Раздаточные материалы 7й семестр (989565)
Текст из файла
http://ftemk.mpei.ac.ru/ncs№ п/пПодготовлено В.А. Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ru2СкоростьХарактеристика Стеклообразуохлаждения,образцовющаяград/секспособность-5Отжиг больших зеркал10ОбъемныеХорошаятелескоповОтжиг оптических стекол~ 2·10-4ОбъемныеХорошая3Отжиг обычных стекол10-3 – 10-2ОбъемныеХорошая4Закаливание на воздухе1-2ОбъемныеХорошая5Закаливание в воду8 - 10ОбъемныеПлохая6351 грамм веществаПлохая18015 мг веществаОчень плохая8Закаливание в воду в тонкостенной(0,5 мм) ампулеЗакаливание в воду в тонкостенной(0,5 мм) ампулеРазбрызгивание расплава~ 103Порошок_9Спиннингирование105 - 106_10Распылительная закалкапод действием ударнойволны106 - 1010Лента толщиной десяткимкмПорошок17ОБРАБОТКА1_Рис.
1-1. Скорости охлаждения расплава, используемые в различных случаяхРис. 1-2. Характеристики взаимного расположения атомов в случае линейной (а) и тетраэдрической (б) структуры.http://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А. Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ruРис. 1-3. Межатомные взаимодействия в линейном полимере.2http://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А. Воронцовым © 2002Iэ(S)=I(S)+ϕ(S)(1)1I ( S )S 2 dS = ∫ f 2 ( S )S 2 dS ,∫j(2)i( S ) =∫ i (S )dS = 0e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ru∫ I (S )S dS = ∫ I (S )S2э(4)(5)(7)(8)⎧ I c ( S ) ⎫⎤⎧ I (S ) I э (S ) ⎫jmax + jmin 1 ⎡= ⎢ MAX ⎨ c2− 2⎬⎥⎬ + MIN ⎨ 222⎣⎩ f ( S ) ⎭⎦⎩ f (S ) f (S ) ⎭I (S ) Ic (S )Ic (S )i1 ( S ) = э2dS(12)−2f (S ) f 2 (S )f (S )I э (S )dS = ∫2(S )ФРРА(r ) = 4πr ρ (r ) = 4πr ρ 0 +222rπ(9)(10)(11)jcp =∫f(3)⎧ I (S ) I э (S ) ⎫jmin > MAX ⎨ c2− 2⎬⎩ f (S ) f (S ) ⎭⎧ I (S ) ⎫jmax < MIN ⎨ c2⎬⎩ f (S ) ⎭(6a)⎡1⎤I н ( S ) = f 2 ( S ) ⎢ i1 ( S ) + 1⎥⎣j⎦⎡ 1 I (S )⎤1ϕ н ( S ) = ϕ ( S ) = f 2 ( S ) ⎢ ⋅ c2− 1⎥j⎣ j f (S ) ⎦dS ,I c ( S ) = ϕ ( S ) + jf 2 ( S ) ,I н (S ) − f 2 (S ) 1 ⎡ I э (S ) Ic (S ) ⎤ 1= ⎢ 2−= i1 ( S )f 2 (S )j ⎣ f ( S ) f 2 ( S ) ⎥⎦ j(6); ∫ i1 ( S )dS = 02c3(13)S2∫ S ⋅ i(S ) ⋅ sin(Sr )dS(14)S1Расчет нормированной интенсивности рассеивания электроновS,Å2D, отн.ед.481632tt=2”t=4”t=8”IIII0tI0tI0t=16”ItI0t=32”ItII Эср ,0отн.
ед.f2IЭf20.20.40.6……………………5.86.0Рис. 1-4. Расчет нормированной интенсивности рассеивания электронов.абРис. 1-5. Функции радиального распределения атомов некристаллическихселена (а) и кремния (б).ICf2i1Iнhttp://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А. Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ru4Рис. 1-6.Спектры комбинационного рассеяния стеклообразных материалов системыAs-Se.абРис.
