Шпаргалка (943761), страница 3

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 3)

Поскольку число рассеивателей линейно растет с температурой, так же ведет себя и сопротивление:

ρ~T, T>> T_D

при температурах Т << T_D полная частота электрон-фононного рассеяния уменьшается пропор­ционально Т³ ,a
:

ρ~T⁵, при T « T_D

а б

Рис. 10.9. Диаграмма состояния сплавов, образующих твердые растворы с неогра­ниченной растворимостью компонентов, схема расположения атомов Сu (черные) и Ni (белые) в решетках сплавов (а) и изменение физико-химических свойств в зависи­мости от состава (б)

Рис. 12.6. Зависимость удельного сопротивления ρ_δ (а) и темпе­ратурного коэффициента удельного сопротивления αρ_δ (б) ме­таллической пленки от ее толщины δ

Скин-эффект характеризуется глубиной проникновения электро­магнитного поля в металлический проводник: чем выше частота поля, тем на меньшую глубину оно проникает в проводник. С увели­чением глубины проникновения поля плотность тока уменьшается по экспоненте. Глубину, на которой амплитуда электромагнитной волны затухает в е раз (до -37%), называют глубиной проникновения поля ∆. Величина ∆ зависит от частоты напряжения ω, удельной электропроводности γ и магнитной проницаемости μ:

∆ = 1/a = √ 2/ωγμ_oμ = √ƒπγμ_oμ, (12.10)

где а — коэффициент затухания электромагнитной волны; μ_o — маг­нитная постоянная

При изготовлении проволоки болванки сначала путем горячей прокатки превращают в катанку диаметром 8—18 мм, которую для

Рис.13.1. Зависимость предела прочности на разрыв σв, относительно удлинения перед разрывом ∆L/L и удельного сопротивления ρ меди марки Ml от температуры отжига (время отжига 1 час)

Таблица 13.5 Основные свойства сплавов высокого сопротивления

ЭДС шумов резистора. Электроны в резистивном элементе находятся в состоя­нии хаотического теплового движения, в результате которого между любыми точ­ками резистивного элемента возникает случайно изменяющееся электрическое напряжение и между выводами резистора появляется ЭДС тепловых шумов. Теп­ловой шум характеризуется непрерывным, широким и практически равномерным спектром. Величина ЭДС тепловых шумов определяется соотношением

E,=(4KTR∆f) ^1/2, (2.16)

где К=1,38•10^-23Дж/ К— постоянная Больцмана;

Т — абсолютная температура, К;

R — сопротивление, Ом;

∆f— полоса частот, в которой измеряются шумы.

При комнатной температуре (Т= 300 К)

E,=(1/8)*( R∆f) ^1/2

Рис. 12.9. Схема образова­ния контактной разности потенциалов (а) и термо­электродвижущей силы (б)

a)

б)

Рис. 12.8 Потенциальный барьер на границе металл— вакуум:

1 — внешнее электрическое поле равно нулю (Е= 0); 2 — внешнее электричес­кое поле не равно нулю (Е = 0)

Зависимость со­противления платиновых терморезисторов от температуры опре­деляется следующими формулами:

R _t = R₀ (1 + At + Bt²) при 0 < t < 650°С;

R_t = R₀ [1 + At + Bt² + Ct³ (t -100)] при -200 < t < 0°C,

где Rt — сопротивление терморезистора при температуре t, °C; R₀ — сопротивление при 0°С; А = 3,96847 х10^-3 (0 ^o С) ^-1 ; В = -5,847 х10^-7 (0 ^o С) ^-2 ; С = -4,22 х10^-12 (0 ^o С) ^-4 .

Для измерения температуры наиболее распространены полупроводниковые терморезисторы типов КМТ (смесь окислов кобальта и марганца) и ММТ (смесь окислов меди и марганца). Термисторы имеют линейную функцию преобразования, которая описывается следующей формулой:

R_t = Ae^B/T,

где Т — абсолютная температура;

А — коэффициент, имеющий размерность сопротивления; В — коэффициент, имеющий размерность температуры.

Серийно выпускаются медно-марганцевые (тип ММТ) и кобальтово-марганцевые (тип КМТ) термисторы. На рис. 9.2 показа­ны зависимости сопротивления от температуры для термисторов этих типов и для сравнения — для медного терморезистора.

Рис. 9.2. Зависимости сопротивления

от температуры для терми­сторов и медного

терморезистора

Основные характеристики терморезисторов

1. ВАХ — зависимость напряжения на терморезисторе от
тока, проходящего через него. Снимается в условиях теплового
равновесия с окружающей средой. На рис. 1.1 и 1.2 график (А)
соответствует терморезистору с отрицательным ТКС, (Б) — с
положительным.

Р ис.1.1.Вольт-амперная характеристика терморезистора

Температурная характеристика — зависимость R(T), сни­
мающаяся в установившемся режиме. Принятые допущения: мас­
штаб по оси R взят возрастающим по закону 10^х, по оси Т
пропущен участок в интервале (0...223) К (см. рис. 1.2).

Рис. 9.4. Получение релейной характеристики в схеме с термистором

Рис. 8.4.1. Энергетические диаграммы твердого тела с указанием красной границы hν₀ фотоэлектронной эмиссии

а б в г

Рис. 4.1. Зонная структура германия (а)

точки (100) — X, (111) — L и (110) — К на границе зоны при к = 2π/а и [100]-∆, [111] — Λ [110] — Σ внутри зоны. Центр зоны Бриллюэна, т. е. состояние k = 0, обозначают Г. Нижние индексы у букв харак­теризуют симметрию состояния и означают неприводимые пред­ставления, к которым принадлежит волновая функция в данной состояния в кристаллах условно можно разделить на слабо свя­занные («мелкие») и сильно связанные («глубокие») состояния. Эвергия связи мелкого центра существенно меньше ширины запрещенной зоны, а для глубокого она сравнима с шириной запрещенной зоны.

Волновой вектор k

Рис. 2.13. Электронная зонная структура Ge, расчитанная по методу псевдопотенциала.

Энергия в вершине заполненной валентной зоны принята равной нулю. В отличие от рис. 2.10 здесь использовано обозначение симметрии

для двойных групп [2.8]

Фиг. 2.15. Первая зона Бриллюэна ре­шетки алмаза и решетки цинковой об­манки, а также основные точки и линии симметрии [18].

Рис. 4.45. Схема опыта для измерения фотопроводимости

Рис. 9.9. Три конфигурации светодиодов:

а — полусфера; б — усеченная сфера (сфера Вейерштрассе); в — эл­липсоид

Рис.9.7. Схематическое изображение плоского светодиода

Рис. 9.10. Спектры излучения светодиодов

Характеристики

Список файлов ответов (шпаргалок)