Для студентов МГТУ им. Н.Э.Баумана по предмету ЭлектроникаВариант 1 - Лр №3 - Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов, традиционный стендВариант 1 - Лр №3 - Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов, традиционный стенд
5,0054
2021-03-122021-03-12СтудИзба
Лабораторная работа 3: Вариант 1 - Лр №3 - Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов, традиционный стенд
-82%
Описание
Исследование характеристик и параметров
полупроводниковых диодов, традиционный стенд
Цель работы:
Получение и исследование ВАХ диодов и определение по ним
статических параметров модели полупроводниковых диодов, размещения
этой модели в базе данных программ схемотехнического анализа
Модель: .MODEL BATTAL D(IS=1.749E-8 RS=1.889N=1.047EG=1.11)
![]()
полупроводниковых диодов, традиционный стенд
Цель работы:
Получение и исследование ВАХ диодов и определение по ним
статических параметров модели полупроводниковых диодов, размещения
этой модели в базе данных программ схемотехнического анализа
Модель: .MODEL BATTAL D(IS=1.749E-8 RS=1.889N=1.047EG=1.11)
Характеристики лабораторной работы
Предмет
Учебное заведение
МГТУ им. Н.Э.БауманаНомер задания
Вариант
Просмотров
209
Размер
540,39 Kb
Список файлов
ОТЧЕТ По лабораторной работе №3.pdf
![Картинка-подпись](https://s.studizba.com/z.php?f=/uploads/fotos/podpt_77101_20215.jpg&w=1632&h=400&t=1")
Ваше удовлетворение является нашим приоритетом, если вы удовлетворены нами, пожалуйста, оставьте нам 5 ЗВЕЗД и позитивных комментариев. Спасибо большое!
anhyeuem
12 марта 2021 в 18:30
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
