145073 (728038), страница 3
Текст из файла (страница 3)
Рис.6. Структурная электрическая схема датчика температуры с двумя (а) и
одним (б) терморезисторами.
В диапазоне измерения температур от t1 до t2 термочувствительный мост балансируется внешним потенциометром (на рис. не показан) таким образом, чтобы нижнему значению t1 измеряемой температуры соответствовало начальное значение 4 мА выходного сигнала датчика. Настройкой коэффициента усиления дифференциального усилителя датчика обеспечивается соответствие величины 20 мА выходного сигнала значению t2 верхнего предела измерений температуры.
На рис. 6б показана электрическая схема датчика температуры, реализованная на базе чувствительного элемента ТЭ-1 с одним терморезистором. В этом случае терморезистор R(t) вместе с линеаризующим шунтом R включены в цепь питания от стабилизированного источника постоянного тока 0,8 мА. Термонезависимый резистор R включен в цепь питания от другого стабилизированного источника постоянного тока 0,8 мА. Разность падения напряжения U на этих резисторах, пропорциональная величине измеряемой температуры, поступает на вход дифференциального усилителя датчика и затем преобразуется в стандартный выходной сигнал постоянного тока (4…20) мА.
5. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Анализ литературных источников позволяет сделать вывод о все более широком использовании в системах регулирования полупроводниковых датчиков температуры, разнообразие которых позволяет решить множество сложных задач. Появившиеся в последнее время датчики на изолирующих подложках типа КНС-структур позволяют во многих специфических случаях заменить традиционные металлические (например платиновые) датчики и тем самым удешевить измерения и повысить надежность систем.
6. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
-
Трофимов Н.А., Лаппо В.В. Измерение параметров теплофизических процессов в ядерной энергетике.- М.: Атомиздат, 1979.
-
Датчики теплофизических и механических параметров. Справочник, т.1, кн.1/ Под общ.ред. Коптева Ю.Н., под ред. Багдатьева Е.Е., Гориша А.В., Малкова Я.В.- М.: ИПЖР, 1998.
-
Виглеб Г. Датчики. М.: Мир, 1989.
-
Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: Сов.радио, 1969.
-
Фогельсон И.Б. Транзисторные термодатчики. М.: Сов.радио, 1972.
-
Гордов А.Н., Жагулло О.М., Иванова А.Г. Основы температурных измерений. М.: Энергоатомиздат, 1992.
-
Шефтель И.Т. Терморезисторы. М.: Наука, 1973.
-
Орлова М.П. Низкотемпературная термометрия. М.: Изд.стандартов, 1975.
-
Зарубин Л.И., Немиш Ю.И. Полупроводниковая криогенная термометрия. Обзор в кн. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев: Наукова думка, 1974, вып.16.
-
Вайнберг В.В., Воробкало Ф.М., Зарубин Л.И. Полупроводниковый материал для термометров сопротивления на диапазон (14…300) К. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, Киев, 1979, вып.30.
-
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн.1, М.: Мир, 1984.
-
Велшек Я. Измерение низких температур электрическими методами. М.: Энергия, 1980.
-
Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977.
-
Соколова А.А., Смирнов Н.И., Ларионов И.Б. Высокочувствительные датчики температуры из кремния, легированного золотом. –В кн. Совершенствование средств и методики измерения температуры при стендовых испытаниях изделий. Тезисы отраслевого семинара. Загорск, 1978.
-
Silicon temperature sensors.- Electron.Appl.News, 1982, v.19, №2.
-
Raabe G. Silizium temperatur sensoren von –50 C his 350 C – NTG – Faahber, 1982, №79.
-
Entre –55 C et 300 C penser au copteur de temperature silizium composauts.- Techniques d`applications mesures – 15, №4, 1985.
-
Mallon I., Germantion D. Advances in high temperature solid pressure transducers – Adv. In Instrum., 1970, v.25, part 2.
-
Папков В.С., Цыбульников М.Б. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979.
-
Суханова Н.Н., Суханов В.И., Юровский А.Я. Полупроводниковые термопреобразователи с расширенным диапазоном рабочих температур. Датчики и системы, №7, 8, 1999.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
