2-322-1399893340-3.-printsipialnaya_skhema_protsessa_nanesen ia_tonui (782326)
Текст из файла
ОсаждениеD1ИоннымРаспылениемИонно-плазменныйD10Тлеющий разрядР.Г.ТПРргdДиодный на постоянномтокеДиодный ВЧТрехэлектродныйМагнетронный на пост.токеМагнетронный ВЧМагнетронный с ЭЦРРеактивныйD100D101D102D103D104D105D10_RТкомнрр.г.=10-5⋅10−2 Па;Сущность метода осаждения тонких пленок в вакууме ионным распылением D1заключается в выбивании (распылении) атомов вещества из поверхностных слоев мишенивысокоэнергетичными ионами рабочего газа (обычно инертного Ar). Ионы образуются вгазовом разряде при давлении pр.г. = 10 - 5.10-2 Па и ускоряются до энергии 0,7 - 5 кэВвследствие приложения к мишени отрицательного потенциала в 0,7 - 5 кВ.
Распыленныеиз мишени атомы осаждаются в виде тонкой пленки на поверхности подложки.Различают ионно-плазменный D10 и ионно-лучевой D11 методы, в которыхиспользуются тлеющий (типы D100, D101, D103, D104 и D105) и несамостоятельный(D102) газовый разряды, а также, автономные источники ионов Кауфмана (с горячимкатодом - тип D110) и Пеннинга (с холодным катодом - тип D111). При использовании вкачестве рабочего газа смеси из Ar и химически активного газа (O2, N2 и т.п.) реализуетсяреактивный метод осаждения оксидов, нитридов и т.п. (типы - D10_R и D11_R).Достоинствами метода осаждения тонких пленок ионным распылением являютсяуниверсальность (можно наносить металлы, сплавы, диэлектрики, магнитныекомпозиции), регулируемая скорость осаждения Vо и относительно простая конструкция.К недостаткам относятся не высокая чистота осаждаемой пленки (из-за наличия рабочегораза), низкая и нерегулируемая энергия осаждаемых частиц E.ИонноеОсаждениеИонно-плазменныйD41ДиодныйD410С потенциаломсмещенияD411D4ТПРабочий газВ основе методов ионного осаждения тонких пленок D4 лежит сочетание двух процессов:1) генерации плазмы исходного вещества с помощью одного из типов электрическогоразряда или ВЧ-индуктора и 2) ускорения ионов или всей квазинейтральной плазмы споследующей конденсацией на поверхности подложки (детали).
Исходное веществополучают с помощью одного из методов термического испарения D0 (термо-ионныйметод D40); из газовой смеси, содержащей компоненты осаждаемой пленки (ионноплазменный D41 и ионно-лучевой D42 методы); с помощью дугового разряда D3, которыйиспользуется как первая ступень плазменного ускорителя (плазмотронный метод D43).Основными достоинствами метода ионного нанесения тонких пленок являютсярегулируемая в широких пределах энергия осаждаемых частиц E (оптимальной считаетсяэнергия Eопт = 100 эВ) и высокая скорость осаждения Vо, а главными недостатками сложность реализации и распыление конструкционных материалов, а, следовательно, изагрязнение плазмы и получаемой пленки..
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.