1-7. Звездообразная (а) и затененная (б) Рис. 1-8. Модель ячейки аморфногоконфигурации атомов кремния.кремния.http://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А. Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ru5Рис.1-9.Нахождениеположения Рис.1-10. Экспериментальная ФРРА (⎯) иатома, соответствующего минимуФРРА модели (- - -) стеклообразногому СКО.селена.Энергия деформации ковалентных связей для тетраэдрических систем:[2]⎡d 02 ⎤3α3β22 2()()V=∑ Ri − R j − d0 + 8d 2 ∑ijl ⎢ R j − Ri (Rl − Ri ) − 3 ⎥ ,16d 02 ij⎣⎦0где: do -; i,j,l -; Ri (j,l) -; α,β -.Двухкоординированные системы:Энергия деформации длин связей: Vb = 0.5α ∑ ( Rlj2 − d 02 ) 2 ,; do ;α.где: Rlj=|Rj-Rj| 2Энергия деформации угла связи: Va = 0.5β ∑l( Rli ⋅ Rlj − c ) ,(1)(2)где: Rli=Rl-Ri, Rlj=Rl-Rj ;с; βЭнергия ван-дер-ваальсова взаимодействия: Vv−v = ∑iVliAB⎧+, Rli ≤ Rc⎪−6,Vli = ⎨ (Rli ) (Rli )12⎪⎩0Rli > Rcгде: А и В ; Rc≈4÷5 Å Энергия деформации двугранных углов: Vd = γ ∑i[(Rij ⋅ R jk )(R jk ⋅ Rkl ) − K ]2 ,где: γ - ;i,j,k,l -;K-(3)(4);Рис.1-11.
Энергия деформации ковалентных связей для тетраэдрических и линейныхсистем.http://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А. Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ru6АЛЛОТРОПНЫЕ ФОРМЫ СЕЛЕНА№Аллотропные формыМолекулярный составКристаллические1 ТригональнаяПараллельные спиралевидные цепи SenКольца Se82 α - моноклиннаяКольца Se83 β - моноклинная4 РомбоэдрическаяКольца Sе6Некристаллические1 Красная аморфнаяКольца Sе62 Черная аморфная?3 СтеклообразнаяЦепи и/или кольцаРис.1-12. Аллотропные формы селена.Элементарная ячейка тригональной модификации халькогенаКольцевая молекула селенаУпаковка кольцевых молекул в кристаллическую решетку в случае α и β - моноклинного селенаРис.1-13. Элементарные ячейки кристаллических модификаций селена.Инфракрасное поглощение в диапазонечастот 50-300 см-1Положение,Стеклообразный95120 135 230см-1селенα- моноклинныйселенТригональныйселенхарактерпикПоложение,92-95см-1характер дублетПоложение,см-1характер-254плечопикплечопик120--254пик--пик-144230--пикпик-Сдвиг,см-1характерСдвиг,см-1характерСдвиг,см-1характерКомбинационноерассеивание110140 ~235115пикплечоплечо250256пик113--250пик--пик-143237--пикпик-Рис.1-14.
Результаты исследований селена методами колебательной спектроскопии.http://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А. Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ru7Рис.1-15. Распределение длин (а), углов (б) связей и двугранных углов (в) в моделинекристаллического селена.Рис. 1-16. Уровни локализованных состояний, соответствующие точечным дефектамв некристаллических полупроводниках.Рис.1-17. Зависимость электропроводности и ее энергии активации от уровня легирования a-Si:Н.http://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А. Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ru8Рис. 1-18.
