ВКР: Пористые пленки ЦТС с использованием жертвенного органического порогена

Оглавление
Список сокращений
1. Пористые пленки ЦТС, свойства, преимущества и методы формирования
Введение
1.1. Сегнетоэлектричество
1.2. Пленки ЦТС
1.3. Золь-гель метод
1.4. Пористые пленки ЦТС
1.4.1. Формирование пористой структуры за счет термодеструкции диэтаноламина
1.4.2. Формирование пористой структуры за счет термодеструкции поливинилацетата
1.4.3. Формирование пористой структуры за счет термодеструкции полиэтиленгликоля
1.4.4. Формирование пористой структуры за счет термодеструкции поливинилпирролидона с разной молекулярной массой
1.4.5. Характеристики основных используемых порогенов
Выводы. Постановка задач.
2. Синтез и исследование пористых пленок ЦТС
2.1 Приготовление пленкообразующего раствора
2.2 Формирование пленок
2.3 Измерительное оборудование и результаты исследований
2.3.1 Спектральная эллипсометрия
2.3.2 Измерения вольт-фарадных характеристик
2.3.3 Измерения поляризационных свойств
2.5 Выводы
Экономический раздел
Заключение
Список цитируемой литературы

Реферат
Дипломная работа содержит: 43 иллюстраций, 11 таблиц, 74 страницы, 45 источников информации.
Целью дипломной работы является исследование процесса формирования пористой структуры в пленках ЦТС с использованием высокомолекулярного поливинилпирролидона.
Основные задачи работы: провести анализ литературы, процессов формирования пористых пленок ЦТС, подготовить пленкообразующие растворы ЦТС с различным содержанием ПВП360000 (0, 1, 3, 6.6, 14 и 20 вес.%), сформировать образцы пористых пленок ЦТС на платинированных кремниевых подложках, провести измерение толщины и показателя преломления образцов, провести измерение ВФХ и PE образцов, произвести расчеты относительной пористости, поляризации и диэлектрической проницаемости образцов, выполнить анализ полученных результатов и оформить итоговые таблицы и графики сравнения образцов с различным содержанием ПВП360000, оформить итоговый отчет о проведенной работе.
Дипломная работа состоит из введения, двух разделов, выводов и списка использованных источников.
В первом разделе описаны структура, свойства, основной метод формирования пористых сегнетоэлектрических пленок, добавляемые порогены и исследование свойств. Во втором разделе приведены результаты проведенных исследований: описана методика синтеза пленкообразующего раствора, технология нанесения пленочных структур на подложку платинированного кремния, оптические, структурные, электрофизические характеристики полученных пленок и результаты исследования влияния температуры обработки и состава исходного пленкообразующего раствора на эти свойства.

Список сокращений

ЦТС – цирконат-титанат свинца
ПВП – поливинилпирролидон
ПВА – поливинилацетат
ПЭГ– полиэтиленгликоль
ДЭА – диэтаноламин
ВФХ – вольт-фарадные харктеристики
МЭМС – микроэлектромеханические системы

• Пористые пленки ЦТС, свойства, преимущества и методы формирования

Введение

Сегнетоэлектрики – одно из основных наиболее перспективных направлений для изучения в области электроники. Данные материалы обладают множеством уникальных свойств. Среди них можно выделить большую диэлектрическую проницаемость, высокий пьезомодуль, а также уникальные электрооптические свойства. В связи с этим сегнетоэлектрики нашли широкое применение во многих областях современной техники, среди которых можно выделить радиотехнику, электронику и др.
В том числе в электронике и микроэлектронике крайне востребованы сегнетоэлектрические пленки. В частности, сегнетоэлектрические пленки могут быть использованы в элементах статической и динамической памяти с высокой плотностью записи информации, высоким быстродействием, в ИК-технике, СВЧ-электронике, а также в микроэлектромеханических системах (МЭМС). В устройствах, где требуются толщины пленок больше 1мкм предлагается использоваться пористые золь-гель пленки. Пористая структура, формируемая за счет термодеструкции порогена, позволяет избежать растрескивания пленок (рис.1), а увеличивающаяся за счет порогена вязкость раствора позволяет уменьшить количество нанесений (рис.2).