок (и наоборот)?
14. Как быстро избыточная (неравновесная) концентрация носителей заряда возвращается к равновесному уровню?
15. Какой полупроводник называется вырожденным?
16. Что такое легирование?
17. Каковы две причины перемещения носителей зарядов в проводящих материалах?
18. В чем заключается закон диффузии (закон Фика)?
19. Почему неравномерное легирование полупроводника приводит к возникновению в нем внутреннего электрического поля?
20. Что такое тепловой потенциал? Как тепловой потенциал связывает дрейф и диффузию электронов?