МПФ - Измерение коэффициента поглощения и плотности состояний в полупроводниках с помощью метода постоянного фототока (991022), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Установить на выходе источника питания постоянное напряжение 10 В.Внимание! Перед включением питания приборов убедиться, что кнопка «О»У5-9 находится в нажатом положении. Все манипуляции с образцом должны проводиться только при выключенном источнике питания Б5-49 и нажатой кнопке «О»усилителя У5-9.5) Закрыть щель монохроматора, для чего вращать соответствующую рукоятку дотех пор, пока не будет установлено .нулевое значение ширины щели.6) Измерить величину темпового тока образца. Для этого коэффициент. усиленияУ5-9 устанавливается равным 10, после чего кнопка «О» усилителя переводится вотпущенное состояние; если при этом напряжение на вольтметре В7-27А/1 непревысит 1 В, то вновь перевести кнопку «О» в нажатое состояние и установитьновое (большее) значение коэффициента усиления; если после отпускания кнопки«О» напряжение В7-27А/1 лежит в пределах 1 В — 10 В, то записать его точноезначение и величину коэффициента усиления У5-9, при котором указанное значение измерено, в противном случае вернуться к предыдущему подпункту инструкции;7) Установить длину волны монохроматора 600 нм.8) Записать значение напряжения на индикаторе В7-27А/1 при закрытой щели монохроматора; плавно изменять (увеличивать) ширину щели монохроматора до техпор, пока напряжение В7-27А/1 не превысит в два раза напряжение, измеренноепри закрытой щели; записать значение ширины щели, при котором достигнутонеобходимое значение напряжения.9) Установить новое значение длины волны монохроматора, превышающее прежнеена 20 нм; если длина волны превышает 1300 нм — перейти к п.10, в противномслучае вернуться к п.8 инструкции.10) Перевести кнопку «О» в нажатое состояние; выключить напряжение питанияприборов в следующем порядке: Б5-49, В7-27А/1, У5-9; показать лаборанту полученные данные и получить дискету с программой «СРМ» для расчетов измеренных с помощью МПФ параметров пленки.5.
ЗАДАНИЕ1) Измерить по методике, описанной в разд. 4, зависимость ширины щели монохроматора от длины волны падающего света в диапазоне 600 — 1300 нм.2) С помощью программы «СРМ» рассчитать спектральные зависимости ψ(hγ) иN(Е) на компьютере «Искра-1030 М».3) Распечатать графики зависимостей.http://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А. Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ru66. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ1) Каковы основные достоинства и недостатки МПФ?2) Почему в процессе измерения величина фототока должна поддерживаться постоянной?3) Как связаны спектральная зависимость потока фотонов, получаемая с помощьюМПФ со спектрами коэффициента оптического поглощения материала и спектром плотности локализованных состояний?4) Чем отличаются локализованные состояния от распространенных?5) В чем основные различия между спектрами плотности состояний в кристаллических и аморфных (неупорядоченных) полупроводниковых материалах.6) Каковы основные особенности известных Вам моделей распределения локализованных состояний в щели подвижности неупорядоченных полупроводников?7) В чем сходство и различие полученных в ходе выполнения работы результатовэкспериментальных исследований и модельных распределений плотности состояний?ЛИТЕРАТУРА1.
Grimmeiss Н.G., Ledebo 1.А. Journ. Appl Phys..1975. V. 46. P. 2155.2. Vanecek М., Kocka J., Stuchlik J. and Triska J. Sol. state comm., 1981. V. 39. P.1199 — 1202.3. Vanecek М., Abraham А., Stika 0., Stuchlik J. and Kocka J. //Phys. stat. sol. (а),1984.
V. 83. P. 617 — 623.4. Деч Г. Руководство к практическому применению преобразования Лапласа и Zпреобразования. М., Наука, 1971. 288 с.5. Лигачев В.А., Филиков В.А. Журнал «Физика и техника полупроводников».1991. Т. 25. В, 1. С. 133 — 137..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
