ХСП - Исследование фотостимулированных превращений в пленках ХСП (991024), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Номерами 1 и 2 обозначены лазер и высоковольтный блок питания. С помощью понижающего трансформатора 8 нагревается печь 4 и расположенный в ней кварцевый контейнер 6 с исследуемымобразцом 5. Температура образца контролируется с помощью хромель-копелевой термопары 7 и вольтметра В7-21А 12. На пути прошедшего через образец излучения установлена заслонка 8 с электроприводом 11. Интенсивность прошедшего излучения фиксируется по величине тока в цепи обратносмещенного фотодиода 9 с помощью микроамперметра 10.Рис.6. Электрическая схема установкиПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ1. Необходимо учесть, что процесс исследований может быть начат не ранее, чемчерез 30 мин после включения вакуумной установки.
Это время требуется для разогревадиффузионного насоса и стабилизации параметров оптического пучка.http://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А. Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ru62. Чтобы учесть потери излучения в подложке, на которую нанесена исследуемаяпленка, следует поместить аналогичную стеклянную пластину в контейнер 5 вместо образца 6, открыть заслонку 8 (для этого нажать кнопку «Заслонка — откр.» на пультеуправления) и добиться максимального значения фототока путем совмещения входногоокошка фотодиода 9 с прошедшим излучением. Контроль фототока проводится по прибору 10.Внимание! Во избежание получения искаженных результатов, необходимо не нарушать в дальнейшем юстировки (т.е.
не перемещать фотодиод, не поворачивать отражающих зеркал, не поворачивать нагреватель образца).3. Измеренное в п. 2 значение фототока в дальнейшем будет соответствовать интенсивности излучения на входе, равной 100% (I0=100%).4. С помощью пластинки из непрозрачного материала перекрыть пучок на входе вкамеру.5. Поместить образец в контейнер и установить его в печь.6. Подсоединить термопару к образцу, обеспечив надежный прижим ее спая к поверхности .образца.Внимание! Термопара не должна перекрывать проходящее излучение. После ее установки открыть на короткое время излучение и убедиться, что оно беспрепятственнопопадает в приемное окошко фотодиода.
После этого сразу перекрыть пучок.7. Опустить колпак вакуумной установки. Откачать камеру до высокого вакуума (намнемосхеме установки должна загореться соответствующая лампочка) .8. Убрать заслонку на пути излучения и снять зависимость, показанную на рис.2(участок I, кривая AГ). Запись проводить до полной стабилизации фототока. В начальный период записи фототок фиксировать через каждые 5-10 с.9. Включить нагрев печи и, контролируя температуру образца, снять зависимостьфототока от температуры и времени (кривая ГД, рис.2).Внимание! Для предотвращения фотостимулирующего воздействия, контроль пропускания осуществлять в момент кратковременного открывания оптического пучка.
Длявключения нагрева печи нажать кнопки 1 и «Вкл» пульта управления в зоне «Режим» ипутем плавной регулировки тока ручкой 1 (Мощность) добиться температуры подложкина 10-150С ниже Тg. Температуру образца контролировать по прибору В7-21А, пользуясьградуировочной кривой. При определении абсолютного значения температуры сделатьпоправку на температуру окружающей среды.10.
После 15-20 мин отжига выключить нагрев подложки и снять зависимость пропускания от температуры образца при его охлаждении с соблюдением оговоренных в п.9мер предосторожности. Образец охлаждать до комнатной температуры.11. Исследование цикла «запись-стирание» в отожженной пленке выполняется аналогично описанному в п.8, 9, и 10.ЗАДАНИЕ1. Отъюстировать установку и определить величину фототока.соответствующего интенсивности на входе в образец.2. Снять зависимость величины фототока от времени и температуры в цикле «запись-стирание» для свеженапыленного образца3. Снять зависимость величины фототока от времени и температуры в цикле «запись-стирание» для отожженного образца.http://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А.
Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ru74. Построить зависимость пропускания образца от времени и температуры в циклах«запись-стирание», пользуясь результатами, полученными в п.2 и 3.5. Пользуясь спектральной зависимостью коэффициента поглощения и формулой(1), определить толщину исследованного образца. Принять значение коэффициента отражения — 10%.6. По спектральной зависимости коэффициента поглощения и формуле (1) рассчитать и построить толщинную зависимость пропускания объемного ХСП, из которого получен пленочный образец.7. Дать краткое объяснение полученным результатам.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ1. Что такое фотостимулированные изменения и в каких материалах они наблюдаются?2.
Какие механизмы фотостимулированных изменений свойств ХСП Вы знаете?3. Какие экспериментальные результаты свидетельствуют к пользу фотоструктурного процесса превращений?4. Почему циклы «запись-стирание» свеженапыленной и облученной пленок различаются?5. Будет ли заметно фотопотемнение, происходящее в объемном образце при его облучении, если толщина такого образца 1 мм?6. Пользуясь зависимостью энергии стеклообразного материала от обобщенной координаты, объясните процесс фотоструктурных превращений в ХСП.7. На каких особенностях фотоиндуцированных изменений в ХСП основано их использование в качестве носителей оптической информации?8.
Какие требования предъявляются к материалам, используемым в качестве носителей оптической информации?9. Как эффект фотостимулированных изменений свойств ХСП может быть использован при создании фоторезистов на основе этих материалов?ЛИТЕРАТУРА1. Несеребрянные фотографические процессы / под ред. Картужанского. М.: Химия,1984. 374 с..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
