165562 (739829), страница 4

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 4)

На протяжении всех этапов изготовления кристаллов полупроводниковых ИМС очистку полупроводниковых пластин проводят многократно - после механической обработки пластин и перед основными операциями формирования структур: окислением, эпитаксиальным наращиванием, диффузией, металлизацией, фотолитографией (и после нее), защитой.

5. Заключение.

В заключении своего реферата приведу пример типового процесса обработки пластин кремния перед термическим окислением, который включает следующие операции:

1. обезжиривание в горячем (75-80°С) перекисно-аммиачном растворе;

2. промывание в проточной деионизованной воде (удаление продуктов реакции предыдущей обработки);

3. обработка в горячей (90-100°С) концентрированной азотной кислоте (удаление ионов металлов);

4. промывание в проточной деионизованной воде (удаление остатков кислот);

5. гидродинамическая обработка пластин бельичими кистями в струе деионизованной воды;

6. сушка пластин с помощью центрифуги в струе очищенного сухого воздуха;

7. травление в растворе фтористоводородной кислоты (снятие поверхностного слоя и удаление загрязнений).

6. Список литературы.

1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Учебное пособие для ВУЗов. М., "Высшая школа", 1986.

2. Зи Ф.М. Технология СБИС. М., "Мир", 1986.

7

Характеристики

Список файлов реферата