Влияние химической модификации на температурную зависимость пленокХСП.Рис.1-19. Влияние висмута на электрические характеристики ХСП.http://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А. Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ruУровни структурной модификацииуровеньизмененияструктуры1Ближний порядок в расположении атомовспособ воздействияхарактеристикачувствительныхсвойствгруппычувствительныхсвойствпримеры чувствительныхсвойствРазличныеметоды ирежимы полученияВсесвойстваВсесвойстваВсесвойстваВоздействияв период илиСредний прядокпосле изго2 в расположениитовленияатомоввнешнимифакторамиСвойства, связанные с перегруппировкойструктурныхединицИзменениярежимов получения иобработокИзменениярежимов получения; обработки,воздействующие наподсистемудефектовСвойства, зависящие от макро- неоднородностейСвойства, зависящие от распределенияплотности локализованныхсостояний и отположенияуровня Ферми34МорфологияПодсистема дефектовМеханические свойства, фазовые переходыЭлектрические, оптическиеЭлектрические, фотоэлектрическиеВязкость,твердость,модуль Юнга,фотосжатиепленок, температура иэнергия активации кристаллизацииЭлектропроводимость напеременномтокеПолевая зависимость электропроводимостиРис.
1-20. Уровни структурной модификации некристаллических полупроводников.9http://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А. Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ruРис.1-21. Зависимости удельного сопротивления (а) и ширины оптическойщели (b) пленок а-С:Н от режимов их изготовления (Тs – температураподложки, P – мощность высокочастотного разряда).Рис.1-22. Зависимость величины из- Рис.1-23. Распределение плотностилокализованных состояний в щеменения микротвердости хальколи подвижности a-Si:H догенидных стеклообразных полу(сплошная линия) и после (пункпроводников в результате изметирная линия) обработки ультранения тепловой предыстории мафиолетовым излучением (дозатериала от величины критерия1019 см-2): 1 – по результатам меэффективности структурной модификации.тода постоянного фотоответа, 2 –по результатам моделированиятемпературной зависимости проводимости, 3 – по результатаманализа токов, ограниченныхпространственным зарядом.10http://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А.
Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ruУровень ближнего порядкапериодыIV A62C1214Si2832Ge72.534КЧ123423445группы элементовVAКЧ1VI A15КЧ1163P3133As7551Sb12233S23234Se7952Te12824623-расплав(КЧ 1 –первое координационное число).Рис.1-24. Структурная модификация на уровне ближнего порядка.Уровни среднего порядка и морфологииIVгруппыIV A V AGe440.60Ge44VVI0.50системы Ax ( Ax ) B1− xзначения х0.400.330.250.20GeSe2 GeSe3 GeSe42.502.402.662.402.302.240.11GeSe82.222.12группаVI ASe22GeS3.002.73Ge2S32.802.49GeS22.662.30GeS32.502.23GeS42.402.19GeS82.222.10S22As33As2Se32.602.53AsSe2.502.42As2Se3 AsSe22.402.332.312.25AsSe32.252.19AsSe42.202.16AsSe82.112.09Se22As33As3S22.602.49AsS2.502.38As2S32.402.26AsS32.252.17AsS42.202.14AsS82.112.08S22AsS22.332.22- порог жесткости для чисто ковалентных связей;- порог жесткости с учетом ионности связей;2.252.33- средняя координация атомов- КЧ1⋅(1-Ic), где Iс - коэффициент ионности химических связейРис.1-25.Структурная модификация на уровнях среднего порядка и морфологии.11http://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А.
Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ruУровень подсистемы дефектовгруппыIV AVACSiGePAsСистемыAVI B VIA B3VIV2As2S3As2Se3As2Te3S - SeSe -Te12группаVI ASSeTeРис.1-26. Структурная модификация на уровне подсистемы дефектов.Рис.1-27. Зависимость величины статистического разброса порогового напряженияпереключения от величины КЭСМ.Экспоненциальная форма края поглощения в аморфных полупроводниках при комнатной температуре. Стрелками обозначены значения энергии 2Е для материалов, в которых электропроводность⎛ E ⎞удовлетворяет соотношению: σ = С exp⎜ −⎟ . Кривые 1-8 соответствуют следующим материалам:⎝ kT ⎠1 – GeTe, 2 – Te, 3 – As2Te3, 4 – CdGeAs, 5 – Ge16As35Te28S21, 6 – As2Se3, 7 – Se, 8 – As2S3Рис.1-28.
Форма края оптического поглощения некристаллических полупроводников.http://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А. Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ru13Рис.1-29. Влияние облучения электронами на результаты дифракционного эксперимента в случае ХСП..
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